EVG®810 LT LowTemp™ Plasma Activation System
EVG®810LT LowTemp™等离子激活系统
适用于SOI,MEMS,化合物半导体和先进基板键合的低温等离子体活化系统
技术数据
EVG810 LT LowTemp™等离子活化系统是具有手动操作的单腔独立单元。 处理室允许进行异位处理(晶圆被一一激活并结合在等离子体激活室外部)。
特征
表面等离子体活化,用于低温粘结(熔融/分子和中间层粘结)
晶圆键合机制中最快的动力学
无需湿工艺
低温退火(最高400°C)下的最高粘结强度
适用于SOI,MEMS,化合物半导体和高级基板粘接
高度的材料兼容性(包括CMOS)
EVG810 LT技术数据
晶圆直径(基板尺寸):50-200、100-300毫米
LowTemp™等离子活化室
工艺气体:2种标准工艺气体(N2和O2)
通用质量流量控制器:自校准(高达20.000 sccm)
真空系统:9x10-2 mbar
腔室的打开/关闭:自动化
腔室的加载/卸载:手动(将晶圆/基板放置在加载销上)
可选功能
卡盘适用于不同的晶圆尺寸
无金属离子活化
混合气体的其他工艺气体
带有涡轮泵的高真空系统:9x10-3 mbar基本压力
符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统
Si:Si / Si,Si / Si(热氧化,Si(热氧化)/ Si(热氧化)
TEOS / TEOS(热氧化)
绝缘体锗(GeOI)的Si / Ge
硅/氮化硅
玻璃(无碱浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃
化合物半导体:GaAs,GaP,InP
保修期: 1年
是否可延长保修期: 是
现场技术咨询: 有
免费培训: 技术人员现场培训
免费仪器保养: 2个月1次
保内维修承诺: 软件免费重装,硬件维修
报修承诺: 24小时到达
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