上海伯东美国KRI 考夫曼离子源 eH 200

KRI 考夫曼离子源 eH 200,系列离子源结合是圆柱式及线性配置的离子枪 (ion source), 这些配置可以整合至多种真空工艺平台, 包含镀膜机, 传送腔体, 卷绕式镀膜机, 磁控溅射机, 连续式镀膜机, 我们提供一套完整的方案包含离子源 (ion source), 电子中和器, 电源供应器（Compact Power Supply）, 流量控制器 (MFC), 等等

KRI Ion Source eH 系列离子源 应用
eH 系列离子源是应用在标准或新型材料工艺, eH 系列产品科技可以在指定能量, 化学反应, 电流密度及投射轨道来产生及控制离子, 由于提供原子等级的细微加工能力, eH 离子源可以有效地以奈米精度来处理薄膜 (thin films) 及表面, 无论是本身密度的浓缩, 应力控制, 光学传输（photonics）, 纯净度, 阻抗, 平滑介面, 附着力改善等等,

KRI 霍尔离子源主要应用

?离子辅助镀(IBAD)

?In-Situ Substrate Preclean (PC)

?Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)

?Direct Deposition (DD)

?离子刻蚀 (IBE)
.光学镀膜

一般应用如下:
1. 离子辅助镀膜及电子枪蒸镀
2. 线上式磁控溅射及蒸镀设备预清洗
3. 表面处理
4. 表面硬化层镀膜
5. 磁控溅射辅助镀膜
6. 离子刻蚀 (ion etching)
7. 偏压离子束磁控溅射镀膜

KRI Ion Source eH 系列离子源技术参数: