光电薄膜,MEMS器件,半导体器件中薄膜残余应力检测方案(半导体检测仪)

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检测样品: 集成电路
检测项目: 可靠性能
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发布时间: 2021-06-02
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深圳市速普仪器有限公司

金牌7年

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基于经典基片弯曲法Stoney公式测量原理,采用先进的激光扫描方式和探测技术,以及智能化的操作,使得FST5000薄膜应力仪特别适合于晶圆类光电薄膜样品的弓高、轮廓形貌、曲率半径和薄膜应力测量。

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Confidential 目录Confidential 深圳速普仪器2022.04 1仪器简介 2 测试结果 3公司简介 1仪器简介 薄膜应力作为半导体制程、MEMS微纳加工、光电薄膜镀膜过程中性能测试的必检项,直接影响着薄膜器件的稳定性和可靠性,薄膜应力过大会引起以下问题: 1.膜裂 2.膜剥离 Crack-induced Tensile 3.膜层皱褶 Thin film delamination Thin film deposition Substrate 4.空隙 Buckling Compressive delamination PIC from STI 2020: UItraviolet to Gamma Ray, 114444N 检测应力是品检及改进工艺的有效手段! 1仪器介绍- 产品信息: FST5000 FImStress Testoi 激光器:635/670 nm波长,5mW FST5001 Fllin Stress Tes 样品台:12/8/6寸样品台,最大可测12英寸,向下兼容8、6、44、33、2、1英寸 薄膜应力:11-10000 Mpa 曲率半径:2-20000m FST5000 Film Stress Tesl FST5000 Film Stress Tester 曲率半径/薄膜应力测试重复性1%(20m)2.5%(100m) 特别适合于晶圆类光电薄膜样品的弓高、翘曲、轮廓形貌、、曲率半径测量和薄膜应力计算。 FST5000 Film Stress Tester D 硅光电池'.→ 运动方向 半透镜激光发生器 王 运动方向 H2 CC 试片 D 曲率半径: Pellicle mirror半透镜 Optical detector H1 Sample 试片 Stoney公式计算薄膜应力: 运动方向 2 1 3 4 四象限硅光电池 离线应力仪——业内友商 美国FSM 128 系列 双波长激光技术 FSM 128 Series Global and FSM128薄膜应力及基底翘曲测试设备 在衬底镀上不同的薄膜后,因为两者材质不一样,以及不同的材料不同温度下特性不一样,所以会引起应力。如应力太大会引起薄膜脱落,最终引致组件失效或可靠性不佳的问题。o薄膜应力激光测量仪利用激光测量样本的形貌,透过比较镀膜前后衬底曲率半径的变化,以Stoney’s Equation计算出应力,是品检及改进工艺的有效手段 Specifications: Operating Temperature: Ambient Measurement Technique: Non-Contact Laser Scanning Wafer Size: FSM 128C2C: 150mm to 200mm (Standard) FSM 128C2G-SMIF: Mini-environment Option FSM 128L C2C: 300mm Open Cassette System FSM 128L C2C (SF or DF): 300mm with Single or Dual FOUP, respectively Scanning Method: High precision Single Scan and Programmable multi- ple diametric scans for 2 D and 3D map profilesAuto Intensity: Automatically adjusts laser intensity according to reflectiv-ity of samplesAuto Switching Dual Lasers: 650nm and 780nmFilm Stress Measurement Range: 1 MPA to 1.4 GPA for a typical Siwafer (provided curvature or bow" height change is atIS以Repeatability: 1% (1 sigma) on a 20m curvature mirror standard²Accuracy: Better than 2.5% based on a 20 m radius curvature mirror²Laser Class: Laser Product Class 1 Data Compatibility: Measurement results or maps are exportable to spreadsheet programs like ExcelTM or to jpeg image files Optional Accessories: Wafer Slot Mappers, Cassette ID Readers, SECS/GEM Communications Computer: CPU: Intel core i5 or later, Ram: 2Gb min. Hard Drive: 1Tb Optical Drive: DVD R/W, USB Port (Min) 4 Ethernet connections: 2 RJ-45 Dimensions & Weight: FSM 128C2C: 38”(W)x45"(D)x75"(H);850lbs FSM 128L C2C: 41"(W)x57"(D)x75"(H); 1000lbs FSM 128L C2C (DF): 58"(w)x68"(D)x75"(H); 1210lbs Power: 110v/220v; 20A 日本TOHO FLX (美国KLA转让技术) Toho FLX-2320-S Thin Film Stress Measurement Systems offer industrystandard capabilities for mass production and research facilities thatdemand accurate stress measurements on various films and substratesup to 200mm in diameter. Incorporating KLA-Tencor's patented “DualWavelength”technology, Toho FLX Series tools determine and analyzesurface stress caused by deposited thin films. The Toho FLX systems offeroutitsstanding value in a variety of comprehensive Stress MMee:asurementSolutions that utilize advanced measurement principles. Specifications Performance Scan Range Programmable up to 200mm Measurement Range l to 4.000MPal Repeatability 1.3MPa2 Accuracy Less than 2.5% or I MPa (whichever is larger) Minimim Radius 2.0m Maximum Radius 33km Wafer Sizes (mm) 25,50,75,100,150,200mm Minimum Scan Step 0.02mm Compliance Class Illa 670nm / 780nm 4mW lasers compliant with 2ICFR, Chapter I Subchapter Notes: 1725um wafer thickness for 10,000A thin film (Is):1 x 10 dyne/cm² U.S. Patent No.s 5134303 and 5248889 TOHO FLX2320R FSM128 产品图片 适用样品大小 25,50,75,100,150,200mm 50mm-200mm 最大8英寸,向下兼容6、4、3、2、1英寸 薄膜应力测量范围 1MPa~4000MPa 1MPa-4000MPa(硅片翘曲变化大于1 um) 1MPa~10000MPa 曲率半径测试范围 2m-33km 2m-20km 2m-20km 测量原理 激光扫描非接触式测量/曲率法 激光扫描非接触式测量/曲率法 激光扫描非接触式测量/曲率法 测量方法 双波长670nm及780nm 双波长650nm及780nm 双波长635nm/670nm 样品台 自动旋转样品台 全自动样品台 全自动样品台 重复性 1.3Mpa(应力重复性) 1%(1 sigma)(使用20米半径球面镜) <1%@1o (曲率半径<20 m)<2.5%@10 (曲率半径<200m) 精度 2.5%或者1 Mpa ≤2.5%(使用20米半径球面镜) ≤2.5%(使用20米半径球面镜) 操作界面 菜单式 菜单式 桌面式-简洁 测试结果呈现方式 2D/3D 2D/3D 2D/3D 弓高/翘曲度测量(BOW/Warpage) 2021-12-08 15:08:00 文件设置关于 FST5000 D:测试报告\2012华为\2012-华为测试项目.Fst5 曲率半径: 221.249 m最大曲率:5.436E-003 1/m最小曲率:3.230E-003 1/m曲率标准差:9.277E-0041/m 平均曲率: 4.510E-003 1/m曲率半径:221.723m最大曲率:5.093E-003 1/m最小曲率:3.260E-003 1/m 曲率标准差:8.438E-0041/ml 平均弓高:-3.62 um 最大弓高:-2.58 um最小弓高:-4.35pm弓高标准差: 0.74 um| 平均弓高:-3.61 um 最大弓高:-2.61 pm最小弓高:-4.07 pm司弓高标准差:0.68uml 翘曲标准差:0.77 pm| 平均匀曲:3.62 um 最大翘曲:4.35pm最小翘曲: 2.58 um 翘曲标准差:0.74 pm 平均翘曲: 3.61 um 最大翘曲: 4.07 um最小翘曲:2.61 um |翘曲标准差:0.68 umlL 应力标准差:62.22MPa 平均应力值: 293.13 MPa 最大应力值:352.52 MPa最小应力值:209.51 MPa 应力标准差: 60.17 MPa 平均应力值:292.5MPa 最大应力值:330.28 MPa最小应力值:211.44 MPa应力标准差:54.72MPa 对减 删除 清空 2测试结果展示 ①激光器稳定性漂移测试2环境振动影响测试3标准曲率镜重复性测试4Si 晶圆薄膜应力测试案例 第三方标准曲率镜测试结果 Laser时间稳定性测试 日期 时间 0 45 90 135 621 14:42 -0.18 0.09 -0.05 0.04 621 15:43 -0.17 0.04 0.03 0.08 621 15:49 -0.17 0.06 -0.05 0.05 621 17:49 -0.11 -0.07 -0.02 -0.04 622 9:43 -0.11 0.05 -0.03 0.1 622 9:47 -0.06 0.06 0.04 0.09 622 11:28 -0.14 -0.1 -0.06 -0.06 622 12:29 -0.15 -0.11 -0.11 -0.03 622 14:16 -0.15 -0.06 -0.11 -0.06 622 14:19 -0.16 -0.06 -0.11 -0.06 622 14:21 -0.16 -0.06 -0.09 -0.06 622 16:21 -0.17 -0.05 -0.09 -0.1 622 16:26 -0.16 -0.06 -0.09 -0.05 623 9:34 -0.13 -0.08 -0.06 -0.07 623 9:38 -0.15 -0.1 -0.06 -0.06 623 14:13 -0.1 -0.1 -0.06 -0.11 623 14:17 -0.11 -0.12 -0.04 -0.11 623 16:23 -0.17 -0.18 -0.11 -0.09 623 17:37 -0.22 -0.17 -0.11 -0.12 623 17:41 -0.23 -0.16 -0.1 -0.12 624 9:29 -0.18 -0.06 -0.09 -0.04 624 10:11 -0.14 -0.07 -0.08 0.07 624 11:59 -0.1 -0.15 -0.1 -0.1 625 10:33 -0.18 -0.05 -0.07 -0.07 625 10:36 -0.18 -0.08 -0.09 -0.09 平均值 -0.14816-0.06658-0.06053--0.04263 标准差 0.037980.0720840.0493720.070699 测试样品::1/10入平面镜/40mm1;测量长度测试数据:弓高(um)不确定度:<0.05 um 时间 0 45 90 135 14:04 -0.15 0.06 0.06 0.11 14:06 -0.14 0.05 0.07 0.08 14:09 -0.17 -0.04 -0.04 0.04 14:11 -0.17 0.04 -0.03 0.06 14:13 -0.17 -0.03 0.03 0.08 平均值 -0.16 0.016 0.018 0.074 标准差 0.014142 0.047223 0.050695 0.026077 时间 0 45 90 135 16:02 -0.17 0.1 -0.03 0.06 16:04 -0.18 0.05 -0.04 -0.03 16:08 -0.19 0.04 -0.03 0.04 16:11 -0.15 0.09 -0.07 -0.03 平均值 -0.1725 0.07 -0.0425 0.01 标准差 0.017078 0.029439 0.01893 0.046904 曲率半径<20m(<1%@1o重复性) 弓高曲率半径-310.003.26测试样品信息:-310.50样品名称:3.26-三311.00Ave=310.89umAve=3.26m3m曲率镜-311.503.25Std.dev~0.00样0品尺寸: 6inch45090°135°Std.dev~0.02045°90135°样品厚度:25000um弓高曲率半径杨氏模量:86Gpa-310.003.27泊松比:0.28-310.503.26-311.00Ave=310.90um3.26Ave=3.26m样品图片:-311.50Std.dev~0.033.25Std.dev~0.000°45°90°13550°45°90°135°弓高曲率半径-310.003.27-310.503.26Ave=310.90um3.26Ave=3.26m-311.003.25Std.dev~0.06-311.50234 5 6789 10Std.dev~0.000°45°90°135°0°45°90°135° 曲率半径<200m(<2.5%@1o重复性 弓高曲率半径10.50-19.00测试样品信息:Ave=10.32umAve=-19.38m样品名称:10.00Std.dev~0.02-20.00Std.dev~0.02定制20m曲率镜0°45°90°135°045° 90°135°样品尺寸: 2inch样品厚度:8200um弓高曲率半径杨氏模量:86Gpa10.40-19.00泊松比:0.2810.20Ave=10.28um-19.50Ave=-19.46m样品图片:10.00Std.dev~0.01-20.00Std.dev~0.030°-一445°90°135°0°45° 90°135°弓高曲率半径10.50-19.00Ave=10.30umAve=-19.42m10.00Std.dev~0.03-20.00Std.dev~0.060°4590°135°5045° 90°135° 曲率半径<500m(<5%@1o重复性) 弓高曲率半径20.002000.00测试样品信息:Ave=5.22umAve=-404.57m0.000.00样品名称:Std.dev~0.04Std.dev~1.35-20.00-2000.00镀膜硅晶圆<111>0°45°90°135°50°45° 90°135°样品尺寸: 6inch基片厚度:1000um弓高曲率半径薄膜厚度:100nm20.00Ave=5.17um2000.00Ave=-408.25m杨氏模量:188Gpa0.000.00Std.dev~0.06Std.dev~2.252 345泊松比:0.18-20.00-2000.00样品图片:·0°45°90°135°0°45° 90°135°弓高曲率半径20.00Ave=5.2um1000.00Ave=-406.41m0.00Std.dev~0.070.00三EStd.dev~2.61-20.00-1000.00·045°90°135°0°45° 90°135° 弓高曲率半径0.005000.00测试样品信息:Ave=-0.66umAve=1892.06样品名称:-1.00Std.dev~0.060.00Std.dev~97.631/20 平面镜0°45°90°135°10° 45° 90° 135°样品尺寸: 4inch样品厚度:19100um弓高曲率半径杨氏模量:86Gpa0.005000.00Ave=-0.82umAve=1532.22m泊松比:0.28Std.dev~0.04Std.dev~35.02样品图片:-2.000.000%4590°135°-0 45° 90° 135°弓高曲率半径0.005000.00Ave=-0.74umAve=1712.14mStd.dev~0.10Std.dev~201.87-2.000.000°45°90135°0 45° 90° 135° Si 晶圆薄膜应力测试案例——-镀膜前后对减 NaferID 编号 前值 后值 对减 弓高(um) 曲率半径(m) 弓高(um) 曲率半径(m) 弓高(um) 应力值(Mpa) 0° 45° 90° 135° 0° 45° 90° 135° 0° 45° 90° 135° 0° 45° 90° 135° 0° 45° 90° 135° 0° 45° 90° 135° C6 1# 6.46 7.57 15.05 8.53 -326.8 -279.1 -140.4 -247.5 --0.4 1.02 8.7 1.82 一 5265.3 一 2064.9 -242.7 一 1158.8 -6.61 -6.7 -6.49 -6.78 439.62 445.6 431.6 451.15 2# 6.35 7.56 15.1 8.41 -332.4 -279.5 -139.9 -251.2 -0.43 1.14 8.67 1.91 4893.4 1859.9 -243.5 一 1104.1 -6.56 -6.59 -6.52 -6.66 436.27 438.1 434 442.76 3# 6.78 8.12 15.7 8.78 -311.7 -260.1 -134.6 -240.6 0.33 0.76 8.51 1.77 6317.7 2793.1 -248.4 - 1190.7 -6.57 -7.04 -6.7 -6.8 437.01 468.3 446.02 452.66 平均值 443.59 标准差 9.74 3公司简介 速普仪器成立于2012年,位于深圳南山高新科技园片区。 公司拥有一群热爱产品设计与仪器开发的队伍,核心团队来自中国科学院。致力于材料表面处理和真空薄膜领域提供敏捷+精益级制备、测量和控制仪器。 工业界: 安徽熙泰智能科技有限公司 AFTERSHCOkz韶音 浙江光特科技有限公司Zhejiang Guangte Technology Co.,Ltd 深圳市速普仪器有限公司 地址:深圳市南山区桂庙路瑞峰创业中心二楼B区2009 电话:0755-26642901 传真:0755-26419205 手机:13392401261高小姐 Email:gaojin@suproinst.com 北京 深圳市速普仪器有限公司(北京办事处) 地址:北京市房山区长阳镇怡和北路5号院熙悦广场4号楼307-309室电话:010-63839091 传真:010-63839091 手机::113699120799常先生 Email: zkchang@suproinst.com Thin Film Stress Measurement System FSM C 深圳市速普仪器有限公司版权所有 1.测试原理基于经典基片弯曲法Stoney公式测量原理,采用先进的激光扫描方式和探测技术,以及智能化的操作,使得FST5000薄膜应力仪特别适合于晶圆类光电薄膜样品的弓高、轮廓形貌、曲率半径和薄膜应力测量。2.为什么检测薄膜应力?薄膜应力作为半导体制程、MEMS微纳加工、光电薄膜镀膜过程中性能测试的必检项,直接影响着薄膜器件的稳定性和可靠性,薄膜应力过大会引起以下问题:1.膜裂2.膜剥离3.膜层皱褶4.空隙检测薄膜应力是半导体制程、MEMS微纳加工、光电薄膜品检及改进工艺的有效手段!
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深圳市速普仪器有限公司为您提供《光电薄膜,MEMS器件,半导体器件中薄膜残余应力检测方案(半导体检测仪)》,该方案主要用于集成电路中可靠性能检测,参考标准--,《光电薄膜,MEMS器件,半导体器件中薄膜残余应力检测方案(半导体检测仪)》用到的仪器有速普仪器【SuPro】薄膜应力测量仪FST5000、速普仪器【SuPro】薄膜残余应力仪FST1000、【速普仪器】涂层厚度测量仪/球坑测厚仪BCT1000、速普仪器【SuPro】薄膜应力测试仪FST 5000