【SAI】小型二次离子质谱仪MiniSIMS

    传统的大型SIMS仪器通常需要高额的购置费用，昂贵的维护成本，并且操作复杂。
    SAI公司在一个紧凑仪器中开发了SIMS技术。仅需一个标准的主电源供操作，它可以置于任何其最应放置的位置。完全的计算机控制使得操作简便并且自动获取数据。
    MiniSIMS是一种经济实用的表面分析方式。这种分析方法比联系SIMS分析实验室更快，更方便，低廉的资金和维护费用以及高样品产出，保证了每个样品的总费用要比使用传统的SIMS仪器减少了90%。并且具有三种分析模式：静态表面分析，元素深度分布及化学显微镜模式。
    MiniSIMS系列的入门级仪器是MiniSIMS alpha。非常适合测定样品的特定元素及分子碎片。按照已知标准进行质量监控，在研究以及工艺优化中的多样品比较分析，该仪器非常高效。预置的分析条件使很多不同的操作者能够获得重复性的数据。通常每个样品的分析时间短至5分钟。
    飞行时间质量分析器的引入使得MiniSIMS的性能跃升到一个新的水平。对未知样品的测定像测量已知组成那样简单，该功能使得MiniSIMS ToF尤其适合研究性应用。在失效分析中，比如污染鉴定，附加的细节能够准确地查明问题的确切原因。

应用范围：
1、薄膜
2、半导体
3、粘性物质
4、电子元件
5、包装材料
6、腐蚀材料
7、润滑材料
8、大学教学
9、催化剂，接触剂
10、表面包覆和处理
11、电极和传感器

MiniSIMS 技术参数
型号	MiniSIMS alpha	MiniSIMS TOF
样品尺寸：	12.5mm或100mm	12.5mm或100mm
真空度：	基压  ＜1×10-6mbar	基压  ＜1×10-6mbar
质谱：	四级杆	飞行时间
离子束：	6keVGa	6keVGa
绝缘样品分析：	辅助电子束	辅助电子束
质量数范围：	300daltons	>1200daltons
质量下限：	3	1（氢）
质量分辨率：	dm=1	m/dm=650
灵敏度Mo/MoO:	>5kcps/nA	>5kcps/nA
横向分辨率：	导体10µm  绝缘体50µm	导体10µm  绝缘体50µm
纵向深度：	对于电导材料可以达到5um	对于电导材料可以达到5um
深度分辨率：	1-30nm，取决于分析深度及入射角	1-30nm，取决于分析深度及入射角
分析模式：	静态、动态、成像SIMS	静态、动态、成像SIMS
样品装载时间：	标准样品 < 3 minutes 大样品< 15 minutes	标准样品 < 3 minutes 大样品< 15 minutes
最大分析区域：	对于导体4.5 mm x 4.5 mm	对于导体4.5 mm x 4.5 mm
一次测量离子种类：	每次只收集质量数为某一数值的离子	同时收集所有二次离子
一次装载样品 数量：	标准1，选件31	标准1，选件31