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Centrotherm 高温氧化系统-Oxidator 150
德国Centrotherm公司是国际主流的半导体设备供应商,尤其在高温设备领域。Centrotherm Oxidator 150 经过专业的研发, 能够满足 SiC 圆片的高温氧化工艺; 同时亦可用于常规的硅圆片的氧化。Centrotherm Oxidator 150 卓越的反应腔具有性能高、占地小和生产成本低等特点,为客户提供最高的工艺灵活度, 同时能够保证有毒气体的安全使用。
设备特点:
炉管和加热器均处于真空密闭反应腔内,上下料腔室可用Ar或 N2 进行吹扫,可以保证有毒气体(如 NO、N2O、H2、NO2 等) 的安全使用。
氧化工艺使用 N2O 气氛,可以改善 SiO2/SiC 接触表面以获得更高的通道迁移率,同时可提高SiC表面氧化物的稳定性和寿命。
提供带有氢氧合成系统的湿氧工艺。
高达 1350 ℃ 的温度和其他支持功能为 SiC 氧化工艺和低界面陷阱密度, 高通道移动率的氧化层研制提供可能。
高温SiC或Si氧化
氧化后退火(氢气环境)
性能
圆片尺寸: 2″、3″、4″、6″
工艺温度: 900 ℃ ~ 1350 ℃
真空度: 小于10-3 mbar
占地面积小: 1.8m2
保修期: 1年
是否可延长保修期: 是
现场技术咨询: 有
免费培训: 技术人员现场培训
免费仪器保养: 2个月1次
保内维修承诺: 软件免费重装,硬件维修
报修承诺: 24小时到达
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