Centrotherm 高温退火炉系统Activator 150_参数

核心参数

一、产品简介

Centrotherm Activator 150 高温炉设计用于SiC或GaN器件注入后退火。Centrotherm独特工艺炉管和加热系统设，允许工艺温度达到 1850 ℃。

此外，Activator 150 系列的产品可以实现生长石墨烯生长。通过碳化硅升华生长石墨层可以获得高性能器件。

Centrotherm 新一代SiC工艺炉管的研发用以满足新兴的150 毫米 SiC工艺。

Centrotherm Activator 150-5 是为研发工作而特制的，而Centrotherm Activator 150-50专为大批量生产设计。

广泛的工艺范围实现了对自定义化程序的优化, 例如温度, 气路系统和压力。

二、典型应用

SiC器件高温退火（注入后）

GaN器件退火

大面积石墨烯生长

SiC表面制备

三、产品特性

性能和优势

高活化效率

最小表面粗糙度

最大温度可达 1850 ℃

占地面积小 [1.8m²]

升温速率可达 100 K/min

批处理晶片尺寸包括 2″、3″、4″、6″

批处理数量达到 40片2″/或3″硅片, 50片4″/或6″硅片

真空度小于10^-3 mbar （可选）

可并排安装

选项

上下料腔室微环境控制

售后服务承诺

保修期: 1年

是否可延长保修期: 是

现场技术咨询: 有

免费培训: 技术人员现场培训

免费仪器保养: 2个月1次

保内维修承诺: 软件免费重装，硬件维修

报修承诺: 24小时到达

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