赛默飞半导体全产业链解决方案

赛默飞半导体分析检测方案痕量金属元素和离子态杂质分析赛默飞可为生产制程和痕量污染物分析提供创新、高灵敏度和可靠的痕量元素分析解决方案，以确保 QA/QC 一致性，减少晶圆缺陷。iCAP TQs 独特的变频阻抗RF 发生器设计，可稳定进样挥发性有机溶剂，优异的冷等离子体和专利平面四极杆碰撞反应池技术可消除多原子离子干扰，确保ICPMS 测定获得低的检出限。Element 2 HR-ICP-MS 拥有高通用性和高灵敏度确保最终数据的可信度，是痕量元素测定的黄金标准。材料分析及研发、未知物定性定量赛默飞气质联用仪和液质联用仪能为半导体提供晶圆制程相关有机污染物分析、材料分析及研发中成分解析等行业领先的有机分析解决方案。OrbitrapTM ExplorisTM 系列高分辨质谱仪，可从复杂的背景干扰中分离得到目标物，对含量极低组分进行定性定量检测，为半导体制程中的未知物定性分析提供了可深度挖掘的原始数据，为发现新化合物、寻找低浓度关键标志物提供可能。高纯材料直接进样分析ELEMENTTM GD PLUS 辉光放电质谱仪（GD-MS）重新定义了直接从固体样品取样进行的高纯材料分析，具有超低的检出限，仅需少量校准和样品制备工作，使GD-MS 适用于靶材、高纯硅、碳化硅、石墨等材料中痕量杂质分析和注入离子深度剖面分析。半导体材料表面清洗化学品晶圆加工过程中，为避免受到颗粒物、有机物、金属、静电释放等污染影响，硅片表面清洗过程不可或缺。硫酸、双氧水、氢氟酸、盐酸、氨水、硝酸等湿电子化学品，由于与晶圆直接接触并大量使用，纯度要求非常高，其杂质金属离子、无机阴离子和铵根在 SEMI 标准中都有明确的分级和限量标准，赛默飞依据SEMI 标准可为晶圆表面清洗化学品分析提供完整解决方案。半导体材料晶圆制程化学品晶圆制造过程中，光刻工艺约占整个集成电路制造成本的35%，是半导体制造中的核心工艺，涉及到的材料包括多种溶剂、 酸、碱、高纯有机试剂、高纯气体等。晶圆表面痕量的无机金属离子和非金属离子都会影响芯片成品的可靠性和良品率，赛默飞可为晶圆制程所用半导体材料提供无机和有机分析解决方案。半导体材料晶圆制程特种气体半导体制造晶圆基材及溅射靶材半导体产业中硅片晶圆等原材料纯度要求通常在99.9999999%（9N）以上，在半导体制造过程中，需要严格的对晶圆表面金属杂质污染进行检测，将环境引起的晶圆污染降至最低。半导体芯片是金属溅射靶材的主要应用领域之一，靶材与晶圆表面直接接触，对其纯度要求很高。赛默飞可为半导体制造超痕量污染物以及5-6N 高纯金属溅射靶材提供检测方案。半导体制造在线监测方案晶圆制造洁净室空气及环境监测洁净室和微环境中空气贯穿整个生产工艺流程，要最大程度减少环境引起的晶圆污染，必须分析气体介质中微粒、杂质和特定污染物，包括有机物、痕量金属等。提高半导体良品率同时需要将制造过程对环境影响降至最低，赛默飞可为废水、废气中各项污染物提供准确的分析解决方案，并提供VOCs 和污染离子的24 小时在线监测。• 污染源废气中酸雾、氯化氢；废水中酸/ 碱离子、氰根、硫离子等测定；大气中离子在线监测 – 离子色谱仪• 固定污染源废气中挥发性有机物（苯系物、卤代烃、烷烃等）、非甲烷总烃等分析、VOCs 在线分析– GC&GCMS• 洁净室或废水废气中挥发性和半挥发性有机物分析 – GC&GCMS• 金属离子污染物分析 – TEA半导体封装测试镍镀液的成分较复杂，除镍、无机盐之外，还有各种不同作用的特殊添加剂。镍镀液添加剂作为重要的工艺材料，可防止FOWLP 等先进封装技术中RDL 断裂以及铜/ 焊料界面处出现针孔，降低镀层的内应力，使镀层厚度发布更均匀。需要根据电镀液成分的变化来调节电镀参数。赛默飞UHPLC 超快速液相方法可对不同种类的添加剂同时进行检测分析，电雾式检测器（CAD）对于其中缺乏紫外生色团，通常不挥发的添加剂，具有更高的灵敏度。UHPLC-CAD 方法快速准确的测定结果有利于添加剂含量的控制，可以为镍镀液提供更有效的质量控制手段，降低生产成本，提高产品质量。电子元件分析半导体集成电路是电子产品的核心器件，电路类器件如二极管、电阻器、连接类器件如印刷电路板（PCB）等的制造需严格遵循RoHS 和《电子信息产品污染控制管理办法》指令要求。赛默飞完全理解 RoHS 指令和《电子信息产品污染控制管理办法》的深远含义，可为阻燃剂、增塑剂及金属离子检测提供全面的解决方案，包括仪器、消耗品、软件和技术支持。赛默飞可为多溴联苯、多溴二苯醚阻燃剂、邻苯二甲酸酯和多环芳烃等危害有机物的前处理、筛查和测定等提供加速溶剂萃取(ASE)、燃烧离子色谱 (CIC)、气相色谱质谱联用仪 (GC-MS) 和高效液相色谱仪（HPLC）等技术，并提供原子吸收光谱仪 (AAS)、电感耦合等离子发射光谱仪 (ICP-OES)、电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）和离子色谱仪（IC）用于测定镉、铅和汞，分离并测定六价铬，帮助电子电器设备制造商应对供应链带来的挑战。赛默飞半导体全产业链解决方案 半导体材料表面清洗化学品 半导体及相关行业 赛默飞色谱质谱及光谱仪 综合解决方 案 半导体行业是国民经济支柱性产业之 一 ，多个“十四五”相关政策均将集成电路列入重点发展项目。随着芯片制程 从微米进入到纳米时代，逐渐达到半导体制程设备和制造工艺的极限，细微的污染都可能改变半导体的性质，对于 产线的良率管理和提升成为半导体工业界面临的重要挑战! 赛默飞作为科学服务领域的领导者，可为半导体行业关键环节提供多层次技术支撑，领先的离子色谱、电感耦合等 离子体质谱仪、气质联用仪和液质联用仪等技术可为半导体支撑材料、晶圆制造以及下游应用提供痕量离子态杂质、痕量金属杂质、有机态杂质及材料研发等提供稳健可靠的分析方法，助力全面提升产品良率! 痕 量 金属 杂 质分 析 电 感耦 合 等离子 体 质谱仪 ·晶圆表面 ·刻蚀剂 ·湿电子化学品及超纯水 ·电子特气 ·光刻胶及配套试剂 ·超纯水 离 子 态杂 质 分析 离 子色 谱仪 ·晶圆表面 ·电子特气 ·湿电子化学品 ·洁净空气 ·光刻胶及配套试剂 ·封测 ·蚀刻剂 有 机 污 染物 /有机成分分析 气相 色 谱、气质 联用 仪、液相色谱 、液质联用仪 ·晶圆表面有机污染物 ·电镀液添加剂分析 ·湿电子化学品的有机 ·电子电器中有害有 污染物 机物 ·光刻胶有机物分析/ ·超纯水有机杂质 配方剖析 高纯材 料 杂 质 分析 辉 光 放 电 质谱仪 ·硅 片 ·靶材 赛默飞可为生产制程和痕量污染物分析提供创新、高灵敏度和可靠的痕量元素分析解决方案，以确保QA/QC 一 致性，减少晶圆 缺陷。 i CAP TQs 独特的变频阻抗 RF 发生器设计 ，可稳定进样挥发性有机溶剂，优异的冷等离子体和专利平面四极杆碰撞反应 池技术可消除多原子离子干扰，确保 I CPMS 测定获得低的检出限。Element 2 H R -I CP-MS拥有高通用性和高灵敏度确保最终数 据的可信度，是痕量元素测定的黄金标准。 痕量金属元素杂质检测方案 材料分析及研发、未 知物定性定量 赛默飞气质联用仪和液质联用仪能为半导体提供晶圆制程相关有机污染物分析、材料分析及研发中成分解析等行业领先的有机分 析解决方案 。OrbitrapExploris系列高分辨质谱仪，可 从复杂的背景 干 扰中分离得到目标物，对含量极低组分进行定性定量检 测 ，为半导体制程中的未知物定性分析提供了可深度挖掘的原始数据，为发现新化合物、寻找低浓度关键标志物提供可能。 晶圆制造推荐技术及型号 研发 原料检测 QC QA/QC 失效分析 气质联用仪(GC-MS) ·ISQ7610 GC-MS COrbitrapM ExplorisM GC-HRMS √ 液质联用仪(LC-MS) ·TTSQ AltisM Plus LC-MS/MS ·(OrbitrapExplorisM LC-HRMS 常规检测 未知 物 鉴别 (半 )挥发性物质 T r ace 1600 GC ISQ TM 7610 GCMS Orbit r ap Exp l or i sGC 240 GC-H RMS 非发挥性物质 VanquishCore HPLC T SQ Al ti s Plus LC-MS Or b itrap Explor i s 120LC-HRMS 高纯材料直接进样分析 ELEMENT' GD PLUS 辉光放电质谱仪(GD-MS)重新定义了直接从固体样品取 样 进行的高纯材 料分析，具有超低的检出限，仅 需少 量 校准和样品 制备工作，使 GD-MS 适用于靶材 、高纯硅、碳化硅、石墨等材料中痕量杂质分析和注入离子深度 剖面分析。 晶圆加工过程中，为避免受到颗粒物、有机物、金属、静电释放等污染影响，硅片表面清洗过程不可或缺。硫酸、双氧水、氢氟 酸、盐酸、氨水、硝酸等湿电子化学品 ，由于与晶圆直接接触并大量使用，纯度要求非常高，其杂质金属离子、无机阴离子和铵 根在 SEM I 标准中都有明确的分级和限量标准 ，赛默飞依据 SE MI 标准可为晶圆表面清洗化学品分析提供完整解决方案。 超 纯 水中的 阴离 子分析 SEMI F63 推荐集成电路用超纯水中阴离子和铵根的检测定量限为 10-20ppt， 离子色谱是检测无机阴离子和铵根首选方法。在半 导体集成电路领域， ICS-6000 离子色谱通过大体积进样以及预浓缩过程，对常见阴离子和铵根的检出限可以达到 p pt级 别 ，完 全满足芯片制造对超纯水的要求。 氢氟酸分析 半导体 级氢 氟 酸 中 阴 离 子 分析 SEMI C028 中对电子级氢氟酸纯度提出要求，其中 Grade 4 和 Tier D 中规定了阴离子 含量分别不得超过 100ppb， 目 前电 子级氢氟 酸中阴 离 子的限 量已经达到更高水平，到 p pb 水平 。ICS-6000高压离子色谱系统配备淋洗液发生器和自动再生电解膜抑制器，通 过排斥柱和阀切换技术实现在线基质去除和浓缩富集，对氢氟酸中痕量阴离子的检测可 达到几 个 pp b的水平 ，灵敏度完 全 满足 Semi标准。 SEMI C28 和 C29规定半导 体 工业使用的 H F 和 DHF(4.9%) 的各项指标，在先进制程 生产中需要用到 pp t 级的 Tier E 或 Grade 5 级的氢氟酸。采用 iCAP TQs 串联四极杆 ICPMS 对于高纯度电子级氢氟酸中痕量金属杂质测定方法的研究，有效去除由氟和氩 基体组合的多原子离子对钾、钙和钛、钒等元素测定的干扰，使其测定检出限和结果 能满足微电子行业对于氢氟酸纯度的要求。 分析模式 LOD (ppt) BEC (ppt) L CL-TQ-NH 0.01 0.03 B CH-TQ-N/A 3.50 6.07 Na CL-TQ-NH 0.14 0.54 Mg CL-TQ-NH 0.20 0.52 AI CL-TQ-NH 1.00 1.78 K CL-TQ-NHa 0.66 1.04 Ca CL-TQ-NHa 0.95 2.80 Ti (m/z 64) CH-TQ-O. 0.47 4.20 V CH-TQ-O 0.77 1.64 5Cr CL-TQ-NH 0.19 0.48 与5Mn CL-TQ-NH 0.06 0.10 Fe CL-TQ-NHa 0.42 0.71 Ni CL-TQ-NHs 0.10 0.05 5Co CL-TQ-NHa 0.24 0.11 Cu CL-TQ-NHa 0.16 0.03 分析模式 LOD (ppt) BEC (ppt) Zn 7As (m/z 91) Sr CL-TQ-NHs 0.24 0.05 CH-TQ-O。 2.62 7.20 CL-TQ-NH 0.85 0.65 Zr CH-TQ-N/A 0.19 0.13 Mo CH-TQ-N/A 0.30 0.58 17Ag CL-TQ-NHs 0.04 0.03 1Cd CL-TQ-NH 0.01 0.01 1Sn CL-TQ-NHs 0.24 0.35 Sb CH-TQ-N/A 1.26 2.87 Ba CL-TQ-NH、 0.45 0.18 11Ta CH-TQ-N/A 1.06 1.14 W CH-TQ-N/A 0.18 0.98 CH-TQ-N/A 0.10 0.01 Pb CL-TQ-NH、 0.05 0.28 Bi CH-TQ-N/A 0.10 0.14 硫酸分析 中的 痕量元素分析 电子级硫酸 SEM I G5 要求26种单项杂质含量均 <10ppt， 先进制程的半导体要求金属杂 质 <1pp t。赛默飞ELEMENT 2 HR-I CP-MS测定 G5级别超纯硫酸(9.8%)中37种金 属杂质元素，通过中(R=4000)、高(R=10000)分辨模式，可直接区分基体产生的 聚合 物离 子对金属 元 素 F e、Ti、Cr、Zn等元素的质 谱 干扰，获得 <1 ppt 的 检出限和背 景空白，满足 SEM I G5 级别超纯硫酸中金属杂质的检测要求。 晶圆制造过程 中 ，光刻工艺约占整个集成电路制造成本的35%，是半导体制造中的核心工艺，涉及 到的材料包括多种溶剂、酸 、碱、高纯有机试剂、高纯气体等。晶圆表面痕量的无机金属离子和非金属离子都会影响芯片成品的可靠性和良品率，赛默飞可为 晶圆制程所用半导体材料提供无机和有机分析解决方案。 电子级异丙醇(I PA)中 的杂 质 分 析 异 丙 醇中 的 痕量 元 素分析 电子级异丙醇在半导体产业的硅晶片清洗、封装测试等环节需求量很大，其纯度对于产品的良率起到至关重要的作用。i CAPTM TQs ICPMSMS 可靠稳定的 RF发生器通过等离子体加氧除碳，即便在冷等离子体条件下也能获得稳定的测定结果，并结合碰撞 与反应模式进一 步 去除多原子离子 的 干扰，在一次测定中可稳定切换各种测定模式，提高易用性和分析效率。 分析模式 LOD (ppt) BEC (ppt) L SQ-CP 0.01 0.1 Be SQ-STD 0.2 0.7 Na SQ-CP-NHa 0.4 0.33 “Mg SQ-CP-NHa 0.3 0.6 AI SQ-CP-NH 0.6 13.9 P at m/z 47 TQ-O 99 1069 K SQ-CP-NH 0.5 1.4 Ca SQ-CP-NH。 1.1 6.0 4Ti at m/z 114 TQ-NH， 0.001 0.2 V at m/z 67 TQ-O， 0.4 2.0 Cr SQ-CP 0.9 4.7 Mn SQ-CP-NHa 0.1 0.4 PFe SQ-CP-NHa 0.8 5.0 Co SQ-CP 0.1 0.2 Ni SQ-CP-NH 0.7 5.9 Cu SQ-CP 0.6 7.6 Zn SQ-CP 0.4 1.0 Ga SQ-CP 0.1 0.07 LOD (ppt) BEC (ppt) Ge SQ-KED 3.0 0.6 TQ-O。 0.9 4.0 SQ-CP-NH 0.7 0.1 0.2 SQ-CP 0.07 0.04 SQ-KED 0.04 0.03 SQ-STD 0.2 0.6 Ag SQ-STD 0.08 0.1 1Cd SQ-STD 0.001 0.001 SQ-STD 0.04 1.2 0.01 0.2 SQ-STD 5.4 Sb SO-STD 0.05 13Ba SQ-KED 0.04 0.01 18Ta SQ-STD 0.04 0.1 197Au SQ-STD 0.09 0.3 SQ-STD 0.04 0.3 0.01 SQ-CP-NH 0.2 0.06 异丙醇 中的痕量阴 离子分 析 赛默 飞 I CS-6000 高压离子色谱通过谱睿技术在线去除异丙醇基 质，样品中的痕量阴离子被超纯水带入低压阴离子浓缩柱，被富 集浓缩后再进入阴离子色谱柱完成分离测定，整个实验无需配制 淋洗液，通过淋洗液发生器自动产生 KOH 梯度淋洗液，实现常 见阴离子的完全分离。在线谱睿技术完全满足对异丙醇中痕量无 机阴离子杂质的检测要求。 异 丙醇 中的 杂 质 定性 定量分 析 赛默飞高分辨气质联用仪具有高分辨、高灵敏度、高质量精度、分析动态范围宽等特点，兼具定性分析和定量分析。对于目标物定性，除了采用 NIST 谱库以及高分辨检索外，可以 通过 Orbit rap /MS 的高质量精确度碎片进行初步的结构推断，包括元素组成分析，同 位素 轮 廓 分析等，为电子级异丙醇中痕量未知物的分析提供了更好的途径。 三乙醇胺中 的 有机杂 质 分析 在 半导 体相关材 料 的研发生产过程中，准确地对杂质进行鉴定和监测，有利于 工 艺方案的 优化及产品质量的控制 。OrbitrapExplor i s120质谱仪可实现正负切换，一针进样即 可 获得高精度的一级和二级质谱数据，节约方法开发的时间且能获得更可靠的结果，实现对 湿电子化学品三乙醇胺中有机杂质的解析。 样品总离子流图 +MS 杂质1(C，H18ON)的质谱分析 半导体材料晶圆制程特种气 体 特 种 气体中 的 杂 质 分析 光刻胶 中 的痕量金属元素分 析 二 氧 化碳 中离 子 态 杂 质分析 SEMI P 32 标准对光刻胶中 Na 、Mg、Al、K、Ca等10种元素的测定作了方法指导 。赛默飞 i CAPM TQs ICPMSMS 使用光刻胶 溶剂 PGM E A 溶解直接进样 I CPMS测定， 其可靠稳定的 RF 发生器通过等离 子 体加氧除碳，即便在冷等离子体条件下也能获得 稳定的测定结果，并结合碰撞与反应模式进一步去除多原子离子的干扰，满足 SEMI 检测要求。 在半导体制造中，电子级特气常用于氧化、扩散、化学气相沉积等多个领域，作为常用的电子特气高纯(电子级)二氧化碳对产 品纯度要求不仅要达到 99.999%以 上 ，对阴离子杂质和铵根的限度要求达到 ppb 级。赛默飞ICS-6000 通过进样前及抑制器后 双重去除 CO， 可消除样品中 CO，对阴离 子 测定的影响 。该方法加标测试满足要求，准确度较高，连续运行结果稳定，可用于 电子级 CO， 吸收液中杂质铵根离子和阴离子分析 。 分析模式 PGMEA空白 ppt P20015稀译10倍 ppt P015 ng/g P015稀释10 倍加标100ppt 回收率 分析模式 3 PGMEA 空白 ppt P015稀 10倍 ppt P015 ng/g P015 稀释10 标 100ppt 回收率 Li TQ-CP-NHs 0.0 0.02 0.002 105% Co TQ-CP-NH、 0.0 0.0 0.000 103% 'B TQ-STD 153 217 0.640 95% “Ni TQ-CP-NH、 4.0 8.3 0.043 89% Na TQ-CP-NH， 43 84 0.400 97% Cu TQ-CP-NHs 7.5 10 0.025 96% Mg TQ-CP-NH、 1.3 5.5 0.042 92% Zn TQ-CP-NH、 10 15 0.050 86% 2AI TQ-CP-NH 1.9 8.1 0.062 105% Mo TQ-STD 2.0 2.8 0.008 104% K TQ-CP-NH 9.3 19 0.097 103% 100Pd TQ-STD 0.5 3.3 0.028 105% 4Ca TQ-CP-NH 1.2 21 0.198 95% Ag TQ-CP-NH， 0.1 2.6 0.016 94% 4Ti at m/z 64 TQ-O. 10 18 0.080 108% 1Cd TQ-STD 0.0 0.0 0.00 103% V at m/z 67 TQ-O 1.9 2.1 0.002 105% Sn TQ-CP-NH、 4.1 8.7 0.046 110% Cr TQ-CP-NH 4.5 7.6 0.031 102% 121Sb TQ-CP-NH、 0.0 1.0 0.010 106% Mn TQ-CP-NH 1.0 2.1 0.011 96% Ba TQ-CP-NH， 0.0 0.1 0.001 96% Fe TQ-CP-NHs 19 49 0.300 93% 208Pb TQ-CP-NH 3 0.1 3.9 0.038 103% 氮 气和 氙 气 GC 检测 方法 光刻 胶 中的 痕量 阴 离 子 分 析 光刻胶的复杂基质无法满足直接进入离子色谱进行分析，燃烧 离子色谱法是测定复杂基质中卤素杂质常用的技术手段。赛默飞燃烧离子色谱通过高温裂解、燃烧，在线去除光刻胶中 的高分子及有机基质，样品中的痕量阴离子被吸收液充分吸收 后，自动进入 I ntegrion高压离子色谱系统，实现光刻胶、树 脂和单体样品中痕量卤素的分离测定，完全满足半导体集成电 路生产工艺对光刻胶、树脂和单体中痕量卤素的检测要求。 电子气体在电子产品制程工艺中广泛应用于离子注入、刻蚀等工艺，氮气和氙气就是其中 的两种电子气体，电子半导体器 件 的性能优劣与电子气体的质量息息相关，其纯度需要达 到6N或更高，因 此 对氮气和氙气中痕量杂质分析尤为重要。赛默飞 Tr ace1600 系列气相 色谱仪可定制化客户检测需求，为电子级氮气和氙气痕量杂质提供检测方案，满足半导体 用特种气体检测要求。 电子气体氮气中痕量杂质分析 电子气体氙气中痕量杂质分析 半导体产业中硅片晶圆等原材料纯度要求通常在 99.9999999%(9N)以上，在半导体制造过程中，需要严格的对晶圆表面金属 杂质污染进行检测，将 环境引起的晶圆污染降至最低。半导体芯片是金属溅射靶材的主要应用领域之 一 ，靶材与晶圆表面直接接 触，对其纯度要求很高。赛默飞可为半导体制造超痕量污染物以及 5-6N 高纯金属溅射靶材提供检测方案。 硅晶圆表面痕量金属 杂 质分析 应对于 SEMI E45 和M85标准，采用气相分解法 (VPD) 和 iCAPM TQs I CPMSMS 联机测定硅晶圆表面的痕量金属杂质，使用 I CPMS 冷等离子体和串联四极杆氨气和氧气反应 ，有效去除了硅基和氩多原子离子的干扰 ，可获得小于 10E8 At/cm²的检出限。在 200p pm硅基体中加标，测定26个元素的方法检测限、测 定含量，其回收率结果和稳定性可满足晶圆表面杂质测定的要求。 分析模式 LOD (ppt) 测量结果 (ppt) 50PPt 回收率(%) Li SQ-CP-NH 0.1 0.02 98% 2Na SQ-CP-NH 0.6 2.3 100% *Mg SQ-CP-NH 0.3 0.4 99% AI SQ-CP-NHs 1.3 6.0 104% K SQ-CP-NH 0.6 1.0 98% Ca SQ-CP-NH 1.0 4.1 103% Ti (m/z 64) TQ-O. 1.2 2.8 99% 5V (m/z 67) TQ-O 0.2 0.8 98% Mn SQ-CP-NHs 2.3 3.5 97% 5Fe SQ-CP-NH 1.6 3.4 98% Co SQ-CP-NHa 0.9 2.2 97% Cu SQ-CP-NH 0.9 1.7 98% Zn SQ-KED 1.9 7.7 90% 分析模式 测量结果 (ppt) 50 ppt 回收率(%) Ga SQ-KED 1.2 2.3 91% Ge (m/z 74) As (m/z 91) TQ-O. 1.0 2.7 100% As (m/z 91) TQ-O， 0.4 0.7 101% Sr SQ-KED 0.2 0.1 98% 0.1 96% Zr SQ-KED 0.1 MOSQ-KED 0.5 1.1 93% Ag SQ-KED 0.3 1.0 95% 95% Cd SQ-KED 0.4 0.6 93% TSn SQ-KED 0.3 0.6 1Sb SQ-KED 0.1 0.1 93% 13#Ba SQ-KED 0.1 0.1 93% 184W SQ-KED 0.1 0.2 93% 0.3 1.2 91% 6N+铜靶 材 中的 痕量杂质直接进 样 分 析 高纯铜在半导体领域作为溅射靶材及离子镀膜加工品等有广泛的应用，高纯铜国家标准 GB/T 26017-2020 规定 HPCu-6N中S和CI的含量<0.5 ppm 和<5 ppm， 其他大部 分杂质含量< 0.05 ppm。赛默飞 E lementGD Plus 辉光放电质谱法(GDMS)使用M R 4000 及 HR 10000分辨率，可完全分离 6N 高纯铜中>70种杂质元素及其 干 扰，满足准确 纯度分析。 R h 是 Cu 基体中受干扰最严重的元素，主 要干扰CuAr、5cu*Ar， 高分辨下可完全分离。 元素 浓度 (ppm) 元素 浓度(ppm) 元素 浓度 (ppm) 元素 浓度 (ppm) 元素 浓度 (ppm) 元素 浓度 (ppm) Li <0.005 As <0.005 Sm <0.001 Sc <0.001 Cd <0.005 Re <0.001 Be <0.005 Se <0.005 Eu <0.001 Ti <0.005 In <0.001 Os <0.001 Be <0.005 Br <0.005 Gd <0.001 V <0.001 Sn <0.001 Ir <0.001 F <0.01 Rb <0.001 Tb <0.001 Cr <0.001 Sb <0.001 Pt <0.001 Na <0.005 Sr <0.001 Dy <0.001 Mn <0.001 Te <0.01 Au <0.01 Mg <0.001 Y <0.001 Ho <0.001 Fe <0.001 <0.005 Hg 0.005 AI <0.001 Zr <0.001 Er <0.001 Co <0.001 Cs <0.001 TI <0.001 Si 0.009 Nb <0.001 Tm <0.001 Ni <0.001 Ba <0.001 Pb <0.001 P <0.001 Mo <0.005 Yb <0.001 Cu 主成分 La <0.001 Bi <0.001 S 0.04 Ru <0.005 LU <0.001 Zn <0.005 Ce <0.001 Th <0.001 CI 0.84 Rh c0.05 Hf <0.001 Ga <0.001 Pr <0.001 U <0.001 K <0.005 Pd <0.05 Ta <0.05 Ge <0.005 Nd <0.001 Ca <0.005 Ag 0.05 W c0.001 半 导 体 试剂检测自动 化 方案 采用 ESI ScoutDX 自动在线控制系统，可7×24运行用于 FAB 的实 时 试剂纯度监控，可连接20路过程化学品每小时对杂质浓 度监控一次，并可设置被污染的限制值，提高生 产 效率 ，最大程度减少人员与危险性化学试剂接触，提高生 产 安全性。 ·T XS 或 DTXS终端从现场取样并输送到 Scout D X 中央系统用 ICPM S 检测，输送距离达300m； · TXS终端可以准确并高重复性地采集样品，样品体积小(1到3mL)，并以每秒 1.2米速度传输到 中 央 scout D X 系统； · DTXS终端是输送高粘度样品，带柱塞泵的自动稀释装置可样品自动稀释后在传输到中央 ScoutDX系统用于检测； 洁净室和微环境中空气贯穿整个生 产 工艺流程，要最大程度减少环境引起的晶圆污染，必须分析气体介质中微粒 、杂质和特定污 染物，包括有机物、痕量金属等。提高半导体良品率同时需要将制造过程对环境影响降至最低，赛默飞可为废水、废气中各项污 染物提供准确的分析解决方案，并提供 VOCs 和污染离子的24小时在线监测。 ·污染源废气中酸雾、氯化氢；废水 中 酸/碱离子、氰根、硫离子等测定；大气中离子在线监测-离子色谱仪 ·固定污染源废气中挥发性有机物 (苯系物、卤代烃、烷烃等)、非甲烷总烃等分析、VOCs 在线分析 -GC&GCMS ·洁净室或废水废气中挥发性和半挥发性有机物分析-G C&GCMS ·金属离子污染物分析-TEA 洁净室空气中 117 种 V OC s 在线分析 采用 CIA Advant ag e VOCs 采样系统，结合赛默飞气质联用仪 优良的定性定量能力，实现洁净室空气中108种 VOCs 的在 线分析(PAMS+T O15)。该方案可以用于环境空气、室内空 气、污染源等挥发性有机污染的监测，也可以用于连续不间 断在线监测 。 F I D 通道 10.0ppb 标 样低沸点部分组分色谱图(5组分) 半导体封装测试 镍镀液的成分较复杂，除镍、无机盐之外，还有各种不同作用的特殊添加剂 。镍镀液添加剂作为重要的工艺材料 ，可防止 FOWLP 等先进封装技术中 R DL 断裂以及铜/焊料界面处出现针孔，降低镀层的内应力，使镀层厚度发布更均匀。需要根据电镀 液 成 分的变化来调节电镀参数。 赛默飞 UHPLC 超快速液相方法可对不同种类的添加剂同时进行检测分析，电雾式检测器(CAD)对于其中缺乏紫外生色团 ，通 常不挥发的添加剂，具有更高的灵敏度。UH P LC-CAD 方法快速准确的测定结果有利于添加剂含量的控制，可以为镍镀液提供更 有 效的质量控 制 手段 ，降低生产成本 ，提 高产品质量。 ..........●●●。 ●●06 ● ......00◎ ...........。 ●● 6000 886 ●●●● ●6 6 ●●●● .......●●●6 电子元件分 析 半导体集成电路是电 子 产品的核心器件，电路类器件如二极管、电阻器、连接 类 器件如印刷电路板(PCB)等的制造需 严 格遵循 Ro H S 和《电 子 信息产品污染控制管理办法》指 令 要求。赛默 飞 完全理解 RoHS 指 令和《电子信息 产 品污 染 控制管理办法》的 深 远含义，可为阻燃剂 、增塑剂及金属 离 子检测提 供 全面的解决方案，包括仪器、消耗 品、软件和技 术 支持。 赛默飞可为多溴联苯、多溴二苯醚阻燃剂 、邻 苯二甲酸酯和多环芳烃等危害有机物的 前 处理、筛查和 测 定 等提供加速溶 剂 萃取 (AS E )、燃烧离子色谱 (C IC)、气相色谱质谱联用仪 (GC-M S) 和高效液相色谱仪(H P LC )等技术，并提供原子吸收光谱仪(AAS)、电 感耦合等离子发射光谱仪 (ICP-OE S)、电 感耦合等离子体质谱仪(I CP-M S)和离子色谱仪(I C)用于测定镉 、铅 和 汞，分 离 并 测 定 六 价铬，帮 助 电 子 电器设备制造商应对供应链带来的挑战。 金 属离 子分析 数据分析 T h e r mo Sc i en t ificM T hermo Scientific'M VanquishTM C o r e H PL C iCAPTM P R O I C P-O E S Thermo Scienti f icM Dio n exMI n te gr ion H P I C TM (I C-ICPM S ) 回 鞋 赛默飞 赛默飞色谱 官方微信 与 质谱中国 热线 800 810 5118电话 4006505118www.thermofisher.cn