微波等离子化学气相沉积系统,VKTR,WBDQC-4
微波等离子化学气相沉积系统,VKTR,WBDQC-4

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维克特锐

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WBDQC-4

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中国大陆

  • 银牌
  • 第10年
  • 生产商
  • 营业执照已审核
核心参数

微波材料学工作站--微波等离子化学气相沉积系统

主要用途:

该系统既可用作传统的化学气相沉积设备,又可用作微波能化学气相沉积设备,同时又是微波等离子化学气相沉积设备

主要为应用在半导体, 大范围的绝缘材料,大多数金属材料和金属合金材料,石墨烯、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域

该款具有高电离、高电子温度和电子密度、适用压强范围宽、无内部电极污染等优异性能,微波等离子体在材料表面处理、金刚石薄膜制备、化学气相沉积、刻蚀以及甲烷转化制氢、长余辉发光材料、陶瓷烧结、碳纳米管修饰[3]、纳米粉体合成、处理水污染等领域

 

产品特点:

垂直反应器的设计可使等离子高密度;对称的微波发生器装置,使产生的等离子环境更均匀

谐振腔内没有内部电极,可以避免电极放电所产生的污染,而且,它的运行气压范围比较宽,所产生等离子体密度高、区域大,稳定性高,且不与真空器接触,从而避免了器壁对薄膜的污染

操作便捷:气路连接方式采用了KF快速连接法兰结构,使取放物料过程简化,只需一支卡箍便可完成气路连接,方便操作,取消了复杂的法兰安装过程,减少了安装造成的损坏

多功能:4种加热方式可选可变:微波等离子、纯微波、传统电加热、混合加热;适应包括金属与合金在内非易燃的任何样品的热处理

双温区结构:上部等离子区或加热区下部样品台加热区

独家开发的微波场专用传感器,精准控温

安全:独家采用防止泄漏的联锁保护屏蔽措施安全可靠的微波屏蔽腔体设计,多重防泄漏保护

*标配装有专业微波抑制器

*内置微波泄漏传感器

节能:使用寿命长:磁控管微波加热,避免和解决了传统的加热丝、硅碳棒、硅钼棒等加热元件容易损坏的问题,也避免了因加热元件损坏而造成的时间、实验进度、维修费用等各种损失

采用无级可调、高稳定度长寿命、连续波微波源,确保设备能够连续稳定长时间运行

嵌入式微机一体化温度控制系统实现稳定性控温

无须烘炉过程:炉腔整体自身发热,加热均匀

微波能量即开即有,无热惯性,易于控制温度

配有万向轮调节底脚,方便移动和固定

 

技术参数:

型号/model

WBDQC-4

可加热材料

非易燃易爆的任何材料

微波频率

2.45GHZ±50MHz

加热方式

等离子加热、纯微波加热、传统电加热、混合加热

最大功率/ KW(连续、可调)

4

样品腔长度

标配100mm可根据用户需求订制

加热样品腔(材质)

石英管(微波等离子工作模式)

石英管&刚玉管(其它加热方式)

控温范围/

1100℃石英样品腔直径:Φ45mm、Φ60mm、Φ100 mm 可选;

1500℃刚玉样品腔直径:Φ45mm、Φ60mm 可选;

温度测试元件

微波场专用传感器

温度分辨率/

0.1

样品台最高温度范围

室温-1200℃、更高温度可选配

控温精度/

 

1200℃以下±11200℃以上±2

温度偏差/

温度稳定波动度/

冷却方式

风冷

恒温区长度/mm

标配100mm可根据用户需求订制

升温速率(标配)

0200/min(微波等离子工作模式除外)

任意设定,可编程、分段加热

温度控制方式

10段可设工艺参数,7寸触摸屏操作,带数据存储功能;提供手动、自动、恒温控制模式,曲线实时显示

控制气体

控制气体:H2CH4ArN 2 、其它气体可选

流量控制

标配 2 套质量流量控制器:七星华创(真空保护阀门后置,匹配真空模式);精度:0.8%

最大耐压

1MPa;控制响应时间:10ms

真空系统真空泵

RVP2008;压力范围:10 -3 Torr~760 Torr

最大抽速:8.5m 3 /h

真空计

数显真空计:1atm-10 -1 Pa

标配

质量流量自动控制系统配备控制计算机及控制软件,可以内置实时显示和保存生长参数

气路其他配置

气柜、气路及阀门等

端口

不锈钢 KF50 法兰接口

电源电压(V

220

微波泄漏量/ mW/2

0.4

外型尺寸(长高)/mm

1100×750×1900

 

选配功能:

质量流量控制系统;美国Alicat质量流量&控制器

 

 

 

 

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