仪器种类： 高真空快速退火炉
产地类别： 国产
样品尺寸： 6英寸-8英寸
温度范围： 300-1250°C
最高升温速率： ≤150°C/sec（裸片）
降温速率： ≤30-80C/sec
退火温度准确性： ±1
退火温度均匀性： ≤±0.5％
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设备规格
1.全自动操作模式；
2.Robot取放片；
3.适应于 6英寸-8英寸 Wafer；
4..冷却方式包括水冷和氮气吹扫；
5.MFC控制，3-5路制程气体;
6.SEMI认证。
工艺应用:
快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；
离子注入/接触退火；
高温退火；
高温扩散。
金属合金；
热氧化处理；
应用领域：
化合物半导体（砷化镓、氮化物、碳化硅等）；
多晶硅；
太阳能电池片；
MEMS；
功率器件；
IC晶圆；
LED晶圆。
保修期: 1年
是否可延长保修期: 是
现场技术咨询: 有
免费培训: 技术人员现场培训
免费仪器保养: 2月1次
保内维修承诺: 软件免费重装，硬件维修
报修承诺: 24小时到达
