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“长江存储”谈2000+半导体工业测试及设备集采及其国产替代

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分享: 2020/08/12 10:22:36
导读: 近日,长江存储设备集采相关专家接受采访,计划2021年底开始二期2000多台设备的集采和安装,其中涉及多种检测设备及其国产替代的目标。

主持:开源通信赵良毕

1、长江存储规划进行3期30万片/月的扩产能计划,每一期10万片。一期10万片产能预计2021年年中完成:2018年底量产32层堆叠的NAND闪存5000片;2019年实现2万片/月的产能,并开始64层堆叠设备的集采,疫情推迟至2020年5、6月份64层堆叠设备安装完成(原计划2020年3月份),预计2020年11月份开始64层堆叠产品的5万片/月的产能爬坡;2020年9月份开始下单2.5万片128层堆叠产品的设备,2020年底实现7.5万片/月的产能。

二期项目基地已经开始动工,计划2021年年底开始二期设备的采集和安装。项目一期共采购设备2000台,其中ETCH(刻蚀设备)和CVD沉积设备占设备总数的40%及以上。随技术突破和层数的增加,可预见设备的采集数量还会大幅增长。为了追赶三星/海力士/镁光的128层堆叠技术,长江存储跳过96层堆叠产品直接研发128层工艺。

2、按照芯片制作工艺:所需要用到的主要设备如下:

1)CMP抛光设备中国产替代产品有华海清科,较AMAT(应用材料)设备相比稳定性稍微差一些,价格便宜50%,没办法抛干净,淮海金科不能应用在复杂工序,目前主要使用应用材料设备。

2)清洗设备,主要来自LAM,部分采用国产设备,主要来自北方华创(002371)(5%),盛美(15%),志成科技(5%)。北方华创产品线很全,但清洗设备质量一般,性能不稳定,盛美的稳定性较好。现阶段国内清洗机设备比国外设备价格要便宜一半及以上,可以覆盖中低端设备,但高端设备仍有技术难题需要攻破。

清洗之后是三酸,两者合起来叫化学抛光研磨。三酸的话80%设备是应用材料,还有20%是国产器材,十万件清洗设备,三酸大概需要80-90台设备,国外的设备大概是一台500-600万美金。

3)光刻机,目前采集设备主要来自于ASML(90%)和佳能(5%-8%)。

4)刻蚀设备来看,设备主要来自于LAM(泛林)(占55%-60%)、应用材料(占10%),国产方面中微公司(688012)(目前20%,10万件/月的产能能占到30%)、北方华创(002371)、屹唐半导体(屹唐半导体和华创占5%左右)。中微的价格是国外设备的70%。刻蚀的设备用的比CVD多,10万件/月的产能大概需要接近200台。

5)炉管设备主要分为扩散和离子注入,离子注入设备,80%-90%都是应用材料,一台机器约为1000万美金。离子注入在业界中设备分为高频和低频,国内相关领域属于初级阶段,无法完成规模供货。北方华创有七台炉管,但没有做离子注入。扩散设备,最主要为北方华创及TEL,TEL占70-80%,剩余份额为北方华创。

6)退火环节看,70%以上都是应用材料,剩余的都是忆唐半导体。5万片产能约为50台规模。单台设备约为400-500万美金。

7)CVD沉积设备来看:主要以应用材料和泛林为主,分别占比60%,20%。泛林的工艺目前还没有国产替代品,沈阳拓金主要取代的是应用材料的工艺,应用材料的设备价格在500万美金,拓金大概是1800万人民币,价格不到一半。

8)PVD镀膜设备来看: 主要来自泛林(70%),应用材料(15%)和北方华创(15%)。PVD设备需求量较CVD小,大概是CVD的三分之一,50-60台左右,但单机价格相对较高。

9)检测设备有很多种,厚度等指标检测设备被美国KLA公司垄断,线宽等检测设备以美国公司为主,测缺陷形状的机器以应用材料为主,测电性能的机器以应用材料、KLA等为主,有国产替代,集中于测量膜厚机器中,以瑞利光学、精测电子等为代表,整体仍在追赶态势中。国产替代看,5万片产能中用到国产替代设备的有500台左右,其中检测设备40-50台左右,目前膜厚检测中精测电子比瑞利光学精度更高一些,价格端看,价格同功能有关,KLA及应用材料等美方公司检测设备单台约为400万量级左右,国产设备约为其价格的30%左右,以价格抢市场,中微半导体、北方华创等都采取相应策略。

3、不同层比较来看,128层比32层, ETCH(刻蚀设备)和CVD增加10%-15%左右,同时清洗会减少。但由于光刻机价格比较昂贵,虽然128层比32层的工艺有所增加,光刻机的数量增幅相较于ETCH和CVD会小一些。第一期10万片计划集采2000台设备,但由于层数由32层增加到了128层,设备集采数量可能还会有进一步的增加。如果第二期10片全部按照128层的工艺建造,设备采集数量预计增加500台,总共采集数量预计达到2500台。如果第二期10万片能够达到192层,设备采集预计达到3000台以上。目前,192层工艺已经研发成功,预计2021年6月份左右能够达到量产。

4、蚀刻技术看,ICP刻硅和金属, TCP主要刻介质,其中ICP对工艺及精度要求较高。目前ICP比TCP要多一些。国产替代情况看,ETCH中国产品牌主要以中微为主,ICP设备一台满配价格约为1000万美金,TCP设备800-900万美金,应用材料、LAM公司在ETCH领域无论ICP/TCP占比不超过20%,TEL占比更少,同国产公司占比相似。


[来源:雪球网]

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作者:KPC

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Insm_112810a82020-08-12 22:41:03
学习学习了
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