德国徕卡 三离子束切割仪 EM TIC 3X

使用离子束制备SEM样品：徕卡EM TIC 3X三离子束研磨仪

如今，离子束蚀刻技术是应用最广泛的电子显微镜样品制备方法。在蚀刻过程中，高能氩离子束轰击样品，并根据其应用领域调整离子束能量和切割角度。 在制备扫描电子显微镜样品时，离子束蚀刻可改善或修改样品表面质量。 首先，离子束刻蚀能够清洁、抛光或增加表面的衬度。经离子束处理的样品表面足以适用于各种灵敏的表面性能测试方法（如EBSD）。 另外，离子束刻蚀也可以通过斜面切割制备样品的横截面。 徕卡EM TIC 3X是一款离子束研磨仪，用于制备扫描电子显微镜样品。可以制备样品的横截面以及大面积表面。 样品的横截面还可以使用低能离子束再次处理。该处理过程既可以清洗横截面，也能增强其衬度。 另外，EM TIC 3X可以通过离子束抛光工艺改进样品的机械抛光表面。样品表面的最大离子束制备直径为 25mm，最大样品直径为38mm。 离子束抛光可以清洗、抛光样品表面，并增强其衬度，可以在一台仪器中完成所有类型的扫描电子显微镜样品制备流程。 该仪器配备了一个模块化的系统，可配置5种适用于不同应用的样品台：标准样品台，冷冻样品台，多样品台，旋转样品台和预抽真空系统，用以转移冷冻样品或易氧化的样品。EM TIC 3X的各样品台之间可以轻松转换。 标准样品台适用于众多不同尺寸、形状和材料的样品。冷冻样品台可制备对热敏感的样品，以防样品热损伤。最后，多样品台无须操作人员干预即可连续制备3个样品，保证高样品制备效率。 旋转样品台可以处理直径达38mm的样品表面。 整个样品制备过程和进展可以通过体视显微镜实时观察。另外，也可以选配内置相机拍摄存储样品照片。 TIC3X是一款将所有组件结合在一个外壳内的台式仪器。该仪器采用独特的三离子束技术。三离子束与挡板挡板边缘相交形成100°的切割扇区。该仪器使用鞍形场离子源，在离子束电压10kV和电流3 mA的条件下，切割速率可达300 μm/小时。 使用三离子束技术无需在离子研磨过程中移动样品。 我们将在下面详细讨论这项技术带来的众多益处。这些优点确保了高水平的制备质量。

徕卡电镜制样产品资料_Leica EM TIC 3X离子研磨仪_样本、参数、价格、应用案例、配置对比等

LEICA EM TIC 3X三离子束研磨仪 您是否需要制备硬的，软的，多孔，热敏感，脆性和/或非均质多相复合型材料，获得高质量样品表面，以适宜于扫描电子显微镜(SEM)分析和原子力显微镜(AFM)检测?LeicaEM TIC3X采用的宽场离子束研磨系统非常适合能谱分析EDS，波谱分析WDS，俄歇分析Auger，背散射电子衍射分析EBSD。离子束研磨技术适用于多种多样材质样品。获得高质量切割截面或抛光平面的解决方案。使用该技术对样品进行处理，样品受到形变或损伤的可能性低，可暴露出样品内部真实的结构信息。 徕卡EM TIC 3X可以灵活选择多种样品台，不仅适用于高通量实验，也适合于特定制样需求实验室。依据您具体需求，每一台徕卡EMTIC 3X都可装配多种可切换样品台，如标准样品台，三样品台，旋转样品台或冷冻样品台，应用于常规样品制备，高通 量样品制备，以及某此高分子聚合物，橡胶或生物材料等温度敏 感样品制备。其与徕卡EM VCT环境传输系统相连接，可以实现将冷冻的生物样品表面受保护地被真空冷冻传输进入镀膜仪或冷冻扫描电镜(Cryo-SEM)中，或者应用于地质或工业材料样品，实现真空传输。

用Leica EM TIC3X三离子束切割仪解剖半导体芯片

用Leica EM TIC3X三离子束切割仪解剖半导体芯片，其方法与步骤，所需器材的详细介绍和指导。