加热方式： 其它
应用领域： 半导体
产地类别： 国产
沉积速率： 暂无
沉积薄膜种类： 通用
控制气体： 1-4路
背底真空： 暂无
工作气压： 常压
内部尺寸： 暂无
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装置概述
本装置是CVD反应装置，拥有四个气路，两套独立的气路控制单元，加热炉安装在装置的侧面上下安装，精密的仪表控制加热炉炉温和气体流量，具有可靠性高，操作简便，结构紧凑的特点。该装置可用于化学沉积及与CVD特点相似的材料制备过程。
技术参数
- 气路：1-4（任选）；
- 加热炉：1-2（任选），加热炉温度Max：1000 ℃
- 气体质量流量器：0 - 500 mL/min（任选）；
- 工作压力：常压；
- 温度控制：± 0.5 ℃；
- 计算机控制（任选）。
保修期: 1年
是否可延长保修期: 是
现场技术咨询: 有
免费培训: 1-2次
免费仪器保养: 定期上门回访
保内维修承诺: 非客户人为操作原因的备件故障，提供免费更换服务
报修承诺: 热线7*24小时开通，接到报障 2 小时内给予处理方案
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