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◆PLMapping测量
◆多种激光器可选
◆Mapping扫描速度：优于20点/秒
◆空间分辨率：10um（物镜），50um（透镜）
◆光谱分辨率：0.1nm@1200g/mm
◆Mapping结果以3D方式显示
◆最大8吋的样品测量
◆晶片精确定位
◆样品真空吸附
◆可做低温测量
◆膜厚测量
测试原理：
PL是一种辐射复合效应。在一定波长光源的激发下，电子吸收激发光子的能量，向高能级跃迁而处于激发态。激发态是不稳定的状态，会以辐射复合的形式发射光子向低能级跃迁，这种被发射的光称为荧光。荧光光谱代表了半导体材料内部，一定的电子能级跃迁的机制，也反映了材料的性能及其缺陷。
操作简便、全电脑控制
PMEye-3000系列PL Mapping测量仪，是一款适合于半导体晶片和LED外延片科研、生产和质量控制环节的仪器；采用整机设计，用户只需要根据需要放置合适的检测样品，无需进行复杂的光路调整，操作简便；所有控制操作均通过计算机来控制实现。
全新的样品台设计，采用真空吸附方式对样品进行固定，防止对样品的损伤；可对常规尺寸的晶圆样品进行精确定位，提高测量重复性。
系统采用直流和交流两种测量模式，直流模式用于常规检测，交流模式用于微弱荧光检测。
荧光测量
一般的PL测量仪只是测量荧光的波长和强度。PMEye-3000系列增加对激光强度的监控，并根据监控结果来对荧光测量进行校正。这样就可以消除激发光源的不稳定带来的测量误差，也使测量结果有可比性。
Mapping功能
PMEye-3000系列配置200X200mm的X-Y电控位移台，最大可测量8英寸的晶圆样品。用户可以根据不同的样品规格来设置扫描区域及空间分辨率，扫描速度优于每秒20个点，空间分辨率可达10um（物镜），50um（透镜）。扫描结果以3D方式显示，以不同的颜色来表示不同的荧光强度。
激光器
PMEye-3000系列有多种高稳定性的激光器可选，系统最多可内置2个激光器和一个外接激光器，标配为1个激光器。用户可以根据测量对象来配置不同的激光器，使PL检测更加灵活。
PMEye-3000系列可内置的激光器波长有：266nm，405nm，442nm，532nm、785nm等，外置激光器波长有：325nm，632.8nm等。
功能强大的软件
我们具有多年的测量仪器操作软件的开发经验，熟悉用户的操作习惯，这使我们开发的这套PMEye-3000系列操作软件功能强大且操作简便。
PMEye-3000系列操作软件提供单点PL光谱测量及显示，单波长的X-Y Mapping测量及显示，mapping结果以3D方式显示。同时具有多种数据处理方式来对所测量的数据进行处理。
低温样品室附件
该附件可实现样品在低温状态下的荧光检测。
有些样品在不同的温度条件下，将呈现不同的荧光效果，这时就需要对样品进行低温制冷。
如图所示，从图中我们可以发现在室温时，GaN薄膜的发光波长几乎含盖整个可见光范围，且强度的最高峰出现在580nm附近，但整体而言其强度并不强；随着温度的降低，发光强度开始慢慢的增加，直到110K时，我们可以发现在350nm附近似乎有一个小峰开始出现，且当温度越降越低，这个小峰强度的增加也越显著，一直到最低温25K时，基本上就只有一个荧光峰。
GaN薄膜的禁带宽度在室温时为3.40Ev,换算成波长为365nm，而我们利用PL系统所测的GaN薄膜在25K时在356.6nm附近有一个峰值，因此如果我们将GaN薄膜的禁带宽度随温度变化情况也考虑进去，则可以发现在理论上25K时GaN的禁带宽度为3.48eV，即特征波长为357.1nm，非常靠近实验所得的356.6nm，因此我们可以推断这个发光现象应该就是GaN薄膜的自发辐射。
性能及功能
| 扫描模式 | 单波长mapping |
| 摄谱模式 | 峰值波长mapping；给定波长范围的积分 |
| 光源 |
405nm激光（标配） 150W溴钨灯（可选，用于膜厚测量） |
| 光源调制 | 斩波器 |
| 光谱仪 | 三光栅DSP扫描光谱仪 |
| 光谱仪焦距 | 500mm（标配） |
| 波长准确度 |
±0.2nm（1200g/mm，300nm） ±0.6nm（600g/mm，500nm） ±0.8nm（300g/mm，1250nm） |
| 探测器 | Si探测器，波长范围：200～1100nm （标配） |
| 数据采集设备 |
带前置放大器的数字采集器DCS300PA 锁相放大器SR830 |
| 二维位移平台 | 行程200*200mm，重复定位精度<3μm |
| 样品台 | 具有真空吸附功能，对主流的3’’,4’’,5’’,6’’，8’’的晶片可进行精确定位 |
| Mapping扫描速度 | 优于20点/秒 |
| Mapping位移步长 | 最小可到1um |
| 空间分辨率 | 10um（物镜方式），50um（透镜方式） |
| 重复定位精度 | <3μm |
探测器选择
| 探测器类型 | 光谱响应范围 |
| R1527光电倍增管 | 200～680nm |
| CR131光电倍增管 | 200～900nm |
| DSi300硅光电探测器 | 200～1100nm |
| DInGaAs1700常温型铟镓砷探测器 | 800～1700nm |
| DInGaAs1900制冷型铟镓砷探测器 | 800～1900nm |
| DinGaAs2200制冷型铟镓砷探测器 | 800～2200nm |
| DinGaAs2600制冷型铟镓砷探测器 | 800～2600nm |
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PL光致发光光谱测量系统
光致荧光光谱测量是半导体材料特性表征的一个被普遍认可的重要测量手段。MiniPL为模块化设计、计算机自动控制的高灵敏度、宽带隙小型PL（光致荧光）光谱仪；MiniPL采用Photon Systems公司自行研发的深紫外激光器224nm(5.5eV)或248.6nm(5eV)作为激发光源，配合独特的光路设计，采用高灵敏度PMT作为探测器件，并通过仪器内置的门闸积分平均器（Boxcar）进行数据处理，实现微弱脉冲信号的检测。MiniPL可被用表征半导体材料掺杂水平分析、合成组分分析、带隙分析等，不仅可用于科研领用，更可用在半导体LED产业中的品质检测。
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2011/11/30
荧光光谱仪、PL光致发光光谱系统型录
介绍卓立汉光公司自产和代理的荧光光谱仪、稳态荧光光谱仪、组合式荧光光谱系统、PL光致发光光谱系统等详细的介绍。
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2009/12/29
企业名称
北京卓立汉光仪器有限公司
企业信息已认证
企业类型
有限责任公司(法人独资)
信用代码
91110112102387306K
成立日期
1999-07-19
注册资本
5000万元
经营范围
生产、维修光谱仪及附件、光谱测量系统、精密位移台、光学调整架、光学平台;技术服务;技术检测(不含技术认证);技术推广;销售光谱仪及附件、光谱测量系统、精密位移台、光学调整架、光学平台;货物进出口、技术进出口、代理进出口;出租办公用房;委托加工光谱仪及附件、精密位移台、光学调整架、光学平台;租赁光学仪器专用设备。(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本区产业政策禁止和限制类项目的经营活动.)
北京卓立汉光仪器有限公司
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