仪器种类： 普通真空快速退火炉
产地类别： 国产
样品尺寸： 2-12英寸
温度范围： 300℃-1400℃
最高升温速率： ≦150℃/sec(裸片)；
降温速率： 30-200°C/s
退火温度准确性： ±1
退火温度均匀性： ≦±1%
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设备规格：
1.全自动操作模式，Robot自动上片取片、RFID识别；
2.双腔体生产模式，单个腔体适应于 2英寸-12英寸 晶圆，支持(300mmx300mm) 样品；
3.退火温度范围 300℃-1400℃；
4.升温速率 ≦100℃/sec(裸片)；
5.温度均匀性 ≦±1%；
6.真空腔体（可选配常压腔体或正压腔体）；
7.冷却方式包括水冷和氮气吹扫；
8.MFC控制，3-5路制程气体；
工艺应用:
快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；
离子注入/接触退火；
高温退火；
高温扩散；
金属合金；
热氧化处理。
应用领域：
化合物半导体（砷化镓、氮化物、碳化硅等）；
多晶硅；
太阳能电池片；
MEMS；
功率器件；
IC晶圆；
LED晶圆。
保修期: 1年
是否可延长保修期: 是
现场技术咨询: 有
免费培训: 技术人员现场培训
免费仪器保养: 2月1次
保内维修承诺: 软件免费重装，硬件维修
报修承诺: 24小时到达
