看了等离子体刻蚀设备的用户又看了
v 可为多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺
v 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆，快速更换到不同尺寸的晶圆工艺
v 电极的适用温度范围宽，-150°C至400°C
v 应用方向：
Ø III-V族材料刻蚀工艺
Ø 固体激光器 InP刻蚀
Ø VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀
Ø 射频器件低损伤 GaN刻蚀
Ø 类金刚石 （DLC） 沉积
Ø 二氧化硅和石英刻蚀
用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺，可处理封装好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圆用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀
产品货期: 60天
整机质保期: 1年
培训服务: 安装调试现场免费培训
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