紫外掩膜曝光机

OAI 超过35年的历史按照您的具体规格设计和制造紫外线仪器和曝光系统在世界范围内亨有声誉无论复杂还是简单，OAI都有最聪明的解决方案。OAI 200型光刻机和紫外曝光系统 OAI系统可以处理各种常规和不规则形状的宽范围的基材。 高效光源在各种光谱上提供均匀的紫外线照射。. OAI 200型光刻机和紫外线曝光系统是一种经济高效的高性能工具，采用行业验证的模块化组件进行设计，使OAI成为MEMS，纳米技术和半导体设备行业的领先者。200型是台式机型，需要最小的洁净室空间。它为研发，试验或小批量生产提供了经济的替代方案。利用创新的空气轴承/真空卡盘校平系统，基板被快速和平缓地平整以用于平行光掩模对准和在接触暴露期间在晶片上的均匀接触。该系统具有微米分辨率和对准精度。对准模块具有掩模插入件组和快速更换晶片卡盘，其允许使用各种衬底和掩模，而不需要对机器重新设定。对准模块包含X，Y和θ轴（微米）。200型对准器可以广泛地安装进对准光学仪器，包括背面IR。 IR照明真空吸盘可以被配置用于整个或或部分晶片的对准。 OAI 200型可配置OAI纳米压印模块，使其成为最低成本的NIL工具。 OAI还提供了一个模块，设计用于使用液体光引物进行快速成型或生产微流体器件。 Model 200具有可靠的OAI光源，在近紫外或深紫外线下使用200至2000瓦功率的灯提供准直的紫外光。双传感器，光学反馈回路与恒定强度控制器相关联，以提供在所需强度的±2％内的曝光强度的控制。可以简单快速地改变UV波长。 型号200是一个高度灵活的， 经济的解决方 案，适合任何 入门级掩模对准和紫外线照射应用。 特点:&bull 高效，均匀，曝光系统与强度控制电源&bull 近，中，深紫外线能力可用&bull 亚微米套印和逐层校准&bull 易于互换的掩膜架和掩膜&bull 用户可设置，“基板到掩膜”间的压力&bull 软接触，硬接触，真空接触，接近曝光模式&bull 暴露可用时氮气N2吹扫&bull 超精确的卡盘运动&bull 可变速率电子操纵杆(可选)&bull 红外对准能力(型号200IR)(可选)&bull 顶部侧对齐以及背面对齐选项&bull 系统隔振具有四(4)象限独立调节(可选)&bull 高可靠性和低维护设计与优秀的文件应用MEMSNIL微流体纳米技术II-VI和III-V器件制造多级抗蚀剂处理LCD和FED显示器MCM’S薄膜器件太阳能电池SAW器件 选项提供单或双相机和屏幕（双相机/双屏版本如照片所示）可以安装NIL的Nano Imprint模块可安装微流体模块 OAI 200型台式光刻机和紫外线曝光系统 OAI 200型掩模对准器和UV曝光系统 特征 规格 体积小 基板平台 X, Y TravelZ TravelMicrometerGraduationsRotation ± 10mm 真空吸盘 1,500 microns.001" .0001"or .01mm .001mm± 3.5? 精密对准模块 可互换的面罩架和基板卡盘 掩膜 大小 Up to 14" x 14" 好处 光源 光束尺寸灯功率 Up to 12" square200, 350, 500, 1,000, and2,000 Watt NUV I 需要最小的洁净室空间 500, 1,000 and 2,000 Watt DUV I 对易碎基材材料造成损坏降至最低 快门定时器设施 定时器 0.1 to 99.0 sec. at 0.1second incrementsor 1 to 999 sec. at 1second increments I 精确对准至1微米 I 可轻松容纳各种基材和面罩 电压 110或220 / 400vac（或根据其他国家电源要求） I IR透明晶片的背面掩模对准，精度高达3-5微米 真空 20 - 28” Hg. I 高度准直，均匀的紫外线 空气和氮气 CDA at 60 PSI andN2at 40 PSI 排气 .35“至.5”水 I 快速更改UV光波长 I 曝光控制强度为±2％ 尺寸 高度宽度深度运输重量 37” (200mm), 45” (300mm)31” (200mm) , 60” (300mm)25” (200mm), 70” (300mm)250 Lbs. (200mm), 400lbs (300mm) I 可以配置为NIL的Nano Imprint工具

仪器简介： 光刻机/紫外曝光机 (Mask Aligner) 原产国: 韩国MIDAS公司 型号：MDA-400M, MDA-400LJ，MDA-600S 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，光刻机，紫外曝光机等；MIDAS为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。 感谢南开大学，中科院半导体所,中科院长春应化所，中科院物理所，浙江师范大学使用此设备做课题研究！！ 此型号光刻机是所有进口设备中性能价格比最高的型号，达到欧美品牌的对准精度，CCD显示屏对准更为方便，液晶触摸屏操作，采用Ushio紫外灯或者LED光源，寿命长。整机效果皮实耐用，正常使用3年内不会出问题！！ 技术参数：项目 技术规格 曝光系统光源功率 350W 紫外光源及电源品牌：Ushio，使用寿命保证1000小时 *也可以采用LED光源，使用寿命保证10000小时 *以上两种光源需选择一种分辨率 - 真空接触模式 : 1um ( Thin PR@Si Wafer )- 硬接触模式 : 1um- 软接触模式 : 2um- 20um 渐进模式: 5um 最大光束尺寸*4.25×4.25 inch光束均匀性 *≤ 3% (4inch standard)光束强度 max 30mW/cm2 (365nm Intensity)曝光时间可调整0.1 to 999.9 sec对准系统对准精度0.5um对准间隙手动调节光刻模式真空,硬接触，软接触，渐进模式卡盘水平调节楔形错误补偿Wedge Error Compensation (专利技术)真空卡盘移动范围*X, Y: 10 mm, Theta: ±5°Z向移动范围*10mm接近调整步幅 1um整体对准移动*气动式，前后纵向移动显微镜及显示器 显微镜及显示器 CCD and Monitor*双CCD显微镜，Dual CCD zoom microscope 17寸LCD显示器 ，放大倍数 : 80x ~ 480x 样品尺寸大小2, 3, 4 inch掩模板尺寸4 and 5 inch安装要求真空 Vacuum -200 mbar (*包含进口无油真空泵)压缩空气 CDA 5Kg/cm2氮气 N23Kg/cm2电力 Electricity220V, 15A, 1Phase 1）高分辨光刻，至1um水平；2）可使用各种掩模板，小尺寸~4英寸均可用；再大尺寸，可以定制化服务。3）特殊的基底卡盘可定做；4）高精度对准台及显微镜操纵器；5）用于不同紫外曝光的高强度光学装置；6）用于楔形补偿的空气方位系统；7）所有部件均可接触；8）符合人体工程学操作；9）低成本，高品质；10） *两年保修主要特点：- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 两个CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

简介：真空曝光机：用于对厚度至7mm的锌板和镁板进行曝光试验.两个型号：板尺寸至75 x 85 cm和90 x 110 cm金属卤化物灯该款曝光机用于研究不适用常规标准的曝光试验，用于测试薄膜和板.我们的目的是减少功耗但曝光时间不变，并且提供一个快速安全的真空环境.曝光试验的光源功率为4000W.与市场上Z好的试验箱比较，我们的曝光时间更短.对灯参数的检查使我们得到连续且相等的曝光.光学积分器不足以得到相同曝光.半透明有机玻璃的正面板可在试验过程期间检查仪器，这样会减少90%的灯晕.我们产品的每个型号都会提供多语种液晶显示，显示信息和可能出现的异常.技术参数：技术参数紫外曝光系统1紫外曝光系统2总长1.106 mm.1.301 mm.宽度1.105 mm.1.510 mm.高度1.890 mm.2.110 mm.工作尺寸750 x 850 mm.900 x 1100 mm.灯（W）4000 W4000 W通道3939光学积分器YESYES4个架子YESYES功率4000W, 380V, 12A4000W, 380V, 12A扩散器YESYES光服务YESYES控制灯YESYES液晶屏YESYES

光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，紫外曝光机等；美国公司为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。产地：美国；型号：M-150技术规格：- 掩模尺寸：最大7英寸；- 样品尺寸：最大6英寸；- 卡盘移动：X,Y,Z,Theta轴手动，楔形补偿调平；- 紫外光源：6.25" X 6.25"；- 光源功率：350瓦紫外灯；- 光源均匀性：+/-3%；- 光源365nm波长强度：最大30毫瓦；- 显微镜：双显微镜系统；- 显微镜移动：X,Y,Z轴手动调节；- 显微镜物镜空间：50-150mm；- 标配放大倍率：80X-400X；- 显示器：20" LCD；- 曝光时间：0.1-999秒；- 接触模式：真空接触，硬接触，软接触，接近接触(距离可调)；- 对准精度：1um (Vacuum Contact), 1.5um(Hard Contact), 3um(Soft Contact), 5um(Proximity Mode)；- 电源：220V，单相，15安培；主要特点:- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 双CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，紫外曝光机等；美国公司为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。产地：美国；型号：M-150技术规格：- 掩模尺寸：最大7英寸；- 样品尺寸：最大6英寸；- 卡盘移动：X,Y,Z,Theta轴手动，楔形补偿调平；- 紫外光源：6.25" X 6.25"；- 光源功率：350瓦紫外灯；- 光源均匀性：+/-3%；- 光源365nm波长强度：最大30毫瓦；- 显微镜：双显微镜系统；- 显微镜移动：X,Y,Z轴手动调节；- 显微镜物镜空间：50-150mm；- 标配放大倍率：80X-400X；- 显示器：20" LCD；- 曝光时间：0.1-999秒；- 接触模式：真空接触，硬接触，软接触，接近接触(距离可调)；- 对准精度：1um (Vacuum Contact), 1.5um(Hard Contact), 3um(Soft Contact), 5um(Proximity Mode)；- 电源：220V，单相，15安培；主要特点:- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 双CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

OAI 超过35年的历史按照您的具体规格设计和制造紫外线仪器和曝光系统在世界范围内亨有声誉无论复杂还是简单，OAI都有最聪明的解决方案。Model 800E 型正面和背面半自动掩模曝光系统提供了昂贵的自动化生产掩模对准器中最常见的先进功能和规格。随着这款掩模曝光系统的开发，OAI 通过专为研发和小批量生产而设计的新型掩模曝光系统来应对动态半导体和 MEMS 市场日益增长的挑战。Model 800E 基于 OAI 经过验证的模块化平台构建，是一款增强型、高性能、高分辨率光刻系统，能够以极具吸引力的价格提供一定水平的性能。该对准器系统采用 OAI 的先进光束光学器件，可提供卓越的均匀性。800E 型可使用 OAI 的精密光刻模块进行升级，是实验室或小批量生产中的高度通用工具。800E 型采用 Windows 7 PC 控制平台，具有大量配方存储容量。该系统还配备了操纵杆控制的对准和光学平台，并且可以配置非接触式、3 点楔形效应校正和自动对准功能。这些组合功能通常出现在自动化生产掩模对准系统中，但现在可以在 Model 800E 上以更实惠的价格获得。800E 型的独特之处在于它包含了 OAI 6000 型生产掩模对准器工具中的先进功能。通过利用经过验证的 OAI 模块化掩模对准器平台，我们能够采用更先进的工具中的技术，以更实惠的价格生产强大的系统。标准正面功能：双100万像素分辨率CCD相机最大8英寸的基板，掩膜尺寸9' X 9''Windows PC 控制，带配方储存功能调整和定位的电动操纵杆曝光模式：真空、硬软接触和接近模式自动楔形效应补偿标准背面功能：包含正面所有功能另外2个CCD相机数码变焦电动背面光学对焦

瑞士idonus提出了一种创新的紫外线照明系统，该系统基于大功率LED和高级微透镜阵列的使用。该产品可用于光致抗蚀剂曝光，适用于多种基材。我们完整的UV照明产品线可满足300 mm宽的掩模和晶圆的光刻需求。可以设计定制的解决方案来满足您的特定要求（例如，对掩模对准器进行改造，为将来的产品提供OEM）。LED的好处直到最近，水银弧光灯能够提供适合UV光刻曝光的高强度光的光源。由于LED技术的进步，UV-LED已成为耗能汞灯的极具吸引力的替代品。除了生态和安全方面，与传统的汞灯相比，UV-LED的技术优势众多，并且对光刻具有重要意义。UV-LED的最重要的优点是，它们具有稳定的发射性，使用寿命长。结果，不需要日常校准和维护。此外，通过提高能源效率，LED减少了发热量，从而大大简化了系统冷却。UV-LED技术的好处LED使用寿命长，这意味着不再需要消耗品无需每日校准，即时稳定的照明即时开启，光线仅在曝光期间开启，无需机械快门低功耗有限的加热，这意味着非常低的空气冷却成本没有维护费用紫外线LED曝光系统idonus已经推出了完整的UV-LED曝光产品线。我们的系统将市场上最有效的UV-LED与高级微透镜阵列集成在一起。它们完全组装并在内部进行控制。我们的设计采用全远心光学元件，可在整个曝光区域提供可重复且均匀的照明条件-即高度均匀且稳定的强度，并且发散角很小。这种光学器件可确保整个基板完全均匀地曝光，从而生产出具有笔直侧壁的固化光致抗蚀剂，并具有微米级。应用：光刻曝光纳米压印紫外固化优点：工艺稳定免校准，免维护即时开/关无有害物质，无特殊安全规定

美国 International Light 公司的多功能，轻便的辐射度计、照度计，可检测紫外光， 可见光到红外光的各波段，光参量的测量，对任意光学单位都可直接读数。光刻胶紫外曝光测量IL1740-B/IL1440-B326-401nm(UV-B)

美国 International Light 公司的多功能，轻便的辐射度计、照度计，可检测紫外光， 可见光到红外光的各波段，光参量的测量，对任意光学单位都可直接读数。光刻胶紫外曝光测量IL1740-A/IL1440-A320-475nm(UV-A)

虹科ALE紫外光刻光源/曝光光源ALE/1C UV-LED 曝光系统提供与 1 kW 和 2 kW 汞弧灯的照明功率相匹配的最高输出水平一、主要特色：虹科 ALE/1C 是一种用于多用途工业应用的高强度非相干点光源。 它基于 UV-LED 技术，与传统的高压汞放电灯相比具有多种优势，例如降低功耗和发热、延长使用寿命以及减少整体设置维护。ALE/1C – UV-LED 曝光系统建立在平台概念之上，在其光路中最多可组合三个 UV-LED 发射器。 这些光源通常用于光刻工艺（半导体制造）和工业光固化应用。内置实现最高效率和性能闭环控制输出LED工艺稳定性和TOC优势无汞设计，未来可持续高达50W的宽带曝光（UV-LED 350-450nm） 二、实现最佳OEM集成的分段设计配置：ALE/1C 光源遵循分布式设计方法，通常由一个控制子系统 (CSS) 和一个或多个独立的曝光子系统 (ESS) 组成，非常紧凑，但功能极其强大：我们的 UV-LED 曝光头的这种设计原理实现轻松直接集成到您的设备中。 此曝光子系统发出的光可以与各种可用的光管、光导和其它（定制的）光学器件结合使用。2.1 控制子系统（CSS）有两个版本的 CSS 可用：独立单元和 4U 19″ 机架安装单元。 两个 ALE/1C CSS 版本都具有相同的控制接口、冷却系统连接器和系统状态指示灯。 此外，机架安装版本在前面提供了一个曝光测试钥匙开关，无需外部控制信号即可激活光输出。2.2 曝光子系统（ESS）ALE/1C 光引擎是光管耦合点光源。 该系统具有紧凑的曝光子系统 (ESS)，可以轻松集成到您现有的设备（改装）或新设计中。 这个 UV-LED 光引擎连接到一个单独的控制子系统 (CSS)，提供控制和驱动固态发射器以及所有必需的光学组件所需的所有硬件和软件。三、出光选择与光学元件：我们提供一系列可与 ALE/1C ESS 结合使用的柔性液态光导、光管、匀化器和聚光光学器件。 如果您需要远距离传输高功率辐射、提高均匀性或想要调整输出辐射的准直角，这些组件特别有用。 四、标准光刻配置：365 nm, 405 nm, 435nm我们的标准 ALE/1C 设置将 UV-LED 发射器与汞光谱的 i、h 和 g 线 (365 / 405 / 435 nm) 附近的峰值波长相结合。 无论您是想在不更换滤光片的情况下切换波长、自定义输出光谱的组成，还是想利用非常强烈的宽带曝光，我们的 ALE/1C 都能为您提供 350 至 450 光谱范围内的最高 UV-LED 辐射输出我们的 ALE/1C 的总输出功率高达 40 W 或在冷却回路中添加外部冷却器时高达 50 W。ALE/1C 系统的光谱组成有多种选择。 最多可组合 3 个 LED 模块：近紫外（365、385、405、435 nm）、可见光（470、520、620、660、690 nm）NIR-LED （730、770、810、850、970 nm）五、系统参数与规格：

EZI UV Nanoimprint System PL600EZI 紫外曝光纳米压印系统EZ Imprinting推出了一款台式独立纳米压印系统：PL系列400/600.EZImprinting是一种超高产率（ 99％）纳米压印光刻系统，带有低于10纳米的分辨率和一步自动释放功能。特点：? 全晶圆压印 - PL600适用于6英寸晶圆处理, PL400适用于4英寸晶圆处理? 低于10纳米分辨率，产率高达99％? 一步自动释放功能，可防止分离过程中模具/基材损坏，使压印产量最大化? 支持各种类型的硬模和软模? 可变模具和基材尺寸，灵活方便? 可编程PLC，通过自定义参数进行过程控制，带触摸屏用户界面? 对准功能选项? 多种工艺，适用于各种应用光学器件，显示器，数据存储，生物医学器件，半导体IC，化学合成和先进材料等? 专有的紫外线固化纳米压印抗蚀剂对硬度或厚度没有限制，并且与传统的光刻工艺兼容PL600基材尺寸，6“标准（尺寸较小，形状不规则）印记区： 与晶圆尺寸相同。模板尺寸 6”,4” ,2” and 1”压印压力: 1 psi标准模具/基材自动释放: 包括 - 不需要特殊工具紫外线曝光时间:在95％强度水平下2-3分钟对准功能: x，y，z和theta（精度2um）

Idonus基于高功率LED和高档微透镜阵列的基础上提出了一个 GE MING性的紫外光照系统。这个产品应用于光刻胶曝光工艺，适用多种基材。光照质量保证了高的同质性的临界尺寸和整个面上的侧壁角。实际上，由于使用了一种完全远心的光学，我们的设计提供了完美的稳定光照条件，即整个表面的高同质性的强度和低的发散角。 可以根据用户需求进行产品开发定制，可以极大缩短您的想法变成产品的时间。 LED BENEFITS优点目前随着LED技术的发展，紫外LED表现出了比汞光源更大的优势。● 长寿命LED，测试不需要耗材● 不需要每天校准，即刻稳定光照● 有限的发热，这降低了空气冷却费用● 低功率消耗● 光源仅仅在曝光时开启（不需要快门）● 用户可以根据需求进行照射系统定制。也可以按照用户旧机器的尺寸设计照射系统，以替代旧的机器上的汞灯照射系统。TYPICAL PERFORMANCES 典型参数分辨率 ：0.5 μm光学功率 ：20 to 200 mW/cm2曝光区域 ：50x50 to 300x300 mm2光学辐照不均匀性 ： ±2%ZUI大发散角(FWHM) ：±1.5°to 3°波长 ：365 / 385 / 405 nm光谱半宽幅 ：12 nm设备尺寸 ： 65x30x30 cm3总功率 ：20 to 1200 WEXAMPLE SYSTEM SPECIFICATIONS 系统规格举例可能的曝光系统的不同配置如下表所示，系统可以根据您的需要设计。System Type 系统型号ABCResolution [um] 分辨率211Optical power [mW/cm2] 光学功率42152165Exposition area [mm2] 曝光面积80x80100x100300x300Optical irradiance inhomogeneity [%] 光照幅度不均匀性±2±2±2Max divergence angle [°] (Full Width Half Maximum)最大发散角（半宽幅）±2.5°±1.5°±1.5°Wavelength [nm] 波长405365385Spectrum half width [nm] 光谱半宽幅121212System size [cm] 系统尺寸65x30x3065x30x301100x60x60Power consumption [W] 功耗201801200

OAI 超过35年的历史 按照您的具体规格设计和制造紫外线仪器和曝光系统在世界范围内亨有声誉 无论复杂还是简单，OAI都有最聪明的解决方案。 6000 型建立在经过验证的 OAI 模块化平台上，具有完全自动化的正面和背面对准，具有亚微米印刷功能以及亚微米从上到下的正面对准精度，可提供任何价格都无法比拟的性能。选择顶部或可选的背面对齐，使用 OAI 定制的高级识别模式软件。这些掩模对准器采用 OAI 的先进光束光学器件，均匀性优于 ±3%，在第一掩模模式下每小时可处理 200 片晶圆，从而实现更高的良率。6000 系列可以处理各种晶圆，包括厚的粘合基板（最大 7000 微米）、翘曲晶圆（最大 7 毫米 - 10 毫米）、薄基板（最小 100 微米厚）和厚光刻胶。OAI 的增强型模式识别软件具有 +/- 0.5 微米的顶部对准，可提供可靠的可重复结果。对于背面对准，6000 型掩模对准机具有稳定的光学系统、长距离显微镜和先进的自动对准软件，可提供最可重复的正面到背面对准精度。6000 系列具有卓越的工艺重复性，是所有生产环境的完美解决方案。对于整个光刻工艺，Model 6000 可以与集群工具和 OAI 的自动掩模更换器无缝集成。OAI 的生产掩模对准器是完整的套件，也可配备 UV LED 光源。 标准正面功能： 双100万像素分辨率CCD相机 最大8英寸的基板，掩膜尺寸9' X 9'' Windows PC 控制，带配方储存功能 调整和定位的电动操纵杆 曝光模式：真空、硬软接触和接近模式 自动楔形效应补偿 标准背面功能： 包含正面所有功能 另外2个CCD相机 数码变焦 电动背面光学对焦

类型手动掩模版尺寸最大 5 英寸基板尺寸 碎片到4 英寸圆形均匀的光束尺寸125 毫米圆形紫外光源紫外发光二极管（LED光源）光束波长365 纳米光束均匀性±3 %365 nm 强度最大 25 毫瓦/㎠ 对齐方式手动对准精度1微米进程模式软，硬，真空接触和接近流程解析1 um @ 1 um PR 厚度，带真空触点重量（公斤）150公斤尺寸（毫米）995（宽）* 800（深） * 850（高）

ILT800 CureRight系列是一个功能丰富的紫外照度计，具有无与伦比的灵活性和在其它系统中找不到的功能。ILT800照度计以其很宽的光谱测量范围覆盖了各种各样的光测量需求。这个系统是根据多种客户需要设计的，并且可以根据您独立的应用环境设置和定制。 ILT800 CureRight系列是设计用于测量和验证所有的紫外固化方式和来源，包括：传输，带，烤箱，洪水，区域，斑点，3D打印，脉冲，传统UV灯，UV/VIS LEDs和LED光源。 ILT800胜过竞争对手的地方在于可以分析当前/以前/存储的测量信息，监测的能力，测量、查看并且输出日期、时间、温度、辐照度、剂量、校准日期、型号和序列号、电池状态。用户可编程设置包括最小光级阀值、灯-灯测量间隔（延迟）、时间自动关闭和自动/手动/在线测量模式。ILT800是唯一一款可以允许用户编程高达20个独立系统/来源信息，允许用户存储和输出基准线和历史数据并用于所有的养护站的价格实惠的照度计。光谱/过滤选项ILT800-UVA315 - 390 nmILT800-BAV275 - 475 nmILT800-UV250 - 400 nmILT800-CUV215 - 350 nmILT800-UVF360 - 400 nm Flat, (275 - 450 nm)OEM/Custom Filtration AvailableContact Us设备规格* 范围:4.5 个数量级 (mW/cm2 to 40 W/cm2)读取:mW/cm2, mJ/cm2, W/cm2, J/cm2 , 剖面/图形, 日期, 时间, 温度.传感器:线性, 固态晶体 GaAsp & SiC尺寸:102 X 152 X 12.7 mm (L x W x H)显示屏:19 x 71 mm OLED电源:微型 USB 和可充电电池温度:0 - 75 ℃ (内部温度)输入光: 余弦修正扩散器存储:400,000 个数据点 *规格如有变更，不另行通知

MDA-600S易于操作和安装，PLC操作与PC控制，紧凑的尺寸半自动系统，图像抓取和数据记录，超过100个程序配方类型电脑控制，半自动掩模版尺寸最大 7 英寸基板尺寸碎片到 6 英寸圆形均匀的光束尺寸6.25 * 6.25英寸紫外光源紫外灯，350 W光束波长350 ~ 450 nm光束均匀性±3 %365 nm 强度最大 25 毫瓦/㎠ 对齐方式手动对准精度1微米进程模式软，硬，真空接触和接近流程解析1 um @ 1 um PR 厚度，带真空触点重量（公斤）600公斤尺寸（毫米）1256（宽）* 1151（深） * 1600（高）

产品介绍： LSCE-800接触式曝光机指掩膜板直接与基板的光刻胶层接触，曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当 精确，设备简单。产品特点：分辨率相当精确，更广范围的紫外光波长选择； 支持恒定光强或恒定功率模式，广泛应用于半导体、微电子、 生物器件和纳米科技领域。参数：应用领域：半导体制造；光电电子、平板；射频微波，衍射光学；微机电系统；凹凸或覆晶设备等。

MDA-80MS易于操作和安装，PLC操作与PC控制，紧凑的尺寸半自动系统，图像抓取和数据记录，超过100个程序配方类型电脑控制, 半自动掩模版尺寸最大 9 英寸基板尺寸碎片至 8 英寸均匀的光束尺寸8.25 x 8.25 英寸紫外光源紫外灯，1 kW光束波长350 ~ 450 nm光束均匀性±5 %365 nm 强度最大 20 mW/㎠ 对齐方式手动对准精度1微米进程模式软，硬，真空接触和接近流程解析1 um @ 1 um PR 厚度，带真空触点重量（公斤）750公斤尺寸（毫米）1400（宽）* 1100（深） * 1600（高）

产品类型：1. 紫外光刻胶（Photoresist）各种工艺：喷涂专用胶，化学放大胶，lift-off胶，图形反转胶，高分辨率胶，LIGA用胶等。各种波长: 深紫外(Deep UV)、I线(i-line)、G线(g-line)、长波(longwave)曝光用光刻胶。各种厚度: 光刻胶厚度可从几十纳米到上百微米。 2. 电子束光刻胶（电子束抗蚀剂）（E-beam resist）电子束正胶：PMMA胶，PMMA/MA聚合物， LIGA用胶等。电子束负胶：高分辨率电子束负胶，化学放大胶（高灵敏度电子束胶）等。3. 特殊工艺用胶（Special manufacture/experimental sample）电子束曝光导电层，耐酸碱保护胶，全息光刻用胶，聚酰亚胺胶（耐高温保护胶）等特殊工艺用胶。4. 配套试剂（Process chemicals）显影液、除胶剂、稀释剂、增附剂（粘附剂）、定影液等。 产品特点1. 光刻胶种类齐全，可以满足多种工艺要求的用户。 产品种类包含：各种厚度的紫外光刻胶（正胶或负胶），lift-off工艺用胶，LIGA用胶，图形反转胶，化学放大胶，耐刻蚀保护胶，聚酰亚胺胶，全息曝光用胶，电子束光刻胶（包含PMMA胶、电子束负胶、三维曝光用胶（灰度曝光用胶）、混合曝光用胶等） 2. 光刻胶包装规格灵活多样，适合各种规模的生产、科研需求。 包装规格包含：250毫升、1升、2.5升等常规包装，还提供试验用小包装，如30毫升、100毫升等。 3. 交货时间短。 4. 可以提供高水准的技术咨询服务，具有为客户开发、定制特殊复杂工艺用光刻产品的能力。 5. 储存条件： 密闭储存在容器中并置于避光、干燥阴凉、通风良好之处。 储存在适当的温度下。详情请联系我们的销售人员。 光刻胶理论光刻胶定义 光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。因为光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法，因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。 光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。当紫外光或电子束的照射时，光刻胶材料本身的特性会发生改变，经过显影液显影后，曝光的负性光刻胶或未曝光的正性光刻胶将会留在衬底表面，这样就将设计的微纳结构转移到了光刻胶上，而后续的刻蚀、沉积等工艺，就可进一步将此图案转移到光刻胶下面的衬底上，最后再使用除胶剂将光刻胶除去就可以了。 光刻胶按其形成图形的极性可以分为：正性光刻胶和负性光刻胶。正胶指的是聚合物的长链分子因光照而截断成短链分子；负胶指的是聚合物的短链分子因光照而交链长链分子。 短链分子聚合物可以被显影液溶解掉，因此正胶的曝光部分被去掉，而负胶的曝光部分被保留。 光刻胶一般由4部分组成：树脂型聚合物（resin/polymer），溶剂（solvent），光活性物质（photoactive compound，PAC），添加剂（Additive）。 其中，树脂型聚合物是光刻胶的主体，它使光刻胶具有耐刻蚀性能；溶剂使光刻胶处于液体状态，便于涂覆；光活性物质是控制光刻胶对某一特定波长光/电子束/离子束/X射线等感光，并发生相应的化学反应；添加剂是用以改变光刻胶的某些特性，如控制胶的光吸收率/溶解度等。 光刻胶的主要技术参数1. 灵敏度（Sensitivity） 灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，所需的曝光剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。2．分辨率（resolution） 区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。 光刻胶的分辨率是一个综合指标。影响该指标的因素通常有如下3个方面： （1）曝光系统的分辨率。 （2）光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。 （3）前烘、曝光、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。3. 对比度（Contrast） 对比度指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。 对比度越好，越容易形成侧壁陡直的图形和较高的宽高比。4. 粘滞性/黏度 （Viscosity） 衡量光刻胶流动特性的参数。黏度通常可以使用光刻胶中聚合物的固体含量来控制。同一种光刻胶根据浓度不同可以有不同的黏度，而不同的黏度决定了该胶的不同的涂胶厚度。5. 抗蚀性（Anti-etching） 光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。6. 工艺宽容度（Process latitude） 光刻胶的的前后烘温度、曝光工艺、显影液浓度、显影时间等都会对最后的光刻胶图形产生影响。每一套工艺都有相应的最佳的工艺条件，当实际工艺条件偏离最佳值时要求光刻胶的性能变化尽量小，即有较大的工艺宽容度。 这样的光刻胶对工艺条件的控制就有一定的宽容性。 特殊光刻胶介绍1. 化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist） 化学放大胶中含有一种叫做“光酸酵母”（PAG, Photo Acid Generator）的物质。在光刻胶曝光过程中，PAG分解，首先产生少量的光酸。在曝光后与显影前经过适当温度的烘烤，即后烘（PEB, Post Exposure Baking）这些光酸分子又发连锁反应，产生更多的光酸分子。大量的光酸使光刻胶的曝光部分变成可溶（正胶）或不可溶（负胶）。 主要的化学反应是在后烘过程中发生的，只需要较低的曝光能量来产生初始的光酸，因此化学放大胶通常有很高的灵敏度。 光刻胶推荐： AR-N 4340，AR-N 4400，AR-N 7700等。2. 灰度曝光（Grey Scale Lithography） 灰度曝光可以产生曲面的光刻胶剖面，是制作三维浮雕结构的光学曝光技术之一。灰度曝光的关键在于灰度掩膜板的制作、灰度光刻胶工艺与光刻胶浮雕图形向衬底材料的转移。传统掩膜板只有透光区和不透光区，而灰度掩膜板的透光率则是以灰度等级来表示的。实现灰度掩膜板的方法是改变掩膜的透光点密度。 灰度曝光用胶的特点：光刻胶要有较大的黏度。光刻胶要有比较低的对比度。光刻胶的抗刻蚀比尽量和衬底材料的接近。 光刻胶推荐：AR-N 7720 3. LIGA技术 由厚胶曝光形成深结构的目的是进行电铸，使之转化为金属深结构，因为只有金属结构才是为系统器件所需要的功能结构。这种技术又称为LIGA技术。LIGA是德文Lithographie(LI) Galvanoformung(G) Abformung(A)，即“光刻、电镀、注塑复制”的缩写。 光刻胶推荐：AR-P 6510，AR-N 4400， PMMA等 4. lift-off工艺 溶脱剥离法（lift-off）是微纳加工中应用到的最普遍的图形转移技术之一。其基本原理是由光学或电子束曝光首先形成光刻胶的图形，在薄膜沉积之后将光刻胶用除胶剂等溶解清除，凡是没有被光刻胶覆盖的区域都留下了金属薄膜，实现了由光刻胶图形向金属薄膜图形的转移。 光刻胶推荐: AR-P 5350，AR-P 5400，AR-N 4240，AR-N 4340，AR-N 4400等 5. 电镀法（electroplating） 电镀法是转移较厚的金属结构时使用到的一种转移技术。其过程一般为3个步骤：首先，在衬底材料上制作一层金属导电薄膜作为电镀的起始衬底，然后通过光刻或电子束曝光形成光刻胶或抗蚀剂掩膜； 第二步是将制作有光刻胶图形的基片放在电镀液中与被镀金属电极连接成电流通路，金属电极在电解液作用下释放金属离子并在电场驱动下沉积到基片表面暴露的金属层上； 最后，将光刻胶去除，并腐蚀清除衬底表面其余的金属膜，便得到金属微结构图形。 光刻胶推荐： AR-P 3200, AR-N 4400等

接触式曝光机 LSCE-800产品介绍： LSCE-800接触式曝光机指掩膜板直接与基板的光刻胶层接触，曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当精确，设备简单。接触式曝光机 LSCE-800产品特点：分辨率相当精确，更广范围的紫外光波长选择； 支持恒定光强或恒定功率模式，广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域。接触式曝光机 LSCE-800参数：接触式曝光机 LSCE-800应用领域：半导体制造；光电电子、平板；射频微波，衍射光学；微机电系统；凹凸或覆晶设备等。

主要简介： UTA系列是将DLP投影仪盒金相显微镜相结合的缩小投影型无掩模曝光系统，其价格低于传统系统（用于掩膜光刻的图案投影曝光系统） 可以使用专门为此目的开发的软件来创建想要的图案。主要特点： l 显微镜LED曝光装置概述l 显微镜LED曝光单元UTA系列是不需要掩模的用于光刻的图案投影曝光装置。l 使用金相显微镜盒LED光源DLP投影仪，将具有机微米分辨率的任意图案投影到涂有抗蚀剂的基板上进行曝光。l 图案可以在PC上自由创建。l 因为可以在普通的室内环境中在各种大小盒形状的单晶薄片上形成电极，所以它比电子束光刻便宜且简单，不需要制造昂贵的电极图案掩膜。 主要应用：l 薄膜FET和霍尔效应测量样品的电极形成l 从石墨烯/钼原石中剥离电极形成并评估其特性l 研发应用的图案形成。 技术参数：由于显微镜和DLP的结合，可以用很低的成本来构建系统易于使用的软件可以轻松的创建曝光图案通过物镜放大倍率图案，可以进行大范围的批量曝光可以连接到您自己的显微镜上（选项）分辨率在微米级曝光范围：2.5mm×1.5mm 最小100um×60um可以连接到您自己的显微镜上（选项）分辨率在微米级曝光范围：2.5mm×1.5mm 最小100um×60um

海思科技 吴先生 全自动接近式曝光机、半自动光刻机主要应用：MEMS制造、CMOS图像传感器、存储器、声波器件、微流体芯片、化合物半导体、 晶圆级先进封装、（TSV）等领域。技术参数：1．工作方式：装载机械手将晶圆片从 A 晶圆盒自动装载至预定位工作台，经过定位传感器及自动旋转系统的调节，实现工件的预定位；装载机械手再将完成预定位后的晶圆片装载至对准工作台，经过计算机图像识别及自动对准系统的调节，实现掩模版上图形与晶圆片上的图形的自动对准，也可以不用对位图形完成一次曝光，经过曝光系统的自动曝光后，再由卸载机械手将晶圆片自动放入 B 晶圆盒，直至整个晶圆盒内的晶圆全部完成套刻曝光。2．曝光面积：110×110mm； 支持晶圆4-12寸3．曝光照度不均匀性：≤3%；4．曝光强度：0～≥50mw/cm2可调；5．紫外光束角：≤3°（可选 2?或 1°相对曝光照度会变弱）；6．紫外光中心波长：365nm；7．紫外光源寿命：≥2 万小时；8．分离量：0～≥1090um 可调；9．对准精度：≤1μm；10．曝光方式：硬接触、软接触和接近式曝光；11. 曝光模式：可选择一次曝光或套刻曝光12. 定位传感器及自动旋转系统（含预订位工作台）：旋转角度 Q≥±180°旋转精度 Q≤0.001°；13．图像识别及自动对准系统（含对准工作台）：对准范围 X.Y≥±5mm，升旋转角度 Q≥±3°，显微镜整体横向相对移动≥±70mm。14．掩模版尺寸：5″×5″； 可定制15．晶圆尺寸：4″； 、6、816.A.B 晶圆盒移动：Z≥±100mm；17．装卸载机械手：X≥±100mm，Y≥±100mm,Z≥±20mm；18.晶圆盒晶圆片数量：根据客户晶圆盒晶圆数量定；19．版架台移动：X.Y≥±3mm，Z≥±2mm；20．曝光定时：0～999.9 秒可调；21. 生产节拍：10 秒+曝光时间；22．电源：单相 AC220V 50HZ ，功耗≤1KW；23．洁净空气压力：≥0.4MPa；24．真空度：-0.07MPa～-0.09MPa；25．尺寸：1200*1000*1500mm ；26．重量：约 200kg

45年来，OAI始终是紫外能量测试仪器领域的全球领导者，其仪器用于半导体、微机电系统、晶圆封装和晶圆植球行业中光刻工艺的可靠，精确校准控制。Model 659是一款手持式紫外功率计，配有触摸屏和 USB 接口。通过使用特殊探头（365nm、400nm、420nm 和 436nm），可以测量主要用于步进应用的宽范围波长。 ● 多达400个曝光参数 ● 以太网和USB接口，用于下载记录的测量值 ● 强度范围达7500mW/cm2 ● 强度分辨率：0.01mW/cm2 ● 探头波长：365nm、400nm、420nm、436nmModel 659 型曝光分析仪，与晶圆步进光刻机配合使用，专为Ultratech Stepper等高强度光刻设备而设计（读数高达7500mW/cm2,1000000mJ/cm2'',最长9999秒）。可选择探头光谱响应：365nm、400nm、420nm或436nm. OAI拥有完整的认证校准实验室，以确保仪器的性能，质量，和可靠性。Model 659 可追溯至NIST标准。

仪器简介：该光源符合ASTM(美国材料试验协会)实验室光源标准， “A”级光谱输出。所有产品在出厂前都进行了可溯源于NIST标准的校准. +/- 5%均匀性一年的保修期. 终生免费电话技术服务. 可延长保修期 材料测试单端口光源可以输出UVA或者UVA+UVB光谱。16S用几天时间模拟几年的高强度紫外照射。通过对光斑大小调整以及调整电源可对输出端口的光强进行调整。16S具备“A”级光谱输出，+/- 5%均匀性，2% 输出稳定性，所以它是理想的材料测试研究光源。在 UVB 280 - 320 nm 和 UVA 320 - 400 nm 范围的紫外曝光可引起材料的老化。采用3cm光斑输出，16S可以用七天时间模拟一年的紫外照射，而采用1cm光斑输出，16S可以用24小时模拟一年的紫外照射。 通过输出端口上的可调按钮以及电源可对16S的输出强度进行控制。强度范围500 - 700 J/m2 每分钟，但是强度可以调至 1 J/m2 每分钟。Solar Light 日光模拟器广泛应用于全球的测试实验室，符合最新的 ASTM, COLIPA, JCIA, 和 FDA 光谱辐射标准. 16S精确再现了滤除了可见以及近红外光的太阳紫外光谱，强度为日光的20-30倍。符合最新的ASTM实验室光源标准，包括G151和G155标准。光线中不含热量成分，在完成测试过程中避免了热量对样品的损害。 主要特点：150/300 watt 氙弧灯200 瓦 XPS200 电源 / 400瓦 XPS400电源内置点火器 – 用于氙弧灯点火光源 UV滤光器完备的高性能光学器件（用于准直和均匀性控制）

产品简介当代集成电路的发展进程中，紫外光刻技术起着不可替代的作用。利用紫外光源对紫外敏感的光刻胶进行空间选择性的曝光，进而将设计好电路版图转移到硅片上形成集成电路，这一工艺就是紫外光刻技术。光刻机的分辨率和套刻精度直接决定了所制造的集成电路的集成度，也成为了评价光刻设备品质的关键指标。常规光刻机需要定制光学掩模板，不但价格高，且灵活性差。任何设计上的变动，都需要重新制造掩模板。激光直写设备具备很高的灵活性，且可以达到较高的精度，但由于是逐行扫描，曝光效率较低。近些年，基于空间光调制器（DMD/DLP）的技术在紫外曝光方面获得了长足的进展。TTT-07-UV Litho-ACA无掩模板紫外光刻机最小分辨率可达1 μm（光刻镜头B），高性能无铁芯直线驱动电机保证了极佳的套刻精度和最大6英寸的图形拼接，而基于空间光调制器的光刻技术，使得其在光学掩模板设计上有着得天独厚的优势。高效、灵活、高分辨率和高套刻精度等众多优点，必将使其成为二维材料、电输运测试，光电测试、太赫兹器件和毫米波器件等领域的科研利器。系统结构图 TTT-07-UV Litho-ACA的光刻实例产品亮点1、高精度、真紫外曝光 2、光刻图案设计灵活3、所见即所得的精准套刻4、超大面积拼接5、灰度曝光6、高稳定性，操作便捷系统升级选项1、激光光源2、主动隔振平台3、三维重构观测4、手套箱内集成关键技术指标（TTT-07-UV Litho-ACA）曝光机基础参数曝光光源405nm LED数字掩模板分辨率1920×1080像素光刻参数观测镜头大范围样品观测2.6 mm×1.7 mm光刻镜头A1.5 μm（确保值），0.4 mm×0.4 mm，20 mm2/min（50%占空比）光刻镜头B1 μm（确保值），0.16 mm×0.16 mm，3 mm2/min（50%占空比）显微观测参数照明光源强光LED相机大靶面工业相机，实时图像采集尺寸测量线宽测量套刻参数精准套刻单画幅套刻精度：350nm（指引光）全画幅套刻精度：500nm（全局畸变矫正算法）套刻指引520 nm/620 nm，实时虚拟曝光投影，实现所见即所得运动台参数电动位移台类型：高性能无铁芯直线驱动电机行程：150 mm步进精度：50 nm（直线光栅尺精度）双向重复定位精度：±100 nm自动对焦模组机器视觉智能主动对焦功能支持样品厚度：0-15 mm（运动台行程20 mm）定位精度：50 nm旋转位移台类型：手动行程：细调范围±5°，粗调范围320°电动物镜切换线轨支持三个物镜的快速切换（200 ms）重复定位精度优于300 nm基片参数支持基片尺寸3 mm×3 mm（最小），150 mm×150 mm（最大）其他参数软件全自动光刻控制软件集成深度定制的矢量图转像素图软件设备尺寸设备主体：79 cm（长）×70 cm（宽）×68 cm（高）机柜：60 cm（长）×80 cm（宽）×100 cm（高）设备重量200 kg设备外壳UV防护外壳附属配件含光学平台，电脑，无线键鼠，真空泵环境控制机体内除湿装置安装要求温度20 – 40℃湿度RH 60 %电源220V，50Hz应用示例?微流道芯片?二维材料的电极搭建?微纳结构曝光?太赫兹/毫米波器件制备?电输运测试/光电器件测试?光学掩模板的制作

尽管紫外线只占阳光中的一小部分，但确实造成高分子材料降解的主要因素之一，每年由于材料讲解都会造成亿万美元的损失，因此在实验室中获取到真实可靠的耐老化性能数据是十分有必要的。QUV紫外加速老化试验机采用的是UV灯管，能够真实的模拟阳光中的紫外光谱，真实的模拟材料褪色、光泽消失、粉化、龟裂和脆化等性能改变，用于材料的筛选和工艺的改进。紫外线模拟QUV紫外光老化机采用的是美国原装进口的UV灯管，视乎测试需求的不同，可选用UVA-340灯管、UVA-351灯管、UVB-313灯管、QFS-40灯管 以及冷白荧光灯管。各种灯管的应用及介绍详见《QUV紫外光老化机可使用的灯管?》。比起其他类型的灯管（包括氙弧灯管），荧光紫外灯管更加稳定。 光谱功率分布（SPD）不会随灯管老化而发生变化，Q-lab为其生产的灯管提供5000小时的质保。 这样就能得到更多的可重复的测试结果，同时减少更换灯管，并降低运营成本。温度控制所有的QUV紫外光老化机都能精确控制温度，以提高精度和加速测试进程。尽管温度通常不影响主要的光化学反应，但会影响任意一个后续反应的速度。因此，QUV紫外加速老化试验机的温度控制能力在紫外线曝露测试时是必不可少的。凝功能露水，是造成户外潮湿的主要原因。QUV紫外光老化机通过独特的冷凝功能来模拟户外的潮湿侵蚀。在冷凝循环中，通过加热试验机底部水槽来产生水蒸汽。热的水蒸汽使试验箱在较高温度下保持 100%?的相对湿度。QUV紫外光老化机的冷凝功能具有以下优点与自然潮湿一致；通过升温加速实验过程；利用普通的自来水；冷凝的纯净水-在样品上无水渍或污染产生；维护简单。辐照度控制QUV紫外光老化机采用太阳眼辐照度控制系统(除了QUV/basic外，其他型号都适用)通过调整灯管的输出来监控并精确地维持所设定的辐照强度，从而修正因灯管的批次差异、环境温度变化以及灯管老化等引起的差异。辐照度的不同可能影响材料的老化速度和老化模式，因此辐照度控制是十分重要的。有太阳眼辐照度控制系统的设备可以设定辐照度水平。例如, 对于 UVA-340灯管， 设定 0.73 W/m2@340nm的辐照度和夏天正午时光强相当。该紫外加速老化试验机符合以下标准标准号标准名称AAMA 624《纤维增强热固性型材上的高性能有机涂层的推荐规格、性能要求和测试程序》AATCC TM186《耐候性 紫外线和潮湿曝露测试》ASTM C1257《溶剂释放型密封剂加速老化的标准测试方法》ASTM C1442《用人工老化仪对密封件进行试验的标准实施规范》ASTM C1501《实验室加速老化程序评估建筑结构密封剂色牢度的标准测试方法》ASTM C1519《实验室加速老化对建筑结构密封剂耐候性评估的标准测试方法》ASTM C732《乳胶密封剂人工老化试验效果的标准测试方法》ASTM C734《人工老化后乳胶密封剂的低温弹性的标准测试方法》ASTM C793《弹性接缝密封胶实验室加速老化效果的标准测试方法》ASTM D1148《橡胶老化的标准测试方法-由紫外线UV和热曝露引起的浅色表面的变色》ASTM D1670《沥青材料加速和户外老化失效终点的标准测试方法》ASTM D4101《聚丙烯注塑和挤出材料的标准规范》ASTM D4329《塑料荧光紫外线暴露测试的标准测试方法》ASTM D4587《油漆及相关涂料荧光紫外线曝露测试的标准测试方法》ASTM D4674《曝露在室内办公环境的塑料色牢度加速测试的标准测试方法》ASTM D4799《沥青材料荧光紫外线、喷淋及冷凝法加速老化测试条件和测试程序的标准测试方法》ASTM D5208《光降解塑料荧光紫外线 UV 曝露测试的标准测试方法》ASTM D5894《涂层金属的循环盐雾/紫外线暴露试验交替暴露在盐雾/干燥装置和紫外线/冷凝装置中的标准测试方法》ASTM D6577《工业防护涂料测试标准指南》ASTM D750《使用人工老化设备对橡胶进行老化试验的标准测试方法》ASTM D904《人工光源胶粘剂样品暴露的标准测试方法》ASTM E3006《使用荧光紫外线UV灯装置对光伏组件或微型组件进行紫外线调节的标准实施规程》ASTM F1164《透明塑料受到双轴应力与加速老化暴露评估的标准测试方法》ASTM F1945《曝露在室内荧光灯下喷墨印刷品光稳定性测定的标准测试方法》ASTM G151《使用实验室光源加速测试设备对非金属材料进行曝露的测试方法》ASTM G154《使用荧光紫外线设备对非金属材料进行曝露的测试方法》IEC 61215《地面用晶体硅光伏组件PV－设计鉴定和定型》IEC 61345《光伏组件PV紫外试验》ISO 11507 EN DIN《色漆和清漆 – 涂料的人工老化曝露测试–曝露于荧光紫外线灯管和水》ISO 29664《塑料.包括酸性沉积的人工风化》

产品详情德国Eulitha高分辨紫外光刻机PhableR 100 科研/生产兼用 简介： PhableR 100 紫外光刻机是一套低成本的光学曝光系统，但却能获得高分辨率的周期性结构。同传统的紫外曝光机类似，涂覆了光刻胶的晶片以接近方式放置在掩膜版下面，被紫外光束照射。由于Eulitha公司拥有突破性的PHABLE 曝光技术，在"PHABLE"模式下，分辨率不再受到衍射的限制，从而曝光出亚微米的线性光栅和二维光栅（六角形和正方形），且曝光结果非常均匀，质量很 好；在"mask aligner"模式下，能非常轻松地获得微米尺寸的图形。 特点： 高效的大面积亚微米-纳米图形化设备 操作简单、工作稳定，兼容科研及批量生产 纳米周期性图案解决方案 优势： 大面积图形化设备：适用4、6、8寸衬底 高曝光效率：非步进式曝光，无拼接，单次全场曝光实现整片图形化 高精度：光学衍射自成像原理，突破传统曝光精度极限 非接触式曝光 设备没有景深限制，曝光过程无需对焦 双工作模式（UV375机型）：高分辨模式（周期性纳米-微米结构），一般紫外光刻模式（非周期结构） 设备采用通用的商业光刻胶，根据客户的图形，提供工艺技术支持。 技术指标： 光源 UV375nm DUV266nm DUV193nm分辨率 125nm 75nm 62nm周期范围 250-3000nm 150-2500nm 125-2000nm操作方式 手动装片-自动曝光 参数设置 触摸屏基片尺寸 最大4、6、8英寸（尺寸向下兼容） PhableR 100 晶圆级光子学结构的曝光工具 应用： 图形化蓝宝石衬底（PSS） DFB布拉格光栅 减反层图形 显示滤光片Color Filter 线栅偏振Wire Grid Polarizer（WGP） 光子晶体 磁性纳米结构 太阳能光伏 生物传感器 AR、VR技术

USB2000+紫外光谱仪USB2000+定制光谱仪是一款应用广泛的、适于测量光谱吸收、透射、反射、原子发射、颜色及其他应用的“紫外光/可见光/近红外光”光谱仪。 这款备受欢迎的光谱仪可以作个性化配置，灵活性极强。 您可以从多种多样的光谱仪配件和采样附件中进行选择，打造自己的光谱测量系统。 USB2000+光谱仪所占空间很小，能够完成多种形式的测量。 随着光谱仪的日益小巧、快速和强大，昔日在实验室外不敢想象的应用如今也变得实际可行。 USB光谱仪通过自由空间光系统或通过光纤和光源及 采样附件相连接 ，对液体、 固体及其他样品进行测量。 依靠光导纤维，我们可以将光谱仪直接安装到用于检测质量特性的工艺管线中，被运送到野外进行农作物生长评估或是被放置于地表水中进行环境参数监测。 针对各种紫外光谱测量应用，我们推出了这款紫外波段的USB2000+，光谱范围覆盖200-520nm，分辨率高达0.5nm，非常适合紫外气体，水质监测，UV光源监测等应用。测量氘灯卤钨灯光源的图谱。 SpectraSuite软件界面。同时我们也提供紫外抗曝光的光纤，可以在紫外线长期照射下，保持透过率的稳定。在214nm波长，监测连续紫外照射后的透射率变化曲线。 SR光纤和普通UV光纤的对比。 产品详情：1）模块 -- 覆盖200-520纳米范围，并可与光源、比色皿及其他附件相连接2）方便 -- 非常适于嵌入到OEM设备中3）便携 -- 可以在野外使用4）兼容 -- 触发功能可以使光谱仪与其他设备同步 规格：工程规格USB2000+物理参数尺寸：89.1 毫米 x 63.3 毫米 x 34.4 毫米重量：190 g探测器探测器：Sony ILX511B（2048像元硅基CCD线阵）光谱测量范围：200-520纳米像素：2048像素像素尺寸：14 微米 x 200 微米像素阱深：约62,500个电子分光部分光学分辨率：~0.5 nm FWHM信噪比： 250:1（全信号）A/D 转换：16 bit暗噪声：50 RMS counts动态范围：8.5 x 10^7（系统）；1300:1（单次采集）积分时间：1毫秒 – 65秒杂散光：435纳米时小于0.10%线性校准99%ELECTRONICS耗电量：30毫安，5伏直流输入/输出板载数字用户可编程的GPIO触发模式：4种模式频闪功能：有门延迟特性：有连接：USB线

URE-2000/A8 紫外单面光刻机 1、设备主要技术指标：(1) 曝光面积： 200mm×200mm；（2）分辨力：≤ 2μm；（3）对准精度：±2μm；（4）掩模尺寸：5 英寸、7 英寸、9 英寸；（5）样片尺寸：4 英寸、6 英寸、8 英寸；（6）wafer chuck 表面：防止光反射涂层；（7）掩模样片整体运动范围：X：10mm Y:10mm；（8）掩模相对于样片运动行程：X: ±5mm Y: ±5mm Thelta: ±6°；（9）汞灯功率：1000W（直流）；（10）曝光能量密度：≥ 15mW/cm 2 ；（11）曝光峰值波长:365nm；（12）曝光方式：定时（计时方式 0.1s—999.9s）；（13）调平接触压力通过传感器保证重复（14）数字设定对准间隙和曝光间隙（15）具备压印模块接口，也具备接近模块接口 2．技术主要组成部分（1）曝光头系统包括:。 冷光椭球镜；。德国 OSRAM1000W 直流高压汞灯；。XYZ 汞灯调节台；。 光学系统（冷光紫外平面反射镜、快门、蝇眼透镜组、冷光紫外抛物面反射镜）；。 冷却风扇。 （2）对准工件台系统包括:。掩模样片相对运动台；。（XY），转动台；。 样片调平机构；。 样片调焦机构；。 承片台 3 个： 4 英寸、6 英寸、8 英寸；。 掩模夹 3 个：5 英寸、7 英寸、9 英寸。 （3）CCD 对准显微镜系统包括:。4 倍显微镜 2 只；。照明光源 2 套；。 CCD 相机 2 只；。22 英寸液晶显示器。 （5）电控系统：。 汞灯触发电源(1000W)；。 单片机控制系统；。 控制柜桌。 （6）气动系统系统包括:。气缸、电磁阀、减压阀、气动开关，电磁阀驱动，气动仪表等 （7）其他配置与附件。真空泵一台；。空压机一台；。 配套气管 10m；

URE-2000/A12 紫外单面光刻机 1、设备主要技术指标：(1) 曝光面积： 300mm×300mm；（2）分辨力：±2μm；（3）对准精度：±2μm；（4）掩模尺寸： 7 英寸、9 英寸、13 英寸；（5）样片尺寸： 6 英寸、8 英寸、12 英寸；（6）wafer chuck 表面：防止光反射涂层；（7）掩模样片整体运动范围：X：10mm Y:10mm；（8）掩模相对于样片运动行程：X:±5mm Y: ±5mm Thelta: ±6°；（9）汞灯功率：1000W（直流）；（10）曝光能量密度：≥ 10mW/cm 2 ；（11）曝光峰值波长:365nm；（12）光源平行度：＜2°；（13）曝光方式：定时（计时方式 0.1s—9999.9s）；（14）光刻版夹具兼容性 2．技术主要组成部分（1）曝光头系统包括:。冷光椭球镜；。 德国 OSRAM1000W 直流高压汞灯；。 XYZ 汞灯调节台；。 光学系统（冷光紫外平面反射镜、快门、蝇眼透镜组、冷光紫外抛物面反射镜）；。 冷却风扇。 （2）对准工件台系统包括:。 掩模样片相对运动台；。（XY），转动台；。 样片调平机构；。 样片调焦机构；。承片台 3 个： 6 英寸、8 英寸、12 英寸；。 掩模夹 3 个： 7 英寸、9 英寸、13 英寸。 （3）CCD 对准显微镜系统包括:。4 倍显微镜 2 只；。照明光源 2 套；。 CCD 相机 2 只；。22 英寸液晶显示器。 （5）电控系统：。 汞灯触发电源(1000W)；。 单片机控制系统；。控制柜桌。 （6）气动系统系统包括:。 气缸、电磁阀、减压阀、气动开关，电磁阀驱动，气动仪表等 （7）其他配置与附件。真空泵一台；。空压机一台；。配套气管 10m；