海思科技 吴先生
全自动接近式曝光机、半自动光刻机
主要应用：MEMS制造、CMOS图像传感器、存储器、声波器件、微流体芯片、化合物半导体、 晶圆级先进封装、（TSV）等领域。技术参数：1．工作方式：装载机械手将晶圆片从 A 晶圆盒自动装载至预定位工作台，经过
定位传感器及自动旋转系统的调节，实现工件的预定位；装载机械手再将完成预定
位后的晶圆片装载至对准工作台，经过计算机图像识别及自动对准系统的调节，实
现掩模版上图形与晶圆片上的图形的自动对准，也可以不用对位图形完成一次曝光，
经过曝光系统的自动曝光后，再由卸载机械手将晶圆片自动放入 B 晶圆盒，直至整
个晶圆盒内的晶圆全部完成套刻曝光。
2．曝光面积：110×110mm； 支持晶圆4-12寸
3．曝光照度不均匀性：≤3%；
4．曝光强度：0～≥50mw/cm2可调；
5．紫外光束角：≤3°（可选 2?或 1°相对曝光照度会变弱）；
6．紫外光中心波长：365nm；
7．紫外光源寿命：≥2 万小时；
8．分离量：0～≥1090um 可调；
9．对准精度：≤1μm；
10．曝光方式：硬接触、软接触和接近式曝光；
11. 曝光模式：可选择一次曝光或套刻曝光
12. 定位传感器及自动旋转系统（含预订位工作台）：旋转角度 Q≥±180°旋
转精度 Q≤0.001°；
13．图像识别及自动对准系统（含对准工作台）：对准范围 X.Y≥±5mm，升旋
转角度 Q≥±3°，显微镜整体横向相对移动≥±70mm。
14．掩模版尺寸：5″×5″； 可定制
15．晶圆尺寸：4″； 、6、8
16.A.B 晶圆盒移动：Z≥±100mm；
17．装卸载机械手：X≥±100mm，Y≥±100mm,Z≥±20mm；
18.晶圆盒晶圆片数量：根据客户晶圆盒晶圆数量定；
19．版架台移动：X.Y≥±3mm，Z≥±2mm；
20．曝光定时：0～999.9 秒可调；
21. 生产节拍：10 秒+曝光时间；
22．电源：单相 AC220V 50HZ ，功耗≤1KW；
23．洁净空气压力：≥0.4MPa；
24．真空度：-0.07MPa～-0.09MPa；25．尺寸：1200*1000*1500mm ；
26．重量：约 200kg
