Plasma Etching Cluster 多腔等离子体刻蚀系统_参数

核心参数

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产品介绍售后服务承诺用户评论问商家

l 方案是适用于最大 8 吋晶圆的多腔等离子体刻蚀工艺系统

l 系统可用于研发和小批量生产

l 系统兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圆和不规则碎片；不同尺寸样片之间的切换、无需反应腔的开腔破真空

l 系统包括：一个六端口的转接腔、带机械手

六个端口分别连接：

（1）一个ICP-RIE 刻蚀腔模块：专用于刻蚀铌酸锂

（2）一个ICP-RIE 刻蚀腔模块：配氟基气体，主要用于刻蚀介质、光刻胶去胶等

（3）一个 RIE 刻蚀腔模块：配氯基气体，主要用于刻蚀金属等

（4）一个 loadlock 预真空室模块：用于单片样品的手动送样

（5）一个真空片盒站模块：用于多片片盒的自动送样

（6）一个端口备用，未来可升级增加 1 个刻蚀或沉积反应腔模块

售后服务承诺

产品货期: 60天

整机质保期: 1年

培训服务: 安装调试现场免费培训

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