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产品名称: | Ge晶体基片 |
产品简介: | 化学符号为Ge ,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底。 |
技术参数: | 晶体结构:立方:a = 5.6754 ?;生长方法:提拉法;密度:5.765 g/cm3 熔点:937.4 ℃热传导性:640掺杂物质:不掺杂;掺Sb;掺Ga类型:/;N;P;电阻率W.cm:>35;0.05;0.05-0.1;EPD: < 4x103/cm2;
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产品规格: | 晶体方向: <111>,<100>and<110>± 0.5o 标准尺寸:dia1"x 0.50 mm;dia2"x0.5mm;dia4"x0.5mm (<110> Ra<5A,不化抛) 注:可按照客户要求加工尺寸及方向。 |
标准包装: | 1000级超净室100级超净袋或单片盒装 |
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