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2022年全国电子显微学学术年会仪器技术及应用专场集锦(下)

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分享: 2022/11/29 11:04:33
导读: 28日,四大仪器技术及应用相关主题分会场线上、线下同步开启。当日,这四大分会场共进行了约80场报告。以下为部分报告集锦,以飨读者。

仪器信息网、中国电子显微镜学会(对外名义)联合报道20221126日,由电镜学会电子显微学报编辑部主办、南方科技大学承办的“2022年全国电子显微学学术年会在广东省东莞市顺利召开。大会为期三天,采用线下+线上直播方式进行,吸引来自高校院所、企事业单位等电子显微学领域专家学者三千余人次线上线下参会。本届年会线上+线下邀请报告达约500个,是国内电子显微学领域最具影响力的学术盛会。

大会线下会场

1126-27日上午进行大会报告,26-27日下午及28日全天同时进行12个不同电镜主题的分会场报告。

28日,四大仪器技术及应用相关主题分会场线上、线下同步开启,分别是第一分会场——显微学理论、技术与仪器发展,第二分会场——原位电子显微学表征,第六分会场——扫描探针显微学(STM/AFM等),第七分会场——扫描电子显微学表征(含EBSD。当日,这四大分会场共进行了约80场报告。以下为部分报告集锦,以飨读者。

第一分会场:显微学理论、技术与仪器发展

现场直击

部分报告:

报告人:广西科技大学 靳千千 副研究员

报告题目: 二维十次准晶原子坐标确定的电子显微学新方法

准晶具有晶体学上不允许的旋转对称性,不能用230种晶体空间群描述。靳千千所在团队在五角坐标系下推导描述二维十次和五次准晶团簇的杆状群空间群表,用来描述团簇的对称性和三维原子坐标。目前已推导了45种描述二维十次和五次准晶团簇的杆状群空间群表,下一步将获得准晶及其近似相的实验照片,并用杆状空间群描述团簇的原子坐标。

报告人:华东师范大学 黄荣 研究员

报告题目:过渡金属掺杂LiMn2O4的微结构演化规律及电化学性能研究

LiMn2O4属于尖晶石型,Fd-3m的空间群,面心立方结构。其作为正极材料具有无毒、环境友好、价格低廉、来源广泛等优点。对过渡金属掺杂LiMn2O4的微结构演化规律及电化学性能研究表明,过渡金属掺杂一方面改变了LiMn2O4的晶格稳定性,另一方面可以调控其不同晶面的表面能,不同晶面表面能之间的相对大小决定了颗粒的最终形貌。掺杂可以有效改善LMO材料的循环稳定性,但其机理各有不同。

第二分会场——原位电子显微学表征

现场直击

部分线上报告:

报告人:郑州大学 程少博 教授

报告题目:原位电镜在神经形态器件中的应用

程少博在报告中汇报了原位电镜在VO2神经形态器件中的应用相关工作首次在单一材料中实现了易失性和非易失性:易失性反转的机制为金属绝缘转变,非易失性的机制为电迁移。V5O9 Magneli phase为导电细丝相,温度参量、电压、化学组分等因素对易失和非易失转变过程具有很强的决定作用。

报告人: 电子科技大学(深圳)高等研究院 罗俊 教授

报告题目: 碳纳米管的赝断成像

罗俊所在团队已经实现使用电子束对悬空CNT的拨动,在非均匀充电的基底上振动的CNT呈现折断现象,但实际的CNT并没有发生折断,即对振动的CNT的赝断成像。通过使用经典力学分析,并对CNT的赝断图像进行拟合,同时获得位移的二阶导数、杨氏模量和面积惯性矩。通过调整赝断成像中SEM扫描的像素大小,实现了对赝断位置的操控通过建立电荷分布模型,模拟得到的电场分布情况揭示了赝断位置被操控的机理像素大小的变化影响电场强度的大小,电场增大时电击穿发生,从而引起电荷密度的重新分布使得赝断位置发生移动

第六分会场——扫描探针显微学(STM/AFM等)

部分报告:

报告人:中国科学技术大学 秦胜勇 教授

报告题目:石墨烯的CVD生长和电子态研究

秦胜勇团队在Cu-Ni上生长石墨烯获得了更大的单晶。遍地生长,更高效的生长方式可以获得高品质的石墨烯研究发现,在小角度转角双层石墨烯中,可以观察到一系列的电子态 Lattice relaxation可以导致赝磁场;AA区形成了局域化的电子态,形成周期性的量子点阵。

报告人:南方科技大学 戴亚南 教授

报告题目:等离激元场与自旋纳米-飞秒电子成像

表面等离激元是金属表面自由电子的集体共振振荡,可以将光限制在非常小的尺寸,实现在纳米尺度操纵光场。这些独特的优点使得表面等离激元在表面增强拉曼光谱、传感器、光伏器件和量子通信等领域具有广阔的应用前景。戴亚南在报告中分享了表面等离极化激元 (SPPs) 及其切向自旋,SPPs的超快光电子成像(干涉式时间分辨光电子显微镜、手性SPPs的激发及其动力学和SPPs自旋霍尔效应),SPPs拓扑场与拓扑自旋结构(SPPs涡旋,电场斯格明子阵列,自旋斯格明子、磁半子,SPPs拓扑结构的超快成像)等内容

第七分会场——扫描电子显微学表征(含EBSD

现场直击

部分报告:

报告人:中南大学 李凯 副教授

报告题目:铸造Al-Si合金中共晶硅颗粒旋转行为的原位SEMEBSD研究

据介绍,Al-Si合金的裂纹源主要是由共晶硅颗粒和金属间化合物的断裂引起的,随后的演变过程中Si颗粒的开裂占主导地位,具有较大长径比的Si颗粒和金属间化合物开裂倾向较大。这些合金相对于加载轴0-50°(130-180°) 取向的粒子更容易破裂,与Si颗粒的形貌和分布以及合金的加载方式无关。铸态合金杂拉伸过程中裂纹优先通过Al/Si共晶界面传播,并在铝基体中沿滑移带扩展,而热处理态合金中的裂纹主要沿滑移带方向扩展,并且大部分裂纹垂直加载轴,而压缩过程中裂纹几乎平行加载轴。铝硅合金在拉伸变形过程中,共晶硅颗粒会相对周围的铝基体发生相对旋转。这种相对旋转会在基体中引入一定数量的几何必须位错,且相对旋转角度越大,基体中产生的几何必须位错数量越多,造成更大的应力硬化效应,反之亦然。当颗粒发生断裂或者颗粒与基体之间发生脱粘,生成的几何必须位错会在缺陷处释放,对应的应力集中效应也会释放。但此时会引入新的缺陷,在下一次受力过程时会成为裂纹形核源,降低力学性能。

报告人:南京理工大学 周浩 副教授

报告题目:晶粒尺寸效应对纯镁非基面滑移激活的影响

随着粒度从125μm减少到515.5μm的纯Mg样品中的非基面位错被激活,这导致强度和延展性同时增加。粗晶样品(125μm)中,只有基面位错被激活。当晶粒尺寸减小到51μm时,会形成额外的位错和I1层错,与位错共存。晶粒尺寸减小到5.5μm激活了位错。非基面位错的激活有助于调节沿c轴的应变,纯镁的均匀伸长率提高。 除晶粒强化外,高密度纳米层错也起到强化作用。纯镁中的层错强化只发生在晶粒尺寸减小到50μm以下时。流变应力随晶粒尺寸减小而增大,激活了位错。位错是不稳定的,它们以两种方式分解: 位错,或形成I1层错

报告人:中国科学院金属研究所 吴利辉 副教授

报告题目:钛合金微观组织的搅拌摩擦变形调控及其对超塑性行为的影响

未来飞行器对轻量化和性能需求越来越高,钵合金关键复杂构件大型化、整体化成形成为趋势超塑成形SPF)可以应用于制备合金复杂构件对此,吴利辉汇报了合金搅拌摩擦变形过程中晶粒细化机制及低温超塑性行为钵合金搅拌摩擦焊接头的超塑性行为吴利辉所在团队未来将工程化探索采用SPFFSW焊接板材上制备出球冠类典型样件,为后续飞行器大型(数米)蒙皮、唇口构件的制备提供技术支持。

报告题目:福州大学 汪炳叔 副教授

报告题目:工业纯形变生交互行为EBSD研究

相较于室温轧制,深冷轧制过程中的生激活更加广泛,孪晶形核更多深冷轧制试样中最常见的晶对类型有: {11-22}-{11-22}ATP{10-12}-{10-12}ATP{11-22}-{10-12}ATP深冷轧制试样中最常见的同种类型晶交互有: {11-22}-{11-22}TTI{10-12}-{10-12}TT1深冷轧制试样中最常见的异种类型晶交互有: {11-22}-{11-24}TTI{10-12}-{11-21}TTI{11-22}-{11-21}TTI

[来源:仪器信息网] 未经授权不得转载

标签: 电镜大会
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作者:KPC

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