美国四探针电阻率测试仪/方块电阻测试仪

美国4D公司的四探针/方块电阻/电阻率测试设备：280SI （最普及型号）

· 测量尺寸：晶圆尺寸：2-8寸（333系列可测量大至12寸晶圆，1100系列可测量大至2160mmX2400mm平板系列）

方形片：大至156mm X 156mm；

· 测量范围： 0.001欧姆/平方 至 800000欧姆/平方（标准型）；

可往下扩展至：0.0001欧姆/平方，往上扩展至8e9或8e11欧姆/平方。相对应的电阻率，薄膜厚度根据不同材料不同应用而不同，但都是以方块电阻作为基础设备自动计算得出，注意这是选项价格要高不少，建议客户按实际需求选择购买。

· 测量方式： 电脑程序自动测量，或不连电脑单测量主机也可实现测量和数据显示，此时非常适合测试不规整样片单点测量，适合实际研究需要。

· 测量的数据： 方块电阻/电阻率/薄膜厚度，根据具体应用可以设置不同测量程序。

· 测量的点数： 程序编排任意测量点位置及测量点数量，对应不同客户不同测量要求任意编程测量点位置与数量。

· 测量的精确度：<0.1% （标准模阻）；

· 测量重复性：<0.2% （特定片子）；

· 测量速度：>45点/分钟；

· 测量数据处理：根据需要显示2D,3D数值图，或按要求统计并输出Excel格式文件；

· 边缘修正：具有边缘修正功能，即片子边缘3mm以内区域都能测量；

· 探针材料：钨钢与硅片的接触电阻最小，且耐磨。另外每跟针的轴套采用非常耐磨蓝宝石材料，以确保长时间使用后间距的一致性；

· 探针压力可调范围：90-200克之间可调；

· 可供选择的探头类型：根据测试不同工艺要求有A, B,K, M, N等相关型号探头选择，另外还可提供专门为客户定制的应用特殊要求的探针，比如测试薄至30A的薄膜时需要使用MR型探头，这是四探针设备供应商少有能做到的。

· 设备应用：

     IC FAB/FP dispaly/LED：扩散，离子注入等掺杂工艺监控调试，薄膜电阻率或厚度测量等工序，如Intel，IBM，Motorola，TSMC，CSMC,Applied Materials,Sematech,Linear Technology,Tokyo Electronics,Materials Research,RF Monolithics,Linear Technology,Perkin-Elmer Optoelectronics,Candescent Technology,Hewlett-Packard,SHE America/Japan/Europe,Flip Chip,Delco Electronics,Lite-On Power,Goldstar,Korea Electronics,Posco Huls,SGS-Thomson,CarborundumCodeon,TRW Space&Electronics,Dynamic Research,EKC Technology,Hughes Aircraft,International Rectifier,LG Display,Semitech,Winbond,RF Monolithic,Osram...

     材料类研究：杜邦（中国），电力科学院，中科院，山东科学院，清华大学，北京大学，复旦大学，华师大，电子科大，国家标准化所，质检所，光伏科学与技术国家重点实验室,Applied Materials, Materials Research...
     新能源：尚德，晶澳，英利，阿特斯，天合，LDK，海润，腾晖，鑫辉，东磁，向日葵，奥特斯维，尖山，晶科，力诺，韩华，神舟，光为，艾力克，吉阳，东营，中盛，First solar,Solar world...

· 客户群广：国内已经卖出近300台之多，全世界累计各种型号四探针设备近千台。

· 使用成本

4D公司所提供的探针质保次数是25万次，而实际从客户反馈的信息是寿命达到100万次以上，甚至150万次以上。同时4D还为客户提供探头的探针更换服务，大大降低客户的使用成本。 

· 市场占有率高

 国内行业内有几百台的占有率，公司品牌4D已经成为四探针的代名词； 
根据应用不同工艺要求对应的探针类型详细说明：


测量数据电脑图（2D/3D）


各类型四探针设备说明：

根据客户不同使用要求有更多选择
* 使用液体金属汞探针替代传统硬探针的四探针设备，如：M4PP 3093;
* 针对III IV族化合物材料，应用“dynamic AC waveform”克服测量的接触电阻问题，该型号为：680I；
* 根据不同应用要求，可增加的功能有：温度控制/补偿，边缘修正，样品台定制，自动化要求定制，探头自动切换，通讯接口扩展，测量范围扩展等。