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单晶硅片中缺陷的研究

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缺陷的研究

随着信息技术及太阳能光伏电池产业的飞速发展，半导体硅产业发展到了新的高潮。硅单晶材料在增大直径的同时，对其结构、电学、化学特征的研究也将日益深入；缺陷控制、杂质行为、杂质与缺陷的相互作用以及提高单晶硅片的表面质量已经是工艺技术研究的主攻方向。在光伏产业中广泛采用太阳能电池的单晶硅材料中存在着高密度的位错、金属杂质或晶界等缺陷，而这些缺陷和杂质的交互作用使得太阳能电池的转换效率显著下降，因此观察这些硅材料中缺陷和杂质的交互作用对于采用合适的吸杂工艺提高太阳能电池的转换效率有着十分重要的作用。