粉末热沉积ALD是？
用化学气相沉积法（CVD）让粉末反应出Precursor or Gas均匀的沉积多层A单位厚度的薄膜
特点：
- 超小型粉末热原子沉积
- CVD法超薄沉积（Precursor or Gas）
- 利用表面反应进行多层超薄膜沉积
- 腔室加热：max 1200℃
- 结构简单，价格合理
粉末进行原子沉积目的：
粉末的导电性向上/分散性向上/化学反应向上/Barrier Coating
规格：
| 序号 | 规格 / 型号 | HPALD-mini | HPALD-3 | 备注 |
| 1 | 容量（L） | >0.2 | 3 | 可制作更大尺寸 |
| 2 | 加热（Max℃） | 1000/1200 | & | 选择温度 |
| 3 | precursor（通道） | 1~2 | 1~3 | 加热箱（Max 300℃） |
| 4 | 气体（通道） | Max3 | Max4 | MFC&控制器 |
| 5 | 腔室 | 石英或SUS | 石英或SUS | 或inconel |
| 6 | 控制 | 手动或自动 | 手动或自动 | |
| 7 | 真空泵 | Dry/Rotary | Dry/Rotary |
可选规格#2，3，4，5，6，7
- 选项：等离子
- 可根据用户需求定制
测试数据：
- 碳硅金属粉末涂层
- 条件：Silicon powder + Gas（CH4）On 1000℃ x 1 Hr
- 粉末ALD测试前后进行粉体电阻测试
联系方式：
保修期: 1年
是否可延长保修期: 是
现场技术咨询: 有
免费培训: 根据需要
免费仪器保养: 简单易于维护
保内维修承诺: 终身维修
报修承诺: 24小时对应
