电子显微镜下的Intel酷睿M

　　日前，英特尔在北京正式发布了酷睿M处理器。集低功耗与高性能于一身的酷睿M处理器主要被用于2合1设备、超极本与高性能平板电脑之上。除了在功耗与性能方面大幅改善之外，酷睿M处理器在功能方面也有很多改进之处，它可以支持英特尔智能音频技术，无线显示技术5.0，可以轻松实现高清多屏联动。这么强大的性能背后酷睿M有着如何的全新的架构呢?ChipWorks在拿到几台Core M笔记本后也迫不及待地拆开，将处理器放到了显微镜下进行观察分析!

　　 经过处理后得到的侧视图，因为放大率比较高所以有些模糊，但依然能够数出10个接触栅极，总间距699nm，每两个之间约为70nm。

　　 晶体管鳍片。20个之间的间距是843nm，每两个之间42nm。

　　 都完美符合Intel的宣传。

　　 横切面照片。65nm节点引入的厚金属顶层依然在，而且现在其下已经堆到了13层!以及一个金属绝缘层。

　　 边封没有金属层和绝缘层，可以很轻松地数出12层。上一代22nm还只有9层，Bay Trail则是11层，但最多的来自IBM 22nm Power8，15层。

　　 Intel说互连间距是52nm，但实际量了一下是54nm，在误差范围内，但也可能观察的不是最紧密的部位。

　　 更深入的透射电子显微镜观察正在进行中，届时将看到晶体管和鳍片。这是Intel官方给出的图像。就目前看到的而言，Intel 14nm很大程度上就是22nm的缩小增强版，结构设计并未做太大变动。

    关于ChipWorks

　　Chipworks公司是一家专门从事反向工程(reverse engineering)及系统分析的半导体业界厂商。