核心参数
产地类别: 进口
衬底尺寸: 200mm
工艺温度: 200℃
前驱体数: Up to 4
重量: --
尺寸(W x H x D): --
均匀性: --
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半导体制造解决方案
高性能电动汽车等高新技术领域对高效动力转换的需求与日俱增,在这些领域高效动力转换必不可少。SiC 和 GaN 材料的使用降低了能耗。牛津仪器通过原子层沉积(ALD)技术、等离子体辅助蚀刻和沉积技术优化了工艺,提高了器件的能效。
半导体
2019/07/31
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