牛津仪器PECVD等离子体处理系统

PlasmaProTM NGP80 – 下一代等离子体处理系统

为等离子体刻蚀和沉积集合了开放式进样工具。

多重处理技术：
PlasmaPro NGP80在同一个平台上提供了通用的等离子体刻蚀和沉积技术解决方案，并且带有便利的开放式进样装置。系统集合了微足印（smallfootprint）技术，可方便地进行定位及使用，且不会对工艺质量产生不良影响。
该设备是研发或小规模量产的理想工具，可处理从小块样品到直径200mm的晶片。开放式进样设计使晶片可以快速进片及退片，适合研究、原型开发及小量生产。

PlasmaPro NGP80的优势：

• 关键组建方便装卸有利于维护

• 兼容Semi S2/S8安全标准

• 新一代的总线控制系统可以极大地提升数据的检索、传送、重复匹配能力

• 新的增强用户界面

• 利用前端软件的错误及工具诊断功能实现快速的错误诊断

• 自动的清洗功能可以清除管道内的有毒物质并对管道进行冲洗，通过前端软件实现安全且完全的自锁清洗控制

工艺技术配置选项：

• 
  

  PlasmaPro NGP80 RIE

• PlasmaPro NGP80 PECVD

• PlasmaPro NGP80 RIE/PE   

牛津仪器具有广泛、可用的生长工艺。 有了在生长工艺发展上无比广泛的经验和我们应用工程师的支持， 牛津仪器向世界范围内的生产商和研发者提供生长工艺解决方案的经验为我们提供了世界上最强大的生长工艺库和工艺能力。

以下是一些可供选择的关键工艺--请与我们联系，讨论您的需要，我们的专业销售和应用的工作人员将很高兴地帮助您选择合适的生长工艺和工具，以满足您的要求。

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Compound Semiconductors

外延生长AlGaN—外延氮化铝镓

外延生长InN—氮化铟外延材料

外延生长InxGa1-xN—外延氮化铟镓

Nanotubes

生长碳纳米管

Nanowires

生长Si纳米线—生长硅纳米线

生长ZnO纳米线—生长氧化锌纳米线