ULVAC溅射设备 QAM系列

ULVAC  研究开发用溅射设备 QAM系列

低真空工艺环境

本设备具备约1Pa～0.1Pa的等离子体持续放电压力范围，与传统设备相比能  够在更低压力下进行溅射成膜。

多组分共溅射/多层膜溅射

本设备具有多阴极同时对准衬底中心的结构，从而能够进行多组分共溅射成  膜。另外可以通过控制挡板开闭实现多层膜的制备。

良好的膜厚分布

本设备采用对衬底倾斜的入射方式，从而能够实现非常良好的膜厚分布。

LTS的采用

本设备通过采用ULVAC的LTS ※ 1专利技术，从而能够尽可能的抑制阴极附近的不均匀等离子体对衬底的影响。

并且，该技术还能够尽可能的抑制来自阴极磁铁磁场的影响。 注）※ 1：LTS：Long Throw Sputter

对磁性材料薄膜的对应

本设备中使用的阴极能够对应各种磁性材料（Fe、Ni、Co等）。

操作界面前置

本设备通过将操作界面集中配置在设备前方，使得操作者能够仅在设备正面完  成设备的开启、关闭以及成膜等操作。先进的功能、直观的的操作以及安全性的实现

Repeatability

能够确保再现性

本设备能够将成膜和加热的相关参数作为Recipe保存，从而通过自动运行来实现高再现性的实验。

Safety

能够在Interlock设置下安全操作

本设备能够通过设置Interlock来防止误操作，从而实现对设备的保护和对人身安全的确保。同时，本设备能够一并管理设备状态，还能够     任意设定靶材寿命等参数在某数值下报警。

Intuitive operation

直观的操作界面

本设备中排气和工艺的操作按钮以动作流程为基准而配置，从而能够直观地进行操作工艺。

Analysis

能够进行工艺数据分析

本设备能够每隔１秒将工艺进行时的压力、加热、成膜时间的当前值作为履历并按时间序列(Time      Series)记录。收集的数据以文本格式保在外部存储器中，并且能够利用计算机对保存的数据进行分析和记录。

高拓展性

本设备能够通过模块的增设，来对应更多的用途。

低真空工艺环境

本设备具备约1Pa～0.1Pa的等离子体持续放电压力范围，与传统设备相比能够在更低压力下进行溅射成膜。

多组分共溅射/多层膜溅射

本设备具有多阴极同时对准衬底中心的结构，从而能够进行多组分共溅射成膜。另外可以通过控制挡板开闭实现多层膜的制备。

良好的膜厚分布

本设备采用对衬底倾斜的入射方式，从而能够实现非常良好的膜厚分布。

采用LTS技术

本设备通过采用ULVAC的LTS※1专利技术，从而能够尽可能的抑制阴极附近的不均匀等离子体对衬底的影响。

并且，该技术还能够尽可能的抑制来自阴极磁铁磁场的影响。注）※1：LTS：Long Throw Sputter

UHV对应

本设备通过使用可加热式的各配置，使得成膜腔室的压力能够到达1×10-6Pa※2以下。

注）※2：本设备采用O-Ring Seal结构，与传统设备的金属Seal结构相比更加容易进行维护保养。

对磁性材料薄膜的对应

本设备中使用的阴极能够对应各种磁性材料（Fe、Ni、Co等）。