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北京亚科晨旭科技有限公司
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解决方案
SiC元件量产的离子注入
应用领域
电子/电气检测样品
检测项目
离子注入 针对SiC材料以及元件的离子注入，涉及：高温炉、快速退火设备、高能离子注入等设备；与硅晶圆相比，SiC晶圆容易因离子注入而产生结晶缺陷，注入离子时需要将晶圆温度维持在500℃的高温，在控制结晶缺陷产生的同时，注入离子。
共3台
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