单晶硅中表面取向应力分析检测方案(扫描电镜)

泰思肯(中国)有限公司上海市闵行区联航路1688弄旭辉国际28号楼1层电话 +86-21-64398570 传真 +86-21-64806110邮箱： market@tescanchina.comTESCAN 中国官网 www.tescan-china.com 应用解决方案 TESCAN 应用技术文档Application documents by TESCAN CHINA 分析测试解决方案 Complete solution for analysis and testing 应用解决方案 无机材料之取向应力分析 应力测试也是无机材料分析的重要方面，目前微区应力分布测试主要手段是 EBSD ，通过测试取向差的分布来间接的反应，但是EBSD分析手段又有一定的局限性。 拉曼光谱也可以间接的反应应力的情况。如果存在压缩应力，特征峰会往高波数方向移动；反之，若存在拉伸应力，特征峰会向低波数方向移动。且应力越大，特征峰的位移越大. RISE 系统的拉曼成像能力非常强大，可以用特征谱线的位移来进行成像。如下图，对做过纳米压痕的单晶硅表面进行 RISE 成像。发现压痕中心区，特征峰往高波数方向移动，周边往低波数方向移动。根据此规律成像后，得到了纳米压痕区域，硅表面的压缩和拉伸应力分布图。 十 1000 7TESCAN LL 10 um Performance In Nanospace 上海市闵行区联航路1688弄旭辉国际28号楼1层 电话 +86-21-64398570 传真 +86-21-64806110 /TTESCAN PERFORMANCE IN NANOSPACE 更多信息请访问 TESCAN官网对www.tescan.com TESCAN 中国官网www.tescanchina.con Performance In Nanospace第页，共页TESCAN CHINA， Ltd. 第页，共页TESCAN CHINA， Ltd.版         RISE系统的拉曼成像能力非常强大，可以用特征谱线的位移来进行成像。如下图，对做过纳米压痕的单晶硅表面进行RISE成像。发现压痕中心区，特征峰往高波数方向移动，周边往低波数方向移动。根据此规律成像后，得到了纳米压痕区域，硅表面的压缩和拉伸应力分布图。