日本Advantest半导体芯片太赫兹光谱TDR解析系统

TS9000 TDR/TDT Option

IC 封装电路版配线故障部位的高分辨率解析

高分辨率TDR/TDT系统实现世界最高的信号品质

非破坏性分析IC封装以及电路版内部配线的故障部位

TS9000 TDR利用既有的太赫兹解析系统中的短脉冲信号处理技術，针对IC封装内部以及电路版内部的配线故障部位进行非破坏性分析的系统。使用探针信号的太赫兹脉冲和之前用电气产生的脉冲相比，脉冲短，带域宽，可得到更高分辨率的不良诊断。日本Advantest半导体芯片太赫兹光谱TDR解析系统

抽取测定好的时间波形的变化，分析故障点(段路，短路，阻抗不匹配等)，把估计的故障点在测定对象的CAD数据上可视化呈现出来、很容易确定故障位置。

测定实例

-微凸、C4凸块的破断、接触不良分析 

-硅穿孔（TSV）的接触不良诊断 

-接头、树脂版内部的配线不良诊断

TDR测定原理

测定故障点产生的反射脉冲的迟延时间，换算成距离，确定故障位置

特性

-高分辨率：5μm以下的测定距離分辨率，确定不良故障位置

-不范围测定：最大300mm的测定距離范围

-故障部位的可視化 ：在被测定物的CAD数据上，确定故障位置(*)

-自動探测机制：对指定版进行自动探测、防止探针尖端破损

-多器件对应：上升时间不同，提供3种探针（6ps(*), 12ps, 25ps(*))

                        上升时间快速探针???最先进器件的高分辨率分析

                         上升时间慢速探针???适合长距离回路分析

※ 根据先进的接触形状、可协商客户的个别需求。

日本Advantest半导体芯片太赫兹光谱TDR解析系统

TDR测定例

由OPEN/SHORT構成的传输线(長4/6/20mm)的TDR测定例

-故障模式是OPEN时，观察正反射脉冲、SHORT时，观察负反射脉冲

-SHORT/OPEN可进行故障分析

-由于太赫兹TDR的探针信号是脉冲、可以容易判断故障点的脉冲峰值

解析?表示机能

 「TS9000 TDR」 标配「TDR/TDT Analyzer」。 除了参考良品和不良样品的波形差分以外、检出波形的変化点、确定接头到故障点的距离。

 「CAD Data Link」option 在CAD配线数据上确定故障位置的功能，用于帮助确认故障点。

参考良品和不良样品的测定数据水平，补正位相的位相变动、只抽出样品波形的特征

日本Advantest半导体芯片太赫兹光谱TDR解析系统

TDR/TDT Analyzer的波形演算功能以及标记功能、检出的峰值显示故障的位置特征

主要规格

项目规格THz-TDR/TDT性能通道数

TDR:1ch，TDT：1ch(option)故障位置检出分辨率<5 μm上升時間<12 ps（推荐） (<6ps，<25ps可选)最大测定距离TDR测定>300 mm@εeff = 3TDT测定

>600 mm@εeff = 3测定时间<5 min/point@TDR 300 mm探针配置面片面

探测方法自动位移台性能位置再现性<10 μm可动范围150mm×150mmTDR/TDT Analyzer搭载TDR CAD DATA LINK可选日本Advantest半导体芯片太赫兹光谱TDR解析系统

电脑(OS:Windows7Pro.64bit)主要规格性能保证范围

温度范围:23±5℃ 相对湿度:80%以下(无冷凝)使用环境

温度范围:+10～+30℃ 相对湿度:80%以下(无冷凝)保存环境

温度范围:-10～+50℃ 相对湿度:80%以下(无冷凝)电源

-分析单元: AC100 V (100-120) / 200V (220-240 ) ±10%, 50/60 Hz, 250 VA

-控制单元: AC100 V (100-120) / 200V (220-240 ) ±10%, 50/60 Hz, 250 VA

外形尺寸/重量

-分析单元: 430(W) × 540(D) × 230(H) mm, 30 kg以下

-?光学单元: 430(W) × 240(D) × 220(H) mm, 14 kg以下

-探针台: 1250(W) × 830(D) × 650(H) mm, 130 kg以下

-控制单元: 450(W) × 580(D) × 200(H) mm, 15 kg以下

-延迟线单元：450(W) × 500(D) × 200(H) mm, 10 kg以下

基本构成，日本Advantest半导体芯片太赫兹光谱TDR解析系统