林赛斯 霍尔效应测量系统 L79/HCS
林赛斯 霍尔效应测量系统 L79/HCS

¥20万 - 30万

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林赛斯

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L79/HCS

--

欧洲

  • 白金
  • 第20年
  • 一般经销商
  • 营业执照已审核
核心参数

仪器种类: 常温霍尔

产地类别: 进口

L79/HCS系统可用于半导体组件性能表征,包括:迁移率,电阻率,载流子浓度和霍尔常数。

基本型提供不同形状和温度条件下所需的样品支架。选配低温(液氮)附件结合高温炉(温度可达240°C)可保证所有应用领域环境条件下的测试。永磁体和电磁铁可提供高达数个特斯拉强度的固定或者可变磁场。

基于测量软件可显示的视窗内容包括I-V  I-R 数据图.

系统可测试多种材料包括Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N 型或P型均可测量), 金属膜, 氧化物等. 样品测试时便可完成系统功能演示

特点

载流子浓度

电阻率

迁移率

电导率

α (水平电阻值/垂直电阻值)

霍尔常数

磁致电阻


输入电流:500nA  10mA (500nA 步长)
霍尔电压:0.5  4.5V
分辨率:65pV
样品形状:15x15, 20x20, 25x25mm, 高度可达 5mm
磁场强度:可达 1T
传感器:液氮温度到 240°C
  • 热电材料提供了将废热直接转化为可用电能的可能性,可能是解决当今能源危机的一个重要组成部分。对典型TE材料中电子和声子输运的深入理解导致了基于优化可调输运参数的富有成效的策略。

    能源/新能源 2020-11-25

  • 采用磁控溅射法在氩气氛中制备了Mg-Sn薄膜(21≤at. % Sn≤42.5)。薄膜的结构和形态特征是组成的函数。随着薄膜中Sn含量的增加,Mg2Sn结构由稳定的面心立方结构转变为亚稳定的正交结构。讨论了在较广温度范围内(30-200 C),这种结构改变对温差电性能的影响。测量了薄膜载流子浓度和迁移率,以解释作为薄膜结构修饰函数的电子传输行为。当Sn含量为36at.%时,在200℃品质因数达到最大值ZT≅0.26。此时,立方和正交的Mg2Sn结构共存。在真空 (~10-4Pa)下,在不同温度(最高600℃)下进行退火处理,以确定薄膜结构和形态稳定性的极限。

    电子/电气 2020-05-08

  • 热电材料提供了将废热直接转化为可用电能的可能性,可能是解决当今能源危机的一个重要组成部分。对典型TE材料中电子和声子输运的深入理解导致了基于优化可调输运参数的富有成效的策略。

    能源/新能源 2020-11-25

  • 采用磁控溅射法在氩气氛中制备了Mg-Sn薄膜(21≤at. % Sn≤42.5)。薄膜的结构和形态特征是组成的函数。随着薄膜中Sn含量的增加,Mg2Sn结构由稳定的面心立方结构转变为亚稳定的正交结构。讨论了在较广温度范围内(30-200 C),这种结构改变对温差电性能的影响。测量了薄膜载流子浓度和迁移率,以解释作为薄膜结构修饰函数的电子传输行为。当Sn含量为36at.%时,在200℃品质因数达到最大值ZT≅0.26。此时,立方和正交的Mg2Sn结构共存。在真空 (~10-4Pa)下,在不同温度(最高600℃)下进行退火处理,以确定薄膜结构和形态稳定性的极限。

    电子/电气 2020-05-08

典型用户
用户单位 采购时间
天津塘沽石油管道建设集团公司科技中心 2007-08-15
中国石油管道公司科技中心 2007-09-14
上海硅酸盐所 2007-05-14
中国石油集团工程技术研究院 2008-03-12
暨南大学 2008-07-18
售后服务承诺

保修期: 1年

是否可延长保修期:

现场技术咨询:

免费培训:

免费仪器保养: 按需

保内维修承诺: 按需

报修承诺: 按需

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