核心参数
产地类别: 进口
衬底尺寸: 可达200mm
工艺温度: 200mm衬底500500°C ,100mm衬底可升级至800°C
前驱体数: 标准4路,可升级至6路
重量: 0
尺寸(W x H x D): 1845 x 715 x 1920 mm
均匀性: 均匀性1σ Uniformities Thermal Al2O3 – 1.5% Plasma Al2O3 – 1.5%
Veeco(之前称之为Cambridge Nanotech)已经有15年以上的ALD研发生产经验。2003年Cambridge Nanotech成立于哈佛大学,05年搬到Boston并生产出Thermal ALD - Savannah, 之后生产出Plasam ALD - Fuji、批量生产ALD-Phoenix。2017年被Veeco收购,并更新了Batch HVM ALD - Firebird。至今为止,Veeco在ALD设备已有15年多的经验,全球已安装五百多台ALD设备。
方式: Plasma & Thermal ALD
优势: 标准自动加载锁定集成、加热、薄箔ALD trap
薄膜: 氮化物AlN, Hf3N4, SiN, TiN, GaN, InN, AlGaN, BN, NbN, NbTiN, VN, TiVN, WN, WCN, TaN, CoN 金属Ni, Pt, Ru 氧化物Al2O3, HfO2 , Nb2O5, NiO, SiO2, Ta2O5, TiO2, ZnO, ZrO2, Li2O, LiPON, La2O3, SnO2, In2O3, ITO, Ga2O3, MgO, MgxZn1-xO 硫化物ZnS, SnS, Cu2S, In2S3, Cu2ZnSnS4,PbS, CoS, ZnOS等
反应腔体大小: 可达200 mm
设备尺寸: 1845 x 715 x 1920 mm
操作模式: 连续模式(传统Thermal ALD) 曝光模式(超高深宽比) 等离子体模式(等离子体加强ALD)
功率: 220-240 VAC, 4200 W per reactor (不包含泵)
最强温度: 标准200mm衬底加热至500°C / 可选100mm衬底加热至800°C
沉积均一性: 1σ均一性 / Thermal Al2O3 -1.5%, Plasma Al2O3 -1.5%循环时间: <2s per cycle with Al2O3 at 200°C
兼容: 标准四端口,可增加至六端口。每一个源瓶均可放固态/液态/气态前驱体,可独立加热至200°C
阀门: 工业标准ALD阀门(最小响应10ms)
前驱体源瓶: 50cc(最多填充25ml)不锈钢气瓶
载气/排气: 100 sccmAr precursor carrier gas MFC / 500 sccmAr Plasma gas MFC / 100 sccm N2 plasma gas MFC / 100 sc100 sccm H2 plasma gas MFC / cm O2 plasma gas MFC
原位分析选项: H2S兼容配件, 原位QCM, 原位椭便仪, RGA端口, 光发射光谱仪, 样品高度高达57mm的晶圆
臭氧发生器, LVPD, 集成手套箱, 衬底偏压
维易科原子层沉积Fiji G2 Plasma ALD的工作原理介绍
原子层沉积Fiji G2 Plasma ALD的使用方法?
维易科Fiji G2 Plasma ALD多少钱一台?
原子层沉积Fiji G2 Plasma ALD可以检测什么?
原子层沉积Fiji G2 Plasma ALD使用的注意事项?
维易科Fiji G2 Plasma ALD的说明书有吗?
维易科原子层沉积Fiji G2 Plasma ALD的操作规程有吗?
维易科原子层沉积Fiji G2 Plasma ALD报价含票含运吗?
维易科Fiji G2 Plasma ALD有现货吗?
企业名称
香港电子器材有限公司
企业信息已认证
企业类型
私人股份有限公司
信用代码
09668219-000-05-24-6
成立日期
1985-05-09
注册资本
000000
经营范围
半导体设备代理
香港电子器材有限公司
公司地址
香港中区德辅道中71号永安集团大厦2802室
客服电话