SiC中离子注入检测方案
针对SiC材料以及元件的离子注入,涉及:高温炉、快速退火设备、高能离子注入等设备;与硅晶圆相比,SiC晶圆容易因离子注入而产生结晶缺陷,注入离子时需要将
晶圆SiO2与SiO2中键合检测方案(半导体检测仪)
用于:SiO2与SiO2、Si与Si、玻璃与玻璃、化合物半导体与化合物半导体、金属与金属等各种晶圆键合的工艺;涉及:阳极键合、之间键合、共晶键合等各种形
SiO2与SiO2、化合物半导体与化合物半导体中晶圆键合质量检测方案(超声波探伤仪)
用于检测:SiO2与SiO2、Si与Si、玻璃与玻璃、化合物半导体与化合物半导体、金属与金属等各种晶圆键合的,质量检测方案;以及晶圆键合工艺优化和新建键