Onto Innovation公司Element™ 系列半导体FTIR傅里叶变换红外光谱仪

市场上唯一一款将透射和反射技术独特结合的量测工具。该系统是介电层监控的行业标准。

Element系统是晶圆供应商进行高速杂质mapping和外延膜厚度测量的计量工具。它是市场上唯一一款将透射和反射技术独特结合的机台。该系统是介电膜监测的行业标准。

我们与晶圆供应商合作，使用Onto Innovation的基于反射的技术进一步改善晶圆的关键特性，如外延层厚度、外延层电阻率和体电阻率。

Element 系统可以直接监测电介质，为BPSG硼磷硅玻璃、FSG氟化硅玻璃、SiN 中的H等介电层提供了最佳灵敏度。

Element S系统专为特殊市场而设计，特别是快速增长的 SiC功率器件市场中使用的较小的 100mm 至 200mm晶圆尺寸。

Element S系统以Element System的傅里叶变换红外光谱（FTIR）系统的成功为基础，可以精确测量多达五层的外延层厚度和自由载流子浓度，从而能够表征下一代 SiC 功率器件所需的厚外延膜，这些器件需要厚外延层以获得更高的断态电压。

Element S System具有小光斑尺寸，可以进行测量到晶圆的最边缘，以最大限度地提高芯片产量，并在功率器件客户过渡到200mm晶圆时实现更高的生产力。

应用领域：

Epi layer thickness  外延层厚度

Transition zone thickness 过渡区厚度

Epi and substrate resistivity  外延和衬底电阻率

Power device  功率器件

Bulk resistivity  体电阻率

Edge exclusion  无效边缘区域

Interstitial oxygen and substitutional carbon  间隙氧和取代碳含量

BPSG – boron and phosphorus content of BPSG layers   硼磷硅玻璃中硼和磷的含量

FSG – Fluorine content of FSG  氟化硅玻璃中氟的含量

SiN –  Measures hydrogen in silicon nitride films  氮化硅薄膜中的氢含量

HSQ – Hydroxyl and hydrogen content in oxides SOG, FOX  氧化物膜中的羟基和氢含量

SiON – Oxygen, nitrogen and hydrogen in SiON  氮氧硅薄膜中氧、氮、氢的含量

SiCN – Carbon in SiCN  碳氮硅膜中的碳含量

SiOC – Carbon in SiOC  碳氧硅膜中的碳含量

Oxygen dose – Measurement of oxygen implant dose at SIMOX process  氧气的注入量

Oxygen precipitate – Measurement of oxygen precipitates in Si substrates  硅衬底中的氧沉淀