紫外掩膜曝光机

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紫外掩膜曝光机相关的厂商

  • 哈希公司（HACH） 钻石16年
    400-668-7609
    哈希公司（HACH）成立于1947年，总部位于美国科罗拉多州的Loveland市，是水质分析解决方案的提供商。工厂分别位于美国、德国、瑞士、法国和英国，并也在中国建立了生产基地。 作为水质、水文监测仪器的水质仪器供应商，哈希公司产品被用户广泛应用于半导体超纯水、制药/电力及其他工业净水、饮用水、地下水、地表水、市政污水、工业污水等领域，其全线产品系列涵盖实验室定性/定量分析、现场分析、流动分析测试、在线分析测试。产品具有测量精确、运行可靠、操作简单、低维护量，结构紧凑等特点。哈希公司一直致力于使化学分析过程更方便、更迅捷、更可靠。尤其是各类包装的即开即用型化学试剂包，不仅为精确的化学分析提供了可靠的质量保障，也为用户节约了宝贵的时间和人力资源。 为了更贴近中国市场，更好的满足中国用户的需求，也为了帮助越来越多的国内用户解决他们在水质监测领域所遇到的问题，哈希公司已经开始了产品本地化的工作，在保证产品质量的同时减少了众多复杂的工作环节，从而使更多的客户可以使用到哈希公司的高质量产品。哈希公司非常注重中国用户的需求，目前专为中国市场量身定做的CODmax铬法COD分析仪、1900C便携式浊度仪和DR1010 COD测定仪等产品以其产品技术与高质量受到了广大用户的青睐。本地化的生产越来越方便客户，使得产品的交货期缩短并可以享受到便捷及时的售后服务支持。 我们的目标是继续为广大用户提供可靠的仪器、测试方法、简单的操作步骤和更好的客户服务，不断地提高产品的质量以满足客户需求不断变化的需要。目前公司已经在北京、上海、广州和重庆等地设立了办事处，以便为中国的广大客户提供方便、周到、及时的服务。
    主营产品：
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  • 355nm紫外激光_皮秒/飞秒激光器_武汉华日激光
    华日激光坚持以市场需求引领新产品的研发，为客户提供纳秒、皮秒、飞秒等多种脉冲宽度，红外、绿光、紫外、深紫外等多种波长的激光器产品，所有产品均具备自主产权，同时产品通过欧盟CE质量安全认证，完全满足严苛条件下的工业加工要求，是超精细加工领域的理想光源。同时通过与全球高端激光设备制造商在电子电路、硬脆材料、半导体、新能源、生命科学等领域开展紧密合作，为用户提供全面的激光技术解决方案。
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  • 欧菲尔紫外盛像仪器仪表（上海）有限公司
    以色列Ofil紫外成像仪是光学和数字紫外线检测和成像技术的世JIE领XIAN制造商。成立于1993年，总部在以色利。Ofil紫外成像仪开发和销售创新解决方案，这些解决方案正在全球范围内用于监测电气装置和环境危害。我们的数字检测系统对于电气故障的诊断、预防和预测是不可或缺的。我们的紫外线偏振系统有助于绘制海上溢油扩散图并控制其清洁效果。Ofil紫外成像仪利用其紫外线光学专有技术，不断开发紫外线增强成像解决方案，以应对全球电网不断变化的需求。多年来，Ofil以其创新、高质量和快速响应的方法赢得了全球的认可。DayCor?系列产品提供以下解决方案：电力设施的维修操作电动列车的预测性维修操作以色列Ofil紫外成像仪介绍石油化工电网部件制造商高压实验室和研究所用于国土安全的紫外线信号检测环境组织的漏油监测
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  • 紫外掩膜曝光机 400-860-5168转3855
    OAI 超过35年的历史按照您的具体规格设计和制造紫外线仪器和曝光系统在世界范围内亨有声誉无论复杂还是简单，OAI都有最聪明的解决方案。OAI 200型光刻机和紫外曝光系统 OAI系统可以处理各种常规和不规则形状的宽范围的基材。 高效光源在各种光谱上提供均匀的紫外线照射。. OAI 200型光刻机和紫外线曝光系统是一种经济高效的高性能工具，采用行业验证的模块化组件进行设计，使OAI成为MEMS，纳米技术和半导体设备行业的领先者。200型是台式机型，需要最小的洁净室空间。它为研发，试验或小批量生产提供了经济的替代方案。利用创新的空气轴承/真空卡盘校平系统，基板被快速和平缓地平整以用于平行光掩模对准和在接触暴露期间在晶片上的均匀接触。该系统具有微米分辨率和对准精度。对准模块具有掩模插入件组和快速更换晶片卡盘，其允许使用各种衬底和掩模，而不需要对机器重新设定。对准模块包含X，Y和θ轴（微米）。200型对准器可以广泛地安装进对准光学仪器，包括背面IR。 IR照明真空吸盘可以被配置用于整个或或部分晶片的对准。 OAI 200型可配置OAI纳米压印模块，使其成为最低成本的NIL工具。 OAI还提供了一个模块，设计用于使用液体光引物进行快速成型或生产微流体器件。 Model 200具有可靠的OAI光源，在近紫外或深紫外线下使用200至2000瓦功率的灯提供准直的紫外光。双传感器，光学反馈回路与恒定强度控制器相关联，以提供在所需强度的±2％内的曝光强度的控制。可以简单快速地改变UV波长。 型号200是一个高度灵活的， 经济的解决方 案，适合任何 入门级掩模对准和紫外线照射应用。 特点:&bull 高效，均匀，曝光系统与强度控制电源&bull 近，中，深紫外线能力可用&bull 亚微米套印和逐层校准&bull 易于互换的掩膜架和掩膜&bull 用户可设置，“基板到掩膜”间的压力&bull 软接触，硬接触，真空接触，接近曝光模式&bull 暴露可用时氮气N2吹扫&bull 超精确的卡盘运动&bull 可变速率电子操纵杆(可选)&bull 红外对准能力(型号200IR)(可选)&bull 顶部侧对齐以及背面对齐选项&bull 系统隔振具有四(4)象限独立调节(可选)&bull 高可靠性和低维护设计与优秀的文件应用MEMSNIL微流体纳米技术II-VI和III-V器件制造多级抗蚀剂处理LCD和FED显示器MCM’S薄膜器件太阳能电池SAW器件 选项提供单或双相机和屏幕（双相机/双屏版本如照片所示）可以安装NIL的Nano Imprint模块可安装微流体模块 OAI 200型台式光刻机和紫外线曝光系统 OAI 200型掩模对准器和UV曝光系统 特征 规格 体积小 基板平台 X, Y TravelZ TravelMicrometerGraduationsRotation ± 10mm 真空吸盘 1,500 microns.001" .0001"or .01mm .001mm± 3.5? 精密对准模块 可互换的面罩架和基板卡盘 掩膜 大小 Up to 14" x 14" 好处 光源 光束尺寸灯功率 Up to 12" square200, 350, 500, 1,000, and2,000 Watt NUV I 需要最小的洁净室空间 500, 1,000 and 2,000 Watt DUV I 对易碎基材材料造成损坏降至最低 快门定时器设施 定时器 0.1 to 99.0 sec. at 0.1second incrementsor 1 to 999 sec. at 1second increments I 精确对准至1微米 I 可轻松容纳各种基材和面罩 电压 110或220 / 400vac（或根据其他国家电源要求） I IR透明晶片的背面掩模对准，精度高达3-5微米 真空 20 - 28” Hg. I 高度准直，均匀的紫外线 空气和氮气 CDA at 60 PSI andN2at 40 PSI 排气 .35“至.5”水 I 快速更改UV光波长 I 曝光控制强度为±2％ 尺寸 高度宽度深度运输重量 37” (200mm), 45” (300mm)31” (200mm) , 60” (300mm)25” (200mm), 70” (300mm)250 Lbs. (200mm), 400lbs (300mm) I 可以配置为NIL的Nano Imprint工具
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    厂商： 德国韦氏纳米系统有限公司
    品牌： OAI
    型号： Model 200系列
    价格： 面议
  • 光刻机/紫外曝光机 400-860-5168转3281
    仪器简介： 光刻机/紫外曝光机 (Mask Aligner) 原产国: 韩国MIDAS公司 型号：MDA-400M, MDA-400LJ，MDA-600S 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，光刻机，紫外曝光机等；MIDAS为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。 感谢南开大学，中科院半导体所,中科院长春应化所，中科院物理所，浙江师范大学使用此设备做课题研究！！ 此型号光刻机是所有进口设备中性能价格比最高的型号，达到欧美品牌的对准精度，CCD显示屏对准更为方便，液晶触摸屏操作，采用Ushio紫外灯或者LED光源，寿命长。整机效果皮实耐用，正常使用3年内不会出问题！！ 技术参数：项目 技术规格 曝光系统光源功率 350W 紫外光源及电源品牌：Ushio，使用寿命保证1000小时 *也可以采用LED光源，使用寿命保证10000小时 *以上两种光源需选择一种分辨率 - 真空接触模式 : 1um ( Thin PR@Si Wafer )- 硬接触模式 : 1um- 软接触模式 : 2um- 20um 渐进模式: 5um 最大光束尺寸*4.25×4.25 inch光束均匀性 *≤ 3% (4inch standard)光束强度 max 30mW/cm2 (365nm Intensity)曝光时间可调整0.1 to 999.9 sec对准系统对准精度0.5um对准间隙手动调节光刻模式真空,硬接触，软接触，渐进模式卡盘水平调节楔形错误补偿Wedge Error Compensation (专利技术)真空卡盘移动范围*X, Y: 10 mm, Theta: ±5°Z向移动范围*10mm接近调整步幅 1um整体对准移动*气动式，前后纵向移动显微镜及显示器 显微镜及显示器 CCD and Monitor*双CCD显微镜，Dual CCD zoom microscope 17寸LCD显示器 ，放大倍数 : 80x ~ 480x 样品尺寸大小2, 3, 4 inch掩模板尺寸4 and 5 inch安装要求真空 Vacuum -200 mbar (*包含进口无油真空泵)压缩空气 CDA 5Kg/cm2氮气 N23Kg/cm2电力 Electricity220V, 15A, 1Phase 1）高分辨光刻，至1um水平；2）可使用各种掩模板，小尺寸~4英寸均可用；再大尺寸，可以定制化服务。3）特殊的基底卡盘可定做；4）高精度对准台及显微镜操纵器；5）用于不同紫外曝光的高强度光学装置；6）用于楔形补偿的空气方位系统；7）所有部件均可接触；8）符合人体工程学操作；9）低成本，高品质；10） *两年保修主要特点：- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 两个CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；
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    厂商： 科睿设备有限公司
    品牌： Midas
    型号： MDA-400M
    价格： 面议
  • 意大利Cofomegra紫外曝光机 400-860-5168转2728
    简介：真空曝光机：用于对厚度至7mm的锌板和镁板进行曝光试验.两个型号：板尺寸至75 x 85 cm和90 x 110 cm金属卤化物灯该款曝光机用于研究不适用常规标准的曝光试验，用于测试薄膜和板.我们的目的是减少功耗但曝光时间不变，并且提供一个快速安全的真空环境.曝光试验的光源功率为4000W.与市场上Z好的试验箱比较，我们的曝光时间更短.对灯参数的检查使我们得到连续且相等的曝光.光学积分器不足以得到相同曝光.半透明有机玻璃的正面板可在试验过程期间检查仪器，这样会减少90%的灯晕.我们产品的每个型号都会提供多语种液晶显示，显示信息和可能出现的异常.技术参数：技术参数紫外曝光系统1紫外曝光系统2总长1.106 mm.1.301 mm.宽度1.105 mm.1.510 mm.高度1.890 mm.2.110 mm.工作尺寸750 x 850 mm.900 x 1100 mm.灯（W）4000 W4000 W通道3939光学积分器YESYES4个架子YESYES功率4000W, 380V, 12A4000W, 380V, 12A扩散器YESYES光服务YESYES控制灯YESYES液晶屏YESYES
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    厂商： 北京金恒祥仪器有限公司
    品牌： COFOMEGRA.
    型号： Cofomegra型
    价格： 面议
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  • 长春光机所承担的国家科技重大专项项目“极紫外光刻关键技术研究”通过验收
    p　　6月21日，“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项(02专项)实施管理办公室组织专家在中国科学院长春光学精密机械与物理研究所召开了“极紫外光刻关键技术研究”项目验收会。评审专家组充分肯定了项目取得的一系列成果，一致同意项目通过验收，认为该项目的顺利实施将我国极紫外光刻技术研发向前推进了重要一步。/pp　　极紫外(Extreme Ultraviolet，EUV)光刻是一种采用波长13.5nm极紫外光为工作波长的投影光刻技术，是传统光刻技术向更短波长的合理延伸。作为下一代光刻技术，被行业赋予拯救摩尔定律的使命。极紫外光刻光学技术代表了当前应用光学发展最高水平，作为前瞻性EUV光刻关键技术研究，项目指标要求高，技术难度大、瓶颈多，创新性高，同时国外技术封锁严重。/pp　　长春光机所自上世纪九十年代起专注于EUV/X射线成像技术研究，着重开展了EUV光源、超光滑抛光技术、EUV多层膜及相关EUV成像技术研究，形成了极紫外光学的应用技术基础。2002年，研制国内第一套EUV光刻原理装置，实现了EUV光刻的原理性贯通。2008年国家“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”科技重大专项将EUV光刻技术列为“32-22nm装备技术前瞻性研究”重要攻关任务。长春光机所作为牵头单位承担起了“极紫外光刻关键技术研究”项目研究工作，成员包括中科院光电技术研究所、中科院上海光学精密机械研究所、中科院微电子研究所、北京理工大学、哈尔滨工业大学、华中科技大学。/pp　　项目研究团队历经八年的潜心钻研，突破了制约我国极紫外光刻发展的超高精度非球面加工与检测、极紫外多层膜、投影物镜系统集成测试等核心单元技术，成功研制了波像差优于0.75 nm RMS 的两镜EUV 光刻物镜系统，构建了EUV 光刻曝光装置，国内首次获得EUV 投影光刻32 nm 线宽的光刻胶曝光图形。建立了较为完善的曝光光学系统关键技术研发平台，圆满完成国家重大专项部署的研究内容与任务目标，实现EUV 光学成像技术跨越，显著提升了我国极紫外光刻核心光学技术水平。同时，项目的实施形成了一支稳定的研究团队，为我国能够在下一代光刻技术领域实现可持续发展奠定坚实的技术与人才基础。/pp　　验收会上，长春光机所所长贾平诚挚地感谢了与会专家及各合作单位对项目的大力支持。贾平指出从时机及技术难度方面考虑，EUV项目的布局正处于窗口期，希望国家给予持续稳定的支持。鼓励项目参研单位进一步发挥EUV学科优势，鼓足勇气并肩奋斗，在后续支持下取得更好的成果。/pp　　02专项总体组技术总师、中科院微电子所所长叶甜春做总结发言。叶甜春强调，在国际上EUV光刻大生产基地已经建立的形势下，我国EUV光刻研究要继续坚持下去，面向未来产业工程化需求，着力点要放在必须掌握的核心技术和有可能取得创新的突破点。此外，叶甜春评价光刻机队伍是承担最核心、最高端、最艰巨任务的队伍，也是专项团队中最有战斗力、最能抗压、最值得信任的主力部队。鼓励项目团队肩负重大任务的责任与使命感，继续坚持勇攀高峰。/pp　　02专项光刻机工程指挥部总指挥、前科技部副部长曹健林到会并致辞。作为国内最熟悉EUV光刻的领域专家，曹健林对我国EUV光刻技术能力的提升感到欣喜，他认为中国已初步具备光刻技术的研发能力，并向着产业化目标前进，30年前的“中国光刻梦”正在逐步变为现实，通过我国光刻技术研发能力的建设初步树立了坚持“中国光刻梦”的信心。/p
    时间： 2017-07-06
    作者： Yanan
  • 1780万！哈尔滨工程大学X射线/紫外光电子能谱和聚焦离子束-电子束曝光系统(FIB-EBL)采购项目
    一、项目基本情况1.项目编号：ZG-ZWG-2023168/2758-234ZGZB23168项目名称：哈尔滨工程大学X射线/紫外光电子能谱采购项目预算金额：900.000000 万元（人民币）最高限价（如有）：900.000000 万元（人民币）采购需求：X射线/紫外光电子能谱1套合同履行期限：合同签订后12个月内完成所有设备到货，所有设备调试完毕并具备验收条件本项目( 不接受 )联合体投标。2.项目编号：ZG-ZWG-2023066/2758-234ZGZB23066项目名称：哈尔滨工程大学聚焦离子束-电子束曝光系统(FIB-EBL)采购项目预算金额：880.000000 万元（人民币）最高限价（如有）：880.000000 万元（人民币）采购需求：聚焦离子束-电子束曝光系统(FIB-EBL)一套合同履行期限：合同签订后12个月内完成所有设备到货，所有设备调试完毕并具备验收条件本项目( 不接受 )联合体投标。二、获取招标文件时间：2023年11月06日 至 2023年11月13日，每天上午8:30至12:00，下午12:00至16:30。（北京时间，法定节假日除外）地点：黑龙江中冠项目管理有限公司（中国黑龙江省哈尔滨市道里区友谊西路2982号）；方式：拟参加本项目的潜在投标人，请于2023年11月06日至2023年11月13日，每天上午08时30分至下午16时30分到黑龙江中冠项目管理有限公司（中国黑龙江省哈尔滨市道里区友谊西路2982号）获取采购文件，采购文件不予邮寄；售价：￥500.0 元，本公告包含的招标文件售价总和三、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。1.采购人信息名 称：哈尔滨工程大学　　　　　地址：哈尔滨市南岗区南通大街145号　　　　　　　　联系方式：王老师 0451-82519862　　　　　　2.采购代理机构信息名 称：黑龙江中冠项目管理有限公司　　　　　　　　　　　　地　址：中国黑龙江省哈尔滨市道里区友谊西路2982号　　　　　　　　　　　　联系方式：刘女士 0451-82663366转8008/8006　　　　　　　　　　　　3.项目联系方式项目联系人：刘女士电　话：　　0451-82663366转8008/8006
    时间： 2023-11-06
    作者： dahua1981
  • 中晟光电深紫外 MOCVD 设备获重大技术突破
    中晟光电设备（上海）股份有限公司（以下简称中晟光电）早在 2016-2017 年就与国内深紫外 LED 领域处于领先地位的杰生半导体共同开发和产业化了首台国产深紫外 MOCVD 设备，ProMaxy UV。近日，记者从中晟光电获悉，目前杰生半导体已有 4 台中晟光电深紫外 MOCVD 设备，用于消毒/杀菌医疗，白色家电，水净化等深紫外 LED 应用的大规模外延生产。 随着深紫外 LED 应用的不断推广，对功率转化效率，良品率，及生产成本等提出了更高的要求。针对深紫外 LED 外延生长 AlN（铝氮）的材料晶体质量，表面形貌特征，及裂纹控制，对提高功率转化效率和良品率具有重大的影响，中晟光电在ProMaxy UV 自主创新的核心技术的基础上，对反应腔的温场控制，反应气体的传输及均匀分布等技术进行了进一步创新和优化，建立了既可外延生产高质量的 AlN 基板，又能扩大产能（至少 15x2），降低生产成本新的 MOCVD核心技术。为进一步降低设备成本和提高产能，中晟光电于又推出了可配置 4 个反应腔的ProMaxy UV的机型。该机型既可每腔独立外延生产深紫外 LED 全结构，也能分腔集成外延生产 AlN 基板和 LED 结构。“我们率先评估验证了中晟光电新的 MOCVD 技术和多腔配置的机型，不仅获得了满足大规模生产所需的高质量 AlN 基板，而且显著提高了产能，降低了外延生产成本。“杰生半导体有限公司董事长康健说到，”杰生半导体很欣慰中晟光电能通过持续创新开发新技术和提供新机型满足深紫外 LED 规模生产日益增长的需要，是值得信赖的合作伙伴。“。目前国内多家客户均已采用了中晟光电新的 MOCVD 技术，获得了高质量、低成本的 AlN 基板，如表面特征 Rq0.5nm，边缘裂纹控制在2mm。中晟光电ProMaxy UV 产品及新技术的突破获得国内客户和市场的认可，已成为 2020 年以来深紫外 LED 产能扩充和技术研发的主要机型，并获得了上海市高新技术成功转化项目证书。“我们还将会通过持续的创新，提供新的技术解决方案，来满足深紫外 LED 技术发展和规模生产不断增长的需求。” 中晟光电董事长陈爱华博士强调地说到，“我们为能和客户一起共同推动对人类健康、绿色环保等有广泛应用前景的深紫外 LED 产业发展深感荣幸和自豪。”
    时间： 2022-03-07
    作者： KPC
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  • IRIS INTREPID ICP-AES的两次曝光的技术说明

    IRIS INTREPID ICP-AES的两次曝光的技术说明

    关于IRIS采用UV（紫外）/VIS（可见）分开曝光的技术说明1．由于IRIS Intrepid采用了高分辨分光系统和最宽的波长范围（165-1050nm），扩展的波长范围超出了CID检测器的感光面，因此采用UV（紫外）/VIS（可见）两次曝光的方式。采用UV（紫外）/VIS（可见）分开曝光的方式也更有利于两个波段各自的最佳聚焦。2．由于ICP光谱在450nm以上波段会产生很强的氩（Ar）背景，在VIS（可见）谱段的谱线测量只需很短的曝光时间（一般为5秒），因此IRIS光谱仪尽管比一次曝光多了一次VIS（可见）波段的曝光，但时间很短（5秒钟左右），且在分析过程中全自动进行。如果样品中不测K、Na，Ba，Sr等长波元素，该仪器也只需一次UV（紫外）曝光。3．UV（紫外）/VIS（可见）间的切换采用了专利技术（如图）。利用狭缝前的棱形镜的切入和切出，使光分别经过狭缝1（对应测量UV波段）和狭缝2（对应VIS波段）。由于该光线平移的距离只决定于棱形镜的形状，而与机械定位无关，因此有非常好的重复性。这样的切换无需整个光路的移动，稳定性好。[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2005/09/200509271136_8109_1639048_3.jpg[/img]相比之下：PE的4300DV由于采用的是SCD（分段CCD）检测器，为了解决“溢出”问题，在每次测定前必须要增加一次“预曝光”以确定不同强度谱线的不同曝光时间（分4组），且不同的曝光时间组是顺序进行（group sequence）的，即在其每次样品测定时，实际上经历：预曝光+第1组的曝光时间（最强谱线）+第2组的曝光时间（较强谱线）+第3组的曝光时间（较弱谱线）+第四组的曝光时间（很弱的谱线）。当然如果样品中各测量元素的谱线强度相近时，可能只需1-2组曝光时间，但“预曝光”是无法省略的。由此可见，4300DV的每次样品测定同样需要多次的曝光，无非它是软件控制进行，表观上不易察觉而已。另外4300DV本身是双向观察，经常需要垂直方式测一次，水平方式再测一次。由于4300DV 的SCD检测器之检测单元较大，无法拟合出很好的谱线谱峰，其狭缝是要移动的，在其MSF扣干扰时，必须移动狭缝四次，分别曝光四次，以实现元素干扰校正。此狭缝的移动是真正的机械移动，要引起整个光路移动，相对而言，重复性难于永久保证。Varian的Vista也是采用CCD检测器，在每次测定时同样也要增加一次“预曝光”，然后分成很多组曝光时间依次顺序曝光（特别是MPX型）。Vista的光栅面积是最小的，其所用级次范围最少（是IRIS和OPTIMA4300的一半），因此其每个级次必须覆盖较宽的波长范围，这就使很多谱线落在中阶梯分光系统的闪耀区之外（中阶梯分光系统的闪耀区域仅在每个级次的中央位置），这些边缘谱线的聚焦和能量均会变差，因此Vista的总体聚焦效果较差，边缘谱线的光学分辨、强度也较差，当然Varian提供的一些谱线的分辨率和检出限均很好，因为这些谱线均是那些“精心挑选”的落在中阶梯分光系统的中央位置的“最佳”谱线。

  • 紫外光耐气候老化试验箱满足的技术执行标准

    [url=http://www.dongguanruili.com/product/27.html][color=#000000]紫外光耐气候老化试验箱[/color][/url]模拟了阳光中紫外光对物体的辐射伤害，并结合了高温、潮湿、凝露、黑暗的环境，来综合对试验物品进行光照老化试验。试验物品如出现变色、褪色、质地变脆、龟裂、粉化、剥落等现象，则说明在紫外光的照射下产生了明显的老化反应。紫外光耐气候老化试验箱就是采用了荧光紫外灯来仿照太阳光中的紫外光，结合周边气候环境的模拟，来对试验物品进行老化试验，以研究和了解其材料的光照稳定性。[align=center][img=紫外光耐气候试验箱,500,310]http://www.dongguanruili.com/d/file/bf020bdc93ecf37124dbdebfff25f37f.jpg[/img][/align]　　紫外光耐气候老化试验有一定的技术标准，目前已经有明确的技术规范，能够满足GB/T、ASTMG、SAEJ、ISO、SATMD等标准。紫外光耐气候老化试验箱的制造，也是根据这些标准来进行的，其说明紫外光耐气候老化试验的光照强度标准、试验材料暴露标准以及其他耐气候老化标准等，为紫外光耐气候老化试验提供的指标性的参考依据。　　紫外光耐气候老化试验箱的执行标准及试验满足条件如下：　　1、GB/T5237.2-2008铝合金建筑型材第2部分:阳极氧化型材　　2、GB/T14522-2008机械工业产品用塑料、涂料、橡胶材料人工气候老化试验方法荧光紫外灯　　3、GB/T16422.3-2014塑料实验室光源暴露试验方法第3部分:荧光紫外灯　　4、ASTMG151-2010使用实验室光源的加速试验装置中非金属材料暴露规程　　5、ASTMG154-2012a非金属材料暴露用荧光紫外线灯的操作规程　　6、SAEJ2020-2003荧光紫外和冷凝设备对汽车外饰材料的快速老化测试　　7、ISO4892-3-2016塑料实验室光源暴露方法第3部分UV荧光灯　　8、ASTMD4329-2013塑料荧光紫外线曝光的标准操作规程

  • 【原创】紫外辐照度计详细使用介绍

    紫外线是太阳光谱中的一部分，总的波长范围在200nm-380nm（nm即纳米，光的波长单位），紫外线是一种不可见光，当然可见光中也含有少量的紫外线，在实际的光线中是没有明确的分界限，只是主要部分的紫外线在总波长范围内。 紫外线照射中的辐射强度需要使用紫外辐照度计来测量，紫外辐照度计也称紫外辐照计，即紫外辐射照度计，通常也叫做紫外线强度计。使用紫外辐照度计时要注意探头（对应测量波段）及仪器测量量程的选择，并且检测不同光源的辐射强度应该注意保持相同的测量距离。 就现在工业生产中使用的紫外辐照度计而言，目前紫外线多数用于紫外光固化、紫外曝光以及紫外线杀菌消毒上，测量UV炉或者UV灯管的辐射照度或者能量，波段处于UVA和UVC；针对如今市场上紫外辐照度计品种繁多这种比较混乱的局面，最好的解决方法莫过于统一标准。 对于紫外光固化、紫外曝光我们可以使用UVA波段紫外辐照度计，而UVC波段紫外辐照度计则可以用于紫外线杀菌消毒的检测，时下国内深圳市林上科技公司LS系列紫外辐照计测量精准、操作简便。能满足大部分客户对紫外线辐射强度的测试需求。 并且对于使用和校准，我们建议您： 1、同一个公司尽可能的使用同一厂家同一型号的仪器，便于量值统一，便于公司内部记录和比较。用同一间公司不同型号照度计进行测量，测量结果可能也有较大差异。　　2、工业用UV灯的辐照度不是很稳定而且不均匀，测量时最好多测几次。UV灯一般在开启后需要一段时间，发光情况才趋于稳定。　　3、对于很多用于测量光固化照射强度的仪器，很多情况只是在意一个读数，比如根据生产经验，用某仪器测得1000mW/cm2能量下，固化良好，也许这台仪器和国标相差很大，但是你只要知道这台仪器测到1000mW/cm2那就是正常，这时要关注的只是仪器的年变化率，或者根据校准证书给出的数据将仪器加上一个修正系数，修正后重新记录一个读数。　　4、并不是所有的仪器都可以按照现有的国家标准来校准的，所以当仪器被检出测量误差很大时，确认一下仪器的测量波段是否和国家标准一致，如不一致，要么送回原厂检，要么根据校准证书修正后，参照地使用。　　5、由于紫外辐照计制作探测器材料的特殊性，年变化率还是比较大的，再加上使用频繁，很容易产生量值漂移，如对量值产生怀疑最好及时送检。　　6. 注意紫外辐照计的使用寿命，特别是对接近使用寿命或者超期使用的紫外辐照计，应参照地使用。　　7、对于某些特殊辐照计，测大量程的(比如W级别的)，特殊波段的(比如UVV波段可见光辐射)，如果暂无检定规程，可送原厂、国家计量院等单位进行校准。　　最后简单说一下C波段的仪器，UVC紫外辐照计这类仪器主要用于医疗领域，因为短波段的紫外线有杀菌消毒作用，测量的范围相对较小，此类仪器大多国产，与国标一致程度高。

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    1、分析、定性：　凡对紫外光敏感的物体，均可在ZF-401紫外线检测仪上进行分析，定性。但各种物质对紫外线波长的敏感又不同，故您在定货时，请选择您需要的，适合您工作的波长（254nm,310nm,365nm）如果您对物质敏感的波长不熟悉时，您可将以上三种波长的灯管都订上货，以便在研究时有充分的选择，免走弯路，而完成神圣的事业。另外选择合适的透射紫外线滤色片的面积，也很重要，如果紫外线滤色片面积大，而您的分析物小时，多余的紫外光将会炽坏你的面部和眼晴。如果紫外线滤色片的面积小而你的分析物大时，就没有充足的紫外光源通过您的分析物致使您的研究达不到预期效果（紫外线滤色片面积下祥）。2、一般文献图表和纸层纸样的拍摄：　先把随机所附的有机玻璃罩在仪器上放平，然后把要拍的样纸放在该罩上，打开可见光源开关，调节两侧光源位置和角度；相机安装在相机托架上，校正焦距、光圈、即可进行曝光拍摄。3、DNA RNA电脉胶的拍摄　向外移开两侧白炽灯，移开底座上的有机玻璃罩，把样品胶（如经EB染色的需装上红色滤色镜）直接放在紫外线滤色片上，在可见光下调好焦距（焦距略高于样品胶1-2mm），曝光时间自己掌握，关掉白炽灯，打开紫外灯，在暗下待紫外光稳定后即可拍摄。照相后，如发现有灯管影同时出现在底片上时，应考虑将短波紫外灯管换成波长较长的。例如：254nm换成310nm或365nm的灯管。
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