AT650P 等离子体增强原子层沉积系统特点1、台式等离子体ALD系统，占地面积小（宽38.1厘米，高96.5厘米）；2、紧凑、高效、远程式300瓦ICP源；3、集成匹配网络；4、可容纳直径为6英寸的样品，可定制托盘；5、带有40°C - 400°C的加热样品架的铝制腔室；6、3种有机金属前体可加热到185°C，另外一种可在标准条件下加热；7、多达4个氧化剂/还原剂源，每个都有超快的MFC控制（2个标准）；8、高温兼容的快速脉冲ALD阀，带有一个超快的MFC并集成惰性气体吹扫；9、静态处理模式可实现高曝光；技术参数1、基板温度从室温到400℃±1℃；前体温度（带加热套）从室温到185℃±2℃；2、占地面积小（15″×15″），台式安装，完全兼容无尘室；3、系统维护简单，成本低；4、流线型腔体设计，腔体体积小；5、具有快速循环能力和高曝光、深渗透处理能力；6、完整的硬件和软件联锁功能，即使在多用户环境中也能安全运行；可选项1、定制托盘/压板；2、QCM (石英晶体微天平)；3、最多可增加2条MFC控制；4、可选4个加热的前驱体（185°C）；5、外部控制-电脑/软件连接（允许远程编程和运行）；6、高于标准压力范围；软件1、带有10英寸触摸屏的人机界面（HMI）PLC系统面板；2、先进的过程控制，适用于沉积标准ALD循环，以及纳米层压板、掺杂薄膜和三元薄膜；3、拥有高质量、经过测试的工艺配方数据库；4、可自定义配方；5、实时显示工艺状态；6、可单独编程加热源温度；7、拥有三元化合物和纳米层压板的内置脉冲序列；8、输入子周期和总周期；AT650T 台式热原子层沉积系统特点√ 台式等离子体ALD系统，占地面积小（宽15英寸，深15英寸）；√  可容纳直径为6英寸的样品，可定制托盘；√  可在现场升级为等离子体；√  带有40°C - 400°C的加热样品架的铝制腔室；√  3种有机金属前体可加热到185°C，另外一种可在标准条件下加热；√  多达4个氧化剂/还原剂源，每个都有超快的MFC控制（2个标准）；√  高温兼容的快速脉冲ALD阀，带有一个超快的MFC并集成惰性气体吹扫；√  静态处理模式可实现高曝光；* 可升级至4个，全部加热至185℃。技术参数√ 基板温度从室温到400℃±1℃；前体温度（带加热套）从室温到185℃±2℃；√  占地面积小（15″×15″），台式安装，完全兼容无尘室；√  系统维护简单，成本低；√  流线型腔体设计，腔体体积小；√  具有快速循环能力和高曝光、深渗透处理能力；√  完整的硬件和软件联锁功能，即使在多用户环境中也能安全运行；可选项√ 等离子体升级；√  定制托盘/压板；√  ATOzone - 臭氧发生器（某些薄膜需要：铂、铁、二氧化硅、二氧化钼、低于60°C的高质量Al2O3、高质量HfO2)√  QCM (石英晶体微天平)√  最多可增加2条MFC控制；√  可选4个加热的前驱体（185°C）；√  外部控制-电脑/软件连接（允许远程编程和运行）；√  高于标准压力范围；软件√ 带有10英寸触摸屏的人机界面（HMI）PLC系统面板；√ 先进的过程控制，适用于沉积标准ALD循环，以及纳米层压板、掺杂薄膜和三元薄膜；√ 拥有高质量、经过测试的工艺配方数据库；√ 可自定义配方；√ 实时显示工艺状态；√ 可单独编程加热源温度；√ 拥有三元化合物和纳米层压板的内置脉冲序列；√ 输入子周期和总周期；

WaveDriver®系列双恒电位仪是一个多功能的双电极电化学工作站，有多种配置。在强大的AfterMath®软件控制下，WaveDriver 200 EIS双恒电位仪能够进行电化学交流阻抗谱（EIS）以及各种单、双电极直流电分析技术。WaveDriver 200是一款真正的集成式双恒电位仪，能够控制在同一个电化学电池中工作的一个或两个工作电极以及一个反电极和参比电极，使该仪器成为旋转圆盘电极（RRDE）伏安法的理想选择。产品特点真正集成的双恒电位仪从软件到电池电缆，WaveDriver 200双恒电位仪设计简单易于操作：不需要复杂的管路连接，也不需要额外的电池电缆或适配器。WaveDriver 200可通过标准的USB数据线连接到笔记本电脑或PC端，并由我们强大的AfterMath软件控制。软件用户界面的设计考虑到了两个工作电极，因此输入双电极技术的实验参数非常简单快捷。应用程序WaveDriver 200在世界各地的学术和工业研究实验室中得到了广泛的应用。该仪器提供范围广泛的可用电流范围（±100 nA至±1 A）和电位范围（±2.5V至±15 V），以及先进的过滤和iR补偿。当使用旋转盘电极（RDE）、旋转环盘电极（RRDE）或旋转圆柱体电极（RCE）进行伏安测量时，背板连接允许控制旋转速率。额外的输入/输出和定时连接允许WaveDriver在光谱电化学等应用中控制第三方仪器。电化学交流阻抗谱EIS我们优秀的工程师和化学家团队将EIS整合到我们的WaveDriver系列恒电位仪中，EIS频率范围（10 µHz至1 MHz）。我们已经将强大且易于使用的EIS等效电路整合直接纳入我们的AfterMath软件平台。多种曲线拟合算法和选项使您能够将最棘手的EIS数据拟合到内置的等效电路模型中，或者您也可以设计和绘制自己的等效电路模型。集成曲线拟合和分析我们的软件团队已将EIS曲线拟合无缝集成到AfterMath中。AfterMath EIS曲线拟合工具提供了多种分析方法，包括电路拟合（Circuit Fit）、传输线路（Transmission Line）和Kramers-Kronig关系。与其他软件不同的是，我们的拟合软件还提供了几种拟合方法，包括修正的Levenberg-Marquardt（LM）、Simplex和Powell算法，此外还包括动态选点、统一和参数拟合在内的拟合选项。独特的传输线路拟合AfterMath 提供了一种独特的方法来模拟多孔电极。虽然传输线路模型并不新鲜，但AfterMath为您提供了一些独特的传输线路拟合工具。我们提供了一个非常灵活的基本模型，而不是无法控制模型元素的静态电路，您可以从中自定义模型以适合您的系统。您可以试试将您的三列或五列EIS数据直接导入AfterMath，看看和我们的传输线路拟合有什么不同。可同时查看绘图和拟合在拟合EIS数据时，为什么要在Nyquist图和Bode图之间来回切换？为什么不能同时查看绘图和拟合？我们从许多客户那里听到这种反馈，并设计了AfterMath，以便在拟合过程中同时为您提供两种图。独特的滑块控件使您可以快速改变一个电路元件的值，同时观察该元件对Bode图和Nyquist图的影响。如您对 双恒电位仪 感兴趣，可通过 仪器信息网400-860-5168转3827  和我们取得联系！

台式R2P纳米压印机Desktop R2P Nanolmprinter我们的台式R2P纳米压印机是原型制作、实验和产品开发的理想工具。台式R2P纳米压印机适用于小规模的纳米压印光刻工作。该设备是快速制作原型、测试和表征结构特性的理想工具，包括光固化树脂和压印材料。典型应用包括压印、芯片实验室、衍射光学元件和其他纳米压印结构。01.纳米压印光刻技术的更好解决方案与目前仍主导行业的传统纳米压印机相比，这款台式R2P纳米压印机是一款小型，性价比高，且具有竞争力的“卷对板”压印机。这种智能技术是同类技术中的首创:同时采用了辊印工艺和光固化方法，获得专利的光学引擎光固化光源位于纳米压印滚筒内。我们的R2P纳米压印机使用专利的压印工艺和可调压印力，最大限度地减少材料的收缩，同时减少气泡问题。这种压印工艺降低了对基底材料一致性的要求，从而降低了成本，提高了产量。设计工程师设计了这台R2P纳米压印机，目的是节约成本，同时打造一台高质量输出的机器；每小时可进行多达60个板/晶片且不会影响质量。加快流程周期02.桌面R2P纳米压印机通过快速测试新设计，加速迭dai 开发周期，因此，它是制作原型的完美设备。这款设备使用户能够试验和测试许多压印技术、光固化树脂和加工参数，如压力、速度和光强度。在大规模生产之前，这些测试是必要的，还可节省时间和资源。台式R2P纳米压印机可以轻松地用我们的耗材制造压印模板(模具)。设备参数桌面R2P纳米压印机技术参数  ▶压印尺寸：高达105 x 188毫米（宽x长）；  ▶基板厚度：高达11毫米；  ▶压印速度：每小时60次手动复制（速度可达5米/分钟）；  ▶速度范围：0,1至5米/分钟；  ▶光学固化引擎：LED 寿命长 395nm；  ▶最大功率：在5米/分钟时可达120mJ/cm2；  ▶设备尺寸和重量：670x380x320毫米（长x宽x高），26Kg；如您对 滚筒式纳米压印机 感兴趣，可通过 仪器信息网400-860-5168转3827  和我们取得联系！