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该ALD拥有达到或超过市场上其他品牌的功能，同时易于使用和维护 - 成本远低于当今市场上的价格
腔室温度：室温到325°C±1°C;
前躯体温度从室温到 150 °C ± 2 °C（带加热夹套）
市场上最小的占地面积（2.5 平方英尺），台式 安装和洁净室兼容
简单的系统维护和最低的实用程序和 市场上的前体使用
流线型腔室设计和小腔室体积
快速循环能力（高达 1.2nm/min Al2O3）和高 曝光，提供深度渗透处理
全硬件和软硬件联锁，即使操作安全 在多用户环境中
AT410 ALD 系统提供用于 TEM 和 SEM 样品制备的溅射替代方案
用于电子显微镜的样品通常受益于薄膜的添加。它通常是导电材料，例如Pt，Pd或Au。这些导电层有助于抑制电荷，减少局部光束加热引起的热损伤，并改善二次电子信号。
传统上，这些薄膜是使用PVD技术生长的。随着技术的进步，某些类型的样品不能通过PVD提供，因为需要涂层的特征无法进入现场生长线。
研究人员将受益于ALD生长的导电薄膜，因为已经开发出针对小样品导电金属生长进行了优化的系统（与台式溅射的价格点相同）
AT410 ALD 系统为保形导电薄膜提供了用于 3D 样品制备的解决方案，同时还提供目前使用溅射/蒸发生长的传统 2D 镀膜。AT 410 不仅突破了界限，而且是当前样品制备过程的有效替代品，所有这些都在台式配置中，价格相当。
沉积材料 | 标配沉积材料菜单 | 开发中 | 设备具备沉积能力的材料 |
氧化物 | Al, Si, Ti, Zn, Zr, Hf | V, Y, Ru, In, Sn, Pt | Li, Be, Mg, Ca, Sc, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ga, Sr Nb, Rh, Pd, Sn, Ba, La, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd |
元素 (A) | Ru, Pd, Pt, Ni, Co | Rh, Os, Ir | Fe, Cu, Mo |
氮化物 | Zr, Hf, W | Ti, Ta | Cu, Ga, Nb, Mo, In |
硫化物 | Ca, Ti, Mn, Cu, Zn, Sr, y, Cd, In, Sn, Sb, Ba, La, W | ||
其它化合物 | AZO (AL:ZnO), AxSiyOz ()A=Al, Zr, Hf | YSZ (yttria stabilized sirconia) ITO | Many others |
保修期: 1年
是否可延长保修期: 是
现场技术咨询: 有
免费培训: 1次免费培训
免费仪器保养: 3月1次
保内维修承诺: 免费维修免费更换部件
报修承诺: 2小时响应
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