产地类别： 进口
衬底尺寸： 6"
工艺温度： <300
前驱体数： 4
重量： 300Kg
尺寸(W x H x D)： 950*1200*700
均匀性： ±2%
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主要应用：
-适用于半导体用薄膜（Al2O3, HfO2, ZrO2, TiO2, ZnO ……）
-CIGS太阳能电池无镉缓冲层沉积
-晶硅太阳能电池表面钝化层沉积
-硅基WVTR(水蒸气透过率)的阻挡层
-Micro-OLED封装层
-柔性衬底用阻挡层
-OLED封装层
-柔性OLED显示器、柔性OLED照明、量子点、钙钛矿LED、柔性太阳能电池等高水分阻隔膜的卷对卷（R2R)ALD工艺：
-可用于 LTPO TFT IGZO薄膜沉积
特点：
1.ALD高k介质,厚度均匀性好，保形步进覆盖。
2.先进的工艺套件和小体积的短周期室
3.实现了ALD机构(行波法)
4.小脚印全集成工艺模块
5.过程控制方便，供气线路长度小。
保修期: 1年
是否可延长保修期: 是
现场技术咨询: 有
免费培训: 1次现场培训
免费仪器保养: 根据需要，可协商
保内维修承诺: 24小时响应
报修承诺: 24小时响应
近年来，非晶态In-Ga-Zn-O(a-IGZO)材料。主要用作背板的通道材料。平板显示器(FPD)的TFT由于其优越性. 具有均匀性好、通断电流大等特点;与其他无定形氧化物相比，具有更高的载流子迁移率.
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