PASCAL 的 PLD MBE 系统的主体是一个UHV激光分子束外延装置。使用准分子激光进行基底加热；脉冲激光做为幅照源。使用两个组合的掩膜和一个扫描式的反射高能电子衍射（RHEED）设备，系统能同时制备很多样品（250个/10mm2）。每个样品都是原子级的控制，可以设置不同的生长条件。在UHV中使用激光辐照的组合的掩模和靶材。
这个组合膜沉积的概念，是由于使用分离的基底、小区域的掩模和每个样品不同的生长参数导致的沉积条件的系统变化。最显著的贡献就是可以快速地筛选生长条件。
应用：
蓝光材料ZnO和GaN
氧化物薄膜
磁性材料薄膜
多元半导体化合物外延
1. A compact UHV body highly contributes to user's easy opeation
2. An ultimate vacuum pressure of 2.7×10-7Pa（2×10-9 Torr）
3. MC-PLD can accommodate 2 motor-driven combinatorial masks.
4. Up to 6 targets are usable
5. Standard equipped 2-stage differentially pumped RHEED component
6. Fully computer control
﹡多变组合的掩膜
﹡蓝光LED,ZnO和GaN
﹡氧化薄膜
﹡磁性材料薄膜
﹡多元半导体化合物外延膜
﹡荣获11项日本专利和多项其他世界专利
