¥400万 - 500万
Swisslitho
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NanoFrazor Explore
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欧洲
产地类别： 进口
看了电子束曝光机的用户又看了
3D纳米结构高速直写机
— —纳米光刻与微米光刻兼顾的联合图形化工艺方案
NanoFrazor光刻技术，衍生于IBM Research研发的热扫描探针光刻技术——快速、地控制纳米针的移动及温度，利用热针实现对热敏抗刻蚀剂的快速刻写，从而为纳米制造提供了许多新颖的、特的可能性。
NanoFrazor Explore以高的速度、精度和可靠性运行，在目前所有扫描探针光刻技术中属于速度快、应用广泛的一种。
NanoFrazor Explore配备了先进的硬件和软件，以合适的方式控制可加热的NanoFrazor悬臂梁，以便进行书写和成像，实现基于闭环光刻技术的各种高精度图案化工艺。2019年，Explore增配了激光直写模块，有效加快了特征线宽在微米或亚微米水平的图形的加工速度，成为纳米光刻与微米光刻兼顾的联合图形化工艺方案。由此，在针对同一抗刻蚀层的图案化工艺中，实现了纳米刻写与微米刻写的无缝衔接。从而可以根据不同的图案特征线宽，采用不同精度的刻写技术，兼顾精度与速度。
主要特点：
★ 利用加热针直接刻写图案，分辨率优于15 nm；
★ 利用激光热挥发实现图案化，分辨率优于1 μm；
★ 高速直写 10 mm/s
★ 高速原位AFM轮廓成像；
★ 样品尺寸100×100 mm2；
★ 闭环光刻；
★ 灰度曝光，分辨率及精度达到2 nm；
★ 利用原位AFM实现的对准，从而实现无掩膜套刻及写场拼接；
★ 的隔音及隔振性能；
★ 无需洁净间，亦无特殊的实验室环境要求
闭环光刻
NanoFrazor光刻系统是基于热扫描探针光刻技术，其核心部件是一种可加热的、非常锐的针，利用此针可以直接进行复杂纳米结构的刻写并且同时探测刻写所得结构的形貌。加热的针通过热作用，直接挥发局部的抗刻蚀剂，从而实现对各类高分辨纳米结构的制备。此外，NanoFrazor的光刻技术能够与各类标准的图形转移方案（如lift-off、刻蚀）兼容，从而实现各类材料的图形化制备。
“闭环光刻”技术确保图形化工艺的高度
纳米光刻与微米光刻兼顾的图形化工艺方案
自2019年开始，NanoFrazor Explore增配了激光直写模块，由此在保障纳米分辨率图案刻写精度的同时，大大提升了NanoFrazor Explore对微米分辨率图形的刻写速度。
激光刻写
基于激光的热作用，以亚微米精度，快速、直接地挥发抗刻蚀剂，从而实现大面积的图案化工艺（例如微纳结构的引线或焊点图形制备）。
热探针直写
对于纳米结构或纳米器件关键部分的高精度、高分辨率刻写。
刻写所得结构的测量、观测、对准
由于抗刻蚀剂直接挥发，无须湿法显影操作即可实现抗刻蚀剂的图案化。在图案化过程中，同一根探针能够原位、高速的对图案化抗刻蚀剂进行AFM成像和测试。
微米尺度及纳米尺度的哈佛大学校徽，对PPA刻蚀剂的刻蚀深度为30 nm，图像由NanoFrazor Explore的探针进行AFM成像获得。(Courtesy of Harvard CNS)
3D灰度纳米光刻
★ 可在针扫描的每个位置对图案化工艺的深度进行设定（即每个像素点的灰度值）
★ 闭环光刻技术能够实现很高的灰度刻写精度（经论证，对大于16个灰阶的结构进行图案化工艺，灰度刻写的误差小于1纳米）
用于TEM的电子光学系统的三维相盘，由PPA中的微结构转移至SiN薄膜获得 (Courtesy of EPFL and KIT) |
刻写在PPA中的多全息图的局部（图片由Explore的探针在刻写同时进行AFM成像获得）；小图展示的是转移至Si中的全息图局部的SEM图像 （Courtesy of Sun Yat-Sen University） |
无掩膜套刻与拼接
★ 通过原位AFM功能实现高精度的无掩膜套刻及拼接（经论证，精度优于10 nm）；
★ 埋在抗刻蚀剂PPA下的图案结构（如纳米片、纳米线等）可用作“天然的”对准标记写场的自动关联拼接；
由金的lift-off工艺获得的）反射全息图包含1×108个像素点，每个写场为边长50 μm的正方形，写场间的拼接由AFM相关技术实现
利用无掩膜光刻在单根纳米线上制备金属电：（a）由Explore的AFM成像功能探测到的纳米线轮廓及位置信息（绿线标出）与拟制备的电结构布局图（粉色区域）；（b）lift-off工艺后获得的带有金属电的单根纳米线的SEM图像
高分辨率
★ 锐的针，为了高分辨率的实现（经论证，在PPA抗刻蚀剂中能够实现的半节距优于10纳米）
★ 无须针对临近效应的修正
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由PPA抗刻蚀剂转移至硅基衬底的鳍型结构和沟槽结构(Courtesy of IBM Research and imec) |
其他特性能
★ 低损伤：制备过程中没有引入带电粒子束流，基于敏感材料的微纳器件能够获得更好器件特性
★ 纳米尺度的材料转换：多种材料的直接热诱导修饰（相变、化学反应……）
新型号：NanoFrazor Scholar — 小面积直写
■ 3D纳米直写能力 高直写精度 (XY: 高可达20nm, Z: 3nm) 高速直写 0.5 mm/s ■ 无需显影，实时观察直写效果 形貌感知灵敏度0.1nm 样品无需标记识别，多结构套刻，对准精度 50 nm ■ 无临近效应 高分辨，高密度纳米结构 | ■ 无电子/离子损伤 高性能二维材料器件 ■ 区域热加工和化学反应 多元化纳米结构改性 ■ 小样品台 30mm X 30mm |
应用案例
三维光子分子（3D PHOTONIC MOLECULES）
(Courtesy of IBM Research Zurich, publication in 2018)
单电子器件
Courtesy of IBM Research Zurich, publication in 2018
基于二维原子晶体的器件
(Courtesy of Prof. Elisa Riedo, NYU)
基于准一维纳米材料的纳米器件
(Courtesy of S. Karg & A. Knoll, IBM Research – Zurich)
基于布朗马达的纳米器件，可用于纳米颗粒分类
(Courtesy of IBM Research, Publications in Science and PRL 2018)
国内外客户
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已发表的文献
● Wolf (JVST B 2015) Sub20nm Liftoff and Si Etch and InAs nanowire contacts
● Garcia (Nat Nano 2014) Advanced scanning probe lithography
● Rawlings (IEEE Nano 2014) Nanometer accurate markerless pattern overlay using thermal Scanning Probe Lithography
● Holzner (SPIE EMLC 2013) Thermal Probe Nanolithography
● Cheong (Nanoletters 2013) Thermal Probe Maskless Lithography for 27.5 nm Half-Pitch Si Technology
● Fei Ding (PhysRevB 2013) Vertical microcavities with high Q and strong lateral mode confinement
● Carrol (Langmuir 2013) Fabricating Nanoscale Chemical Gradients with ThermoChemical NanoLithography
● Paul (Nanotechnology 2012) Field stitching in thermal probe lithography by means of surface roughness correlation
● Kim (Advance Mat 2011) Direct Fabrication of Arbitrary-Shaped Ferroelectric Nanostructures on Plastic, Glass, and Silicon Substrates
● Holzner (APL 2011) High density multi-level recording for archival data preservation
● Holzner (Nanoletters 2011) Directed placement of gold nanorods using a removable template
● Paul (Nanotechnology 2011) Rapid turnaround scanning probe nanolithography
● Wang (Adv Funct Mat 2010) Thermochemical Nanolithography of Multifunctional Nanotemplates for Assembling Nano-Objects
● Wei and King (Science 2010)Nanoscale Tunable Reduction of Graphene Oxide for Graphene Electronics
● Pires (Science 2010) Nanoscale 3DPatterning of Molecular Resists by Scanning Probes
● Knoll (Adv Materials 2010) Probe-Based 3-D Nanolithography Using SAD Polymers
● Fenwick (Nat Nano 2009) Thermochemical nanopatterning of organic semiconductors
● Lee (Nanoletters 2009) Maskless Nanoscale Writing of Nanoparticle-Polymer Composites and Nanoparticle Assemblies using Thermal Nanoprobes
● Nelson (APL 2006) Direct deposition of continuous metal nanostructures by thermal dip-pe
半导体 2019-02-22
半导体 2019-02-22
保修期: 1年
是否可延长保修期: 是
现场技术咨询: 有
免费培训: 初次安装培训
免费仪器保养: QD中国工程师会依据使用情况定期回访用户、给予维护建议，保障设备良好运转。
保内维修承诺: 免费维修或更换零件；本地储备货值超过50万美元的备件，迅速响应故障诊断和维修。
报修承诺: QD中国承担中国区本地售后服务工作，专业、迅速解决用户在仪器使用过程中的问题。
小型台式无掩膜光刻机-MicroWriter ML3
型号：MicroWriter ML3 面议
脉冲激光沉积、分子束外延薄膜制备系统（NEW）
型号：无 200万 - 400万
电弧等离子体沉积系统
型号：暂无 面议
台式原子层沉积系统
型号：GEMStar 100万 - 200万NanoFrazor纳米3D结构直写机的问世，源于发明STM和AFM的IBM苏黎世研发中心，是其在纳米加工技术的新研究成果。NanoFrazor纳米3D结构直写机次将纳米尺度下的3D结构直写工艺快速化、稳定化。 NanoFrazor采用直径为5nm的探针，通过静电力控制实现直写3D高精度直写，并通过悬臂一侧的热传感器实现实时的形貌探测。相对于其他制备技术如电子束曝光/光刻技术(EBL), 聚焦离子束刻蚀(FIB)有 3D纳米直写、无临近效应、无需显影，实时观察直写效果、无电子/离子损伤等特点。
NanoFrazor纳米3D结构直写机的问世，源于发明STM和AFM的IBM苏黎世研发中心，是其在纳米加工技术的新研究成果。NanoFrazor纳米3D结构直写机次将纳米尺度下的3D结构直写工艺快速化、稳定化。 NanoFrazor采用直径为5nm的探针，通过静电力控制实现直写3D高精度直写，并通过悬臂一侧的热传感器实现实时的形貌探测。相对于其他制备技术如电子束曝光/光刻技术(EBL), 聚焦离子束刻蚀(FIB)有 3D纳米直写、无临近效应、无需显影，实时观察直写效果、无电子/离子损伤等特点。
NanoFrazor 3D纳米结构高速直写机替代传统纳米光刻及成像方法，具有高分辨的图形化工艺及成像功能（可达到<10nm的分辨率），兼容各类标准未加工制程和何种衬底材料。操作简单，成本低。 该技术自问世以来已经多次刷新了上小3D立体结构的尺寸，创造了上小的马特洪峰模型，小立体地图，小刊物封面等记录。
Swisslitho电子束刻蚀NanoFrazor Explore的工作原理介绍
电子束刻蚀NanoFrazor Explore的使用方法?
SwisslithoNanoFrazor Explore多少钱一台?
电子束刻蚀NanoFrazor Explore可以检测什么？
电子束刻蚀NanoFrazor Explore使用的注意事项？
SwisslithoNanoFrazor Explore的说明书有吗？
Swisslitho电子束刻蚀NanoFrazor Explore的操作规程有吗？
Swisslitho电子束刻蚀NanoFrazor Explore报价含票含运吗？
SwisslithoNanoFrazor Explore有现货吗？
