清洗方法: 湿法清洗
产地类别: 进口
设备类型: 单晶圆清洗
晶圆尺寸: 4-12
相关技术: 融合和混合键合系统
尺寸: 2400*4720*2555
适用制程、应用范围: 在Co-D2W结合,多个模具转移到最终的晶片在一个处理步骤。
产能: 150/H
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EVG®850 Automated Production Bonding System for SOI
EVG®850 SOI的自动化生产键合系统
自动化生产键合系统,适用于多种融合/分子晶圆键合应用
技术数据
SOI晶片是微电子行业有望生产出更快,性能更高的微电子设备的有希望的新基础材料。晶圆键合技术是SOI晶圆制造工艺的一项关键技术,可在绝缘基板上实现高质量的单晶硅膜。借助EVG850 SOI生产粘合系统,SOI粘合的所有基本步骤-从清洁和对准到预粘合和红外检查-都结合了起来。因此,EVG850确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高产量生产工艺。 EVG850是唯一在高通量,高产量环境下运行的生产系统,已被确立为SOI晶圆市场的行业标准。
特征
生产系统可在高通量,高产量环境中运行; 自动盒带间或FOUP到FOUP操作
无污染的背面处理; 超音速和/或刷子清洁
机械平整或缺口对齐的预粘合; 先进的远程诊断
技术数据
晶圆直径(基板尺寸):100-200、150-300毫米
全自动盒带到盒带操作
预粘接室
对齐类型:平面到平面或凹口到凹口
对准精度:X和Y:±50 μm,θ:±0.1°
结合力:最高5 N
键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活
真空系统:9x10-2 mbar(标准)和9x10-3 mbar(涡轮泵选件)
清洁站
清洁方式:冲洗(标准),超音速喷嘴,超音速面积传感器,喷嘴,刷子(可选)
腔室:由PP或PFA制成(可选)
清洁介质:去离子水(标准),NH4OH和H2O2(最大)。 2%浓度(可选)
旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成
旋转:最高3000 rpm(5 s)
保修期: 1年
是否可延长保修期: 是
现场技术咨询: 有
免费培训: 技术人员现场培训
免费仪器保养: 2个月1次
保内维修承诺: 软件免费重装,硬件维修
报修承诺: 24小时到达
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