Filmetrics®R50系列电阻测试仪

Filmetrics R50 是KLA电阻测试家族的最新产 品。 R50的设计代表了KLA超过45年电阻测量 领先技术地位的巅峰之作。自1975年我们的  第一台电阻计问世以来， KLA电阻测试家族产 品已经革 命性的改变了导电薄膜电阻和厚度  的测量方式。

电阻测量和监控对于任何使用导电薄膜的行  业都至关重要，从半导体制造到可穿戴技术  所需的柔性电子产品。 R50在金属膜均匀性分 布、离子掺杂和注入表征、薄膜厚度和电阻  率分布、以及非接触膜厚等量测均进行了优化加强。

系统优势

. 接触式四点探针(4PP)和非接触式电涡流(EC)

. 100mm Z行程，高精度控制

. 导体和半导体薄膜电阻， 10个数量级范围适用

. 测试点自定义编辑，包括矩形、线性、极坐标 以及自定义配置

. 200mm XY电动平台

. RSMapper软件灵活易用

. 兼容KLA所有电阻测试探针

应用市场

. 半导体

. 化合物半导体

. 先进封装 . 太阳能

. 平板和VR显示

. 印刷电路

. 穿戴设备

. 导电材料

R50 四点探针法和电涡流法

四点探针(4PP)和电涡流(EC)是目前用于电阻测量的两种常用技术。 R50系列提供了领先的10个数量级电 阻跨度范围适用的接触式4PP测试技术，以及高分辨率和高灵敏度的非接触式EC方案，续写了KLA在产 品创新能力和行业领先地位的历史。

四点探针法

电涡流法

EC是非接触式导电薄膜测量技术。通过线圈施加时变电流以产生时  变磁场，当该磁场靠近导电表面时，会在该表面中产生感应时变电流 （涡流）。这些电涡流反过来会产生它们自己的时变磁场，该磁场与 探针线圈耦合并产生与样品的电阻成比例的信号变化。 KLA独有的EC 技术，单个探头位于样品顶部，可以动态的调整每个测量点的探头高 度，这对测量的准确性和重复性至关重要。 EC法不受探头尺寸或表  面氧化的影响，非常适合较软的或其它不适用于4PP接触法测量的样品

4PP和EC相关性

无论何种应用， KLA 4PP和EC法在各自的整个适用范围内都表现出超过99%的相关性。无论何种方法， R50系列均采用了KLA行业领先的校准技术以确保测量的准确性。

Al on Si 4PP                        Al on Si EC

R50应用

金属薄膜均匀性

金属薄膜的电阻均匀性对于确保元件性能至关重要，大多数金属薄膜都可以通过4PP和EC进行测量。 EC推荐用于较厚的高导电金属膜，4PP适用于较薄的金属膜(> 10Ω/sq)，但无论如何， 4PP/EC均表现出

极高相关性，从而可以确保使用任何一种方法都可以获得准确的结果。R50电阻分布图可以表征薄膜均匀性、沉积质量及其它工艺波动。这张2μm AlCu薄膜的EC分布图表征了一个偏心沉积并给出了量化结果。

离子注入表征

4PP法是衡量离子注入工艺的标准测量技术。在热退火后通过测试离子注入分布可以识别由于灯故障、晶圆/平台接触不良或注入剂量变化而引起的热点和冷点。对于硅离子注入层，热退火工艺对于活化掺杂离子是必要的。在右侧的示例中， 三个红色（高电阻）区域表示了在离子注入退火工艺过程中热损失最大的位置，对应三个晶圆支撑位置。温度均匀性对于退火工艺至关重要，其中晶圆边缘和支撑接触区域的热损失对于均匀性调控是一个巨大的挑战。

薄膜厚度/电阻率/方阻

通过采集的晶圆数据， R50可以绘制出方阻、薄膜厚度或电阻率分布图。通过材料的电阻率，可以计算和显示膜厚分布；或者通过膜厚数据，则可以计算电阻率分布。

数据采集和可视化

RSMapper软件将数据采集和强大的分析功能结合在一起，拥有直观的可视化界面，即可以用于设备本身，也可以进行离线使用。软件自带的各种坐标布局工具可以帮助用户轻松设置数据测量点。如图所示， RSMapper可以通过2D或3D形式显示测量结果，对关键的薄膜均匀性数据实现快速可视化展示。该软件可以轻松地在各个测量参数分布图和可旋转的3D图之间切换，以提供最优的自定义工艺参数视图。无论是测量方阻、电阻率还 是金属膜厚， RSMapper都能提供令人叹服的视图数据。

R50规格