帕米膦酸二钠标准品

即使作为入门级纳米粒度及Zeta电位分析仪，Zetasizer Lab 的功能也不容小觑。 Zetasizer Lab 纳米粒度仪采用经典动态光散射(90°)，包含"自适应相关"算法、M3-PALS 和恒流 Zeta 模式。 Zetasizer Lab 纳米粒度分析仪还随附 ZS Xplorer，这是一款易于使用的分析软件，提供有关数据质量的实时反馈，以及如何改进结果的指导。特点和优点Zetasizer Lab 纳米粒度仪是一款出色的入门级系统，提供各种功能，其中包括：动态光散射 (DLS) ：用于测量从0.3 nm 到 15 μm 的颗粒和分子的粒度及粒度分布 （使用低容量可抛弃粒度样品池和扩展粒度分析可以测试粒度大于10 μm ；取决于样品和样品制备）电泳光散射 (ELS) ：测量颗粒和分子的Zeta电位，以显示样品稳定性和/或团聚倾向性扩展粒度范围分析功能可针对超过 1 μm 的颗粒粒度提供更高的准确性，并针对超过 10 μm 的颗粒粒度提供指示性结果（使用 ZSU1002 低容量可抛弃粒度测量池）具有恒流模式的M3-PALS可以在高导电介质中测量Zeta电位和电泳迁移率 以样品为中心的ZS Xplorer软件可以实现灵活的指导式使用，并可轻松构建复杂的模型 “自适应相关”算法能生成可靠且可重复的数据，同时计算速度超过以往的两倍，可在减少样品制备的情况下更快速地执行更多可重现的粒度测量，实现更具代表性的样品视图通过深度学习实现的数据质量系统可以评估粒度数据质量问题，并针对如何改进结果提供明确的建议使用静态光散射（90°）测量分子量软件符合 21 CFR Part 11 法规支持使用低容量可抛弃毛细管样品池对低至 3 μL 的样品进行粒度测量选择 Red Label 型号可用于测定更具挑战性的样品，如蛋白质、表面活性剂溶液和低固含量样品如果您的需求发生改变，可现场升级到Zetasizer Pro 或 Zetasizer Ultra型号主要应用Zetasizer Lab 应用广泛，包括：学术界 Zetasizer纳米粒度分析仪是全球众多学术实验室的重要分析工具，广泛用于需要分析颗粒或分子大小以及 Zeta 电位的应用领域。 Zetasizer应用领域广泛，被科学文献引用的次数达上万次，成为许多科研机构的核心设备。生命科学和生物制药 在生物制药应用中，温度或pH值变化、 搅拌、剪切和时间都会影响生物分子的 稳定性，造成变性和聚集、功能丧失， 还可能会产生不良免疫反应。Zetasizer纳米粒度仪提供快速的纯度和稳定性筛选，并可协助配方开发， 从而优化流程和产品，消除风险。食品和饮料 Zetasizer纳米粒度分析仪用于分析颗粒粒度和Zeta电位，以改善食品、饮料和调味料的外观及味道，并优化分散和乳化稳定性，从而延长产品保存期限，提高产品性能。纳米材料 Zetasizer纳米粒度仪所测量的纳米颗粒粒度分布、分散特性、稳定性和团聚倾向是新纳米材料设计的关键。 此类材料的超大表面积可能会带来新的物理和化学性质，比如更高的催化活性和溶解度，或者出乎意料的光学或毒理学性质。油漆、油墨及涂料 油漆、油墨及涂料配方必须稳定，以使它们在一段时间内不会发生变化或团聚。 Zetasizer纳米粒度分析仪测量的颗粒粒度和Zeta电位在确定产品特性（例如分散性、颜色、强度、光洁度、耐久性和保存限期）方面起着至关重要的作用。药物和给药粒度和Zeta电位检测有助于确保安全有效的治疗。Zetasizer纳米粒度仪用于表征分散体系、乳化液和乳膏的稳定性和质量，从而减少配方时间，加快新产品上市。消费品改良多种消费品时，需要了解和控制胶体参数，引导颗粒间的相互作用，并改善产品的稳定性和性能。其中一个例子是胶束和乳液的粒度和电荷对化妆品和洗涤剂性能的影响。Zetasizer纳米粒度分析仪可表征表面活性剂的胶束大小、电荷和临界胶束浓度， 并测量乳液的液滴大小和稳定性。

在科研中，很多用户需要用到光栅或点阵这些周期性的结构。有时用户不需要研究微纳米加工工艺，这样如果能花费低廉的价格买到这些成品将十分方便，只要接着从事后续的工作就可以了；有的用户自已拥有微纳米加工设备及经验，但纳米量级的尺寸要采用电子束曝光的方法来进行光刻，若有效面积超过1平方厘米，占机时间会很长，并需要调整电子束光刻及干法刻蚀工艺来优化成品。 鉴于此，我们向用户提供光栅及点阵的纳米结构成品。衬底材料为硅单晶，可广泛应用于各类科学研究。 产品类型： 标准模板一 ○ 光栅纳米结构模板 (线条+间距)○ 二维纳米模板（矩形或六边形）标准模板二 ○ 光栅结构○ 柱状点阵模板○ 孔阵模板2x2cm2模板四英寸模板六英寸模板标准模板一 我们可提供纳米级微结构，衬底材料为硅单晶，广泛应用于科学研究。批量生产，质量有保证，且性价比高。 产品精度： 线宽/深度：±15%周期精度：优于0.5%衬底宽度和高度误差：± 0.2 mm衬底厚度：0.675 ± 0.050 mm 具体规格如下表所示： 光栅纳米结构模板 (线条+间距) Linear Nanostamps (line+space) 序号周期沟槽深度占空比 ①线宽 ②样片尺寸③1139 nm50 nm50%69.5 nm12.5×12.5×0.7 mm2139 nm50 nm50%69.5 nm25×25×0.7 mm ⑤3278 nm④110 nm50%139 nm12.5×12.5×0.7 mm4416.6 nm110 nm50%208 nm12.5×12.5×0.7 mm5500 nmmultiple ⑥44%220 nm8×8.3×0.7 mm6500 nmmultiple ⑥60%300 nm8×8.3×0.7 mm7555.5 nm110 nm50%278 nm20×9×0.7 mm8555.5 nm140 nm50%278 nm20×9×0.7 mm9555.5 nm110 nm29%158 nm20×9×0.7 mm10555.5 nm140 nm29%158 nm20×9×0.7 mm11600 nmmultiple ⑥43%260 nm8×8.3×0.7 mm12600 nmmultiple ⑥55%330 nm8×8.3×0.7 mm13606 nm190 nm50%303 nm29×12×0.7 mm14606 nm④190 nm50%303 nm29×12×0.7 mm15606 nm190 nm50%303 nm29×24.2×0.7 mm ⑤16675 nm170 nm32%218 nm24×10×0.7 mm17675 nm170 nm32%218 nm24×30.4×0.7 mm ⑤18700 nmmultiple ⑥47%330 nm8×8.3×0.7 mm19700 nmmultiple ⑥55%375 nm8×8.3×0.7 mm20833.3 nm200 nm50%416 nm12.5×12.5×0.7 mm21833.3 nm200 nm50%416 nm25×25×0.7 mm ⑤ ①占空比表示线宽和周期的比率。③第二个尺寸相当于沟槽的长度。④scientific" grade offered at a discount. It has at least 80% of usable area. Up to 80/100 scratch/dig/particles and irregular substrate shape may present.⑤可定做更大尺寸⑥深度可做成150, 250 和 350 nm。 二维纳米模板（矩形或六边形）2D nanostamps (rectangular and hexagonal lattice) 序号周期晶格类型沟槽深度特征宽度衬底尺寸1500 nmrect postmultiple ①135 nm8×8.3×0.7 mm2500 nmrect postmultiple ①210 nm8×8.3×0.7mm3600 nmrect postmultiple ①195 nm8×8.3×0.7mm4600 nmrect postmultiple ①275 nm8×8.3×0.7mm5700 nmrect postmultiple ①260 nm8×8.3×0.7mm6700 nmrect postmultiple ①350 nm8×8.3×0.7mm7500 nmhex postmultiple ①165 nm8×8.3×0.7mm8600 nmhex postmultiple ①165 nm8×8.3×0.7mm9600 nmhex postmultiple ①240 nm8×8.3×0.7mm10700 nmhex postmultiple ①220 nm8×8.3×0.7mm11700 nmhex postmultiple ①290 nm8×8.3×0.7mm12600 nmhex holemultiple ①180 nm8×8.3×0.7mm13700 nmhex holemultiple ①200 nm8×8.3×0.7mm14700 nmhex holemultiple ①290 nm8×8.3×0.7mm ①深度可做成150, 250 和 350 nm rect post:hex post：hex hole：标准模板二 我们可提供纳米级微结构，衬底材料为硅单晶，广泛应用于科学研究。批量生产，质量有保证，且性价比高。产品精度：直径±10%线宽±10%高度/深度±15%产品说明：硅片厚度：0.5mm（特殊情况另标注）模板尺寸：产品规格+/-0.2mm缺陷面积：1% 具体规格如下表所示： 光栅结构（周期，线宽，高度，有效面积，衬底尺寸） Part NoDescriptionImagePattern 10Line gratingPeriod: 70 nmWidth: 25 nmor 35 nmHeight: 32nmor 40 nmArea: 4x 0.5 x 1.2 mm2Substrate: Si 20 x 20 mm2Pattern 2Line gratingPeriod: 300 nmWidth: 170 nmHeight: 210 nmArea: 30 x 30 mm2Substrate: Si 30 x 30 mm2Pattern 23Line arryPeriod: 150 nmWidth: 75 nmHeight: 116 nmArea:25 x25 mm2Substrate:Si 30 x 30 mm2 柱状点阵模板（周期，柱直径，高度，有效面积，衬底尺寸） Part NoDescriptionImagePattern 1Square pillar arrayPeriod: 300 nmDiameter: 145 nmHeight: 170 nmArea: 14 x 14 mm2Substrate: Si 14 x 14 mm2Pattern 6High-resolution pillar arrayPeriod: 35 nmand 42 nmDiameter: 15 - 20 nmHeight: 25nmArea: each period 25x25 um2Substrate: Si 12.5 x 12.5 mm2Pattern 3Hexagonal pillar arrayPeriod: 600 nmDiameter: 300 nmHeight: 310 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 20 x 20 mm2Pattern 15Hexagonal pillar arrayPeriod: 750 nmDiameter: 325 nmHeight: 260 nmArea: 25 x 25 mm2Substrate: Si 25 x 25 mm2Pattern 7Hexagonal pillar arrayPeriod: 1000 nmDiameter: 400 nmHeight: 280 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 26 x 26 mm2Pattern 17Hexagonal pillar arrayPeriod: 1010 nmDiameter: 470 nmHeight: 750 nmArea: 25 x 25 mm2Substrate: Si (0.7mm) 25 x 25 mm2Pattern 20Hexagonal pillar arrayPeriod: 3000 nmDiameter: 1800 nmHeight: 1200 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 25 x 25 mm2 孔阵模板（周期，孔直径，高度，有效面积，衬底尺寸） Part NoDescriptionImagePattern 11Square hole arrayPeriod: 90 nmDiameter: 45 nmHeight: 50 nmArea: 4x 0.6 x 0.6 mm2Chip size: 15 x 15 mm2Pattern 13Square hole arrayPeriod: 300 nmDiameter: 150 nmHeight: 300 nmArea: 4 x 4 mm2Chip size: 15 x 15 mm2Substrate: Quartz (2.3 mm thick)Pattern 24Square hole arrayPeriod: 350 nmDiameter: 225 nmHeight: 300 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 20 x 20 mm2Pattern 4Hexagonal hole arrayPeriod: 600 nmDiameter: 300 nmHeight: 50 nm, 450 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 20 x 20 mm2Pattern 5Hexagonal hole arrayPeriod: 600 nmDiameter: 400 nmHeight: 680 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 20 x 20 mm2Pattern 14Hole array on Rhombic latticePeriod:* x=610nm, y=425nmDiameter: 150 nmHeight: 300 nmArea: 20 x 20 mm2Chip size: Si 24 x 24 mm2* center-to-center distance in x and yPattern 16Hexagonal hole arrayPeriod: 750 nmDiameter: 380 nmHeight: 420 nmArea: 25 x 25 mm2Substrate: Si 25 x 25 mm2Pattern 18Hexagonal hole arrayPeriod: 1010 nmDiameter: 490 nmHeight: 470 nmArea: 25 x 25 mm2Substrate: Si (1mm) 25 x 25 mm2Pattern 19Hexagonal hole arrayPeriod: 1500 nmDiameter: 780 nmHeight: 550 nmArea: 25 x 25 mm2Substrate: Si (1mm) 25 x 25 mm2Pattern 21Hexagonal hole arrayPeriod: 3000 nmDiameter: 1500 nmHeight: 850 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 25 x 25 mm2Pattern 22Hexagonal hole arrayPeriod: 3000 nmDiameter: 1200 nmHeight: 1500 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 25 x 25 mm22x2cm2标准纳米压印模板 我们提供电子束光刻方法制备的硅模板，衬底尺寸为20x20mm2。图形分辨率高，有效区域为5x5mm2。批量生产，质量有保证，且性价比高。产品精度： 标准高度：100nm直径： ±10%线宽： ±10%缺陷面积： 1% 具体规格如下表所示： 孔阵（矩形孔阵） 序号ProductPeriodAreaDiameter / Height1P100s_h_5w5100nm5x5mm250nm/ 100nm2P150s_h_5w5150nm5x5mm260nm/ 100nm3P200s_h_5w5200nm5x5mm270nm/ 100nm 孔阵（六边形孔阵） 序号ProductPeriodAreaDiameter / Height1P200h_h_5w5200nm5x5mm280nm/ 100nm2P300h_h_5w5300nm5x5mm2125nm/ 100nm3P400h_h_5w5400nm5x5mm2150nm/ 100nm 柱状点阵（矩形柱状点阵） 序号ProductPeriodAreaDiameter / Height1P100s_p_5w5100nm5x5mm250nm/ 100nm2P150s_p_5w5150nm5x5mm260nm/ 100nm3P200s_p_5w5200nm5x5mm280nm/ 100nm 柱状点阵（六边形柱状点阵） 序号ProductPeriodAreaDiameter / Height1P200h_p_5w5200nm5x5mm270nm/ 100nm2P300h_p_5w5300nm5x5mm2110nm/ 100nm3P400h_p_5w5400nm5x5mm2120nm/ 100nm 大面积四英寸模板我们提供四英寸硅或石英模板，可用于压印工艺。批量生产制作，质量有保证且性价比高。 产品精度: 高度/深度：±15%直径：±10%线宽：±10%缺陷面积：1% 具体规格如下表所示： Holes on Hexagonal Lattice（六边形孔阵） Part NoProductPeriodDiameterAreaMax. Etch depth (Si/Quartz)Image1P520h_h_20w20520 nm260nm20x20 mm2450 nm/200 nm2P600h_h_46w46600 nm300nm46x46 mm2450 nm/200 nm3P600h_h_100d600 nm300nm4-inch450 nm/200 nm4P750h_h_51w51750 nm350nm51x51 mm2450 nm/200 nm5P780h_h_20w20780 nm350nm20x20 mm2450 nm/200 nm6P1000h_h_20w201000 nm400nm20x20 mm2600 nm/300 nm7P1000h_h_51w511000 nm300nm~500nm51x51 mm2600 nm/300 nm8P1500h_h_20w201500 nm400nm~650nm20x20 mm2600 nm/300 nm9P1500h_h_51w511500 nm400nm~650nm51x51 mm2600 nm/300 nm10P3000h_h_100d3000 nm600nm~1400nm4-inch1000 nm/400 nm Holes on Square Lattice（矩形孔阵） Part NoProductPeriodDiameterAreaMax. Etch depth (Si/Quartz)Image11P350s_h_20w20350 nm250nm20x20 mm2300 nm/150 nm12P350s_h_100d350 nm250nm100dia300 nm/150 nm Pillars on Hexagonal Lattice（六边形柱状） Part NoProductPeriodDiameterAreaMax. Etch depth (Si/Quartz)Image13P600h_p_46w46600 nm300nm46x46 mm2450 nm/200 nm14P600h_p_100d600 nm300nm4-inch450 nm/200 nm15P750h_p_51w51750 nm350nm51x51 mm2450 nm/200 nm16P780h_p_20w20780 nm350nm20x20 mm2450 nm/200 nm17P1000h_p_20w201000 nm400nm20x20 mm2600 nm/300 nm18P1000h_p_51w511000 nm300nm~500nm51x51 mm2600 nm/300 nm19P1500h_p_20w201500 nm400nm~650nm20x20 mm2600 nm/300 nm20P1500h_p_51w511500 nm400nm~650nm51x51 mm2600 nm/300 nm21P3000h_p_100d3000 nm600nm~1400nm4-inch1000 nm/400 nm Pillars on Square Lattice（矩形柱状点阵） Part NoProductPeriodDiameterAreaMax. Etch depth (Si/Quartz)Image22P150s_p_30w30150 nm75nm30x30 mm275 nm/ —23P250s_p_30w30250 nm110nm30x30 mm2200 nm/100 nm24P300s_p_30w30300 nm130nm30x30 mm2200 nm/100 nm25P400s_p_30w31400nm250nm30x30 mm3200 nm/100 nm26P500s_p_30w30500 nm250nm30x30 mm2450 nm/200 nm Linear Gratings（光栅结构） Part NoProductPeriodWidthAreaMax. Etch depth (Si/Quartz)Image27P150L_p_30w30150nm70nm30x30 mm275 nm/ —28P250L_p_30w30250nm110nm30x30 mm2200 nm/100 nm29P300L_p_30w30300nm130nm30x30 mm2200 nm/100 nm30P400L_p_30w30400nm200nm30x30 mm2200 nm/100 nm31P500L_p_30w30500nm250nm30x30 mm2450 nm/200 nm Multi-pattern（复合结构） Part NoProductDescriptionDiameterPeriodAreaMax. Etch depth (Si/Quartz)32MHSL_400-800Linear, hexagonal, square array combination，Periods: 400-800nmpitch dependentho, les/lineseach period，7.5mm x 7.5mm400 nm/150 nm33MP250L300Multi-period linear grating combination 1， Periods: 250nm, 275nm, 300nmLinewidth(+/15nm): 90/250 100/275 120/300lineseach period，7mm x 7mm200 nm/100 nm34MP300L600Multi-period linear grating combination 2，Periods: 300nm, 400nm, 500nm, 600nmLinewidth(+/15nm): 90/250 100/275 120/300lineseach period，10mm x 10mm300 nm/150 nm

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