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共 181 台化学气相沉积(CVD)
三温区化学气相沉积设备CY-PECVD50

三温区化学气相沉积设备CY-PECVD50

  • CY-PECVD50
  • 暂无
参考报价 ¥3万 - 5万
SAFTherm 1700度CVD管式炉STGC-60-17

SAFTherm 1700度CVD管式炉STGC-60-17

  • STGC-60-17
  • 暂无
参考报价 ¥5万 - 10万
三温区旋转自动进出料CVDCY-CVD1200-3TH

三温区旋转自动进出料CVDCY-CVD1200-3TH

  • CY-CVD1200-3TH
  • 暂无
参考报价 ¥3万 - 5万
单温区旋转化学气相沉积设备CY-PECVD

单温区旋转化学气相沉积设备CY-PECVD

  • CY-PECVD
  • 暂无
参考报价 ¥3万 - 5万
三特1400度CVD管式炉STGC-100-14

三特1400度CVD管式炉STGC-100-14

参考报价 ¥2.5万 - 5万
Denton(丹顿)PE-CVD

Denton(丹顿)PE-CVD

  • Voyager
  • 暂无
参考报价 ¥30万 - 50万
SAFtherm1700℃CVD管式炉STGC-80-17

SAFtherm1700℃CVD管式炉STGC-80-17

  • STGC-80-17
  • 暂无
参考报价 ¥5.5万
等离子体材料工作站

等离子体材料工作站

  • ZH系列
  • 暂无
参考报价 ¥1 - 40万
贝意克微型PECVD系统

贝意克微型PECVD系统

  • 微型PECVD
  • 暂无
参考报价 面议
贝意克1200℃低真空CVD石墨烯生长系统 BTF-1200C-CVD

贝意克1200℃低真空CVD石墨烯生长系统 BTF-1200C-CVD

  • BTF-1200C-CVD
  • 暂无
参考报价 面议
NPE-4000 (ICPA) 全自动等离子体化学气相沉积系统

NPE-4000 (ICPA) 全自动等离子体化学气相沉积系统

  • NPE-4000 (ICPA)
  • 暂无
参考报价 面议
1200℃滑动式CVD系统

1200℃滑动式CVD系统

  • 1200℃滑动式CVD系统
  • 暂无
参考报价 面议
1200℃双温区CVD系统

1200℃双温区CVD系统

参考报价 面议
1200℃双管滑动式单温区/多温区CVD系统

1200℃双管滑动式单温区/多温区CVD系统

  • 1200℃双管滑动式单温区/多温区CVD系统
  • 暂无
参考报价 面议
微波等离子化学气相沉积系统,VKTR,WBDQC-4

微波等离子化学气相沉积系统,VKTR,WBDQC-4

  • WBDQC-4
  • 暂无
参考报价 面议
德 Iplas 微波等离子化学气相沉积MPCVD

德 Iplas 微波等离子化学气相沉积MPCVD

  • 德国IPLAS微波等离子化学气相沉积系统
  • 暂无
参考报价 ¥498万 - 500万
金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)

金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)

  • KVC-M4000
  • 暂无
参考报价 ¥200万 - 300万
微波等离子化学气相沉积系统

微波等离子化学气相沉积系统

  • CYRANNUS
  • 暂无
参考报价 ¥500万 - 800万
Syskey 离子束刻蚀机 IBE

Syskey 离子束刻蚀机 IBE

  • IBE 离子束刻蚀机
  • 暂无
参考报价 ¥80万
法国Plassys微波等离子体化学气相沉积系统 SSDR 150

法国Plassys微波等离子体化学气相沉积系统 SSDR 150

  • SSDR 150
  • 暂无
参考报价 ¥150万 - 200万
SYSKEY 高真空溅射系统 HV Sputter

SYSKEY 高真空溅射系统 HV Sputter

  • HV Sputter 高真空溅射系统
  • 暂无
参考报价 ¥80万 - 200万
Syskey 等离子增强化学气相沉积 PECVD

Syskey 等离子增强化学气相沉积 PECVD

  • PECVD 等离子增强化学气相沉积
  • 暂无
参考报价 ¥80万 - 200万
SAFtherm1200℃CVD管式炉STGC-60-12

SAFtherm1200℃CVD管式炉STGC-60-12

  • STGC-60-12
  • 暂无
参考报价 ¥4.5万
MPCVD 石墨烯制备系统

MPCVD 石墨烯制备系统

  • MPCVD-Graphene
  • 暂无
参考报价 $2万 - 8万

共 181 条

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分类小贴士

化学气相沉积设备(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)是一种常用的薄膜制备方法,主要用于制备高质量、高稳定性、均匀性好的薄膜。在CVD过程中,将气态前体物质引入反应室,通过热源或光源将气态前体物质分解成反应物,在衬底表面形成薄膜。 CVD 设备通常由反应室、供气系统、加热系统、真空泵、气体流量计等组件构成。反应室通常采用高温陶瓷、石英等材料制造,具有耐高温、耐腐蚀、不易产生二次污染等特点。供气系统可提供多种气体,如源气、载气、惰性气体等,可以调节各种气体的流量和比例,以精确控制反应条件。加热系统通常使用电阻加热片或石墨坩埚等材料,可以提供高温环境,帮助分解气态前体物质。真空泵则用于将反应室内的气体排除,保证反应环境的纯净度。同时,为了保证反应室内的温度、气体流量和压力等参数的准确测量和控制,CVD设备通常还装配有计算机控制系统。 化学气相沉积设备具有简单易操作、生产效率高、薄膜均匀性好等优点,在材料学、电子学、光学等领域得到广泛应用。

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