四探针电阻率方块电阻测试仪

四探针电阻率方块电阻测试仪便于查看的显示/直观的操作性：高亮度、超清晰4.3寸彩色LCD显示；操作易学，直观使用；基本设置操作简单，方阻、电阻、电阻率、电导率和分选结果；多种参数同时显示。精度高：电阻基本准确度： 0.05％；方阻基本准确度：3%；电阻率基本准确度：3%整机测量最大相对误差：≤±3%；整机测量标准不确定度：≤±3%四位半显示读数；八量程自动或手动测试；

6. 测量范围宽： 电阻：10-4Ω～105Ω ；方阻：10-4Ω/□～105Ω/□；

7. 正反向电流源修正测量电阻误差

8. 恒流源：电流量程分为： 1uA、10uA、100uA、1mA、10mA 、100mA六档；仪器配有恒流源开关可有效保护被测件，即先让探针头压触在被测材料上，后开恒流源开关，避免接触瞬间打火。为了提高工作效率，如探针带电压触单晶对材料及测量并无影响时，恒流源开关可一直处于开的状态。

9. 可配合多种探头进行测试；也可配合多种测试台进行测试。

10. 校正功能：可手动或自动选择测试量程 全量程自动清零。

11. 厚度可预设，自动修正样品的电阻率,无需查表即可计算出电阻率。

12. 自动进行电流换向,并进行正反向电流下的电阻率(或方块电阻)测量,显示平均值.测薄片时,可自动进行厚度修正。

13. 双电测测试模式，测量精度高、稳定性好.

14. 具备温度补偿功能，修正被测材料温漂带来的测试结果偏差。

15. 比较器判断灯直接显示，勿需查看屏幕，作业效率得以提高。

3档分选功能：超上限，合格，超下限，可对被测件进行HI/LOW判断，可直接在LCD使用标志显示；也可通过USB接口、RS232接口输出更为详细的分选结果。

16. 测试模式：可连接电脑测试、也可不连接电脑单机测试。

17. 丰富的接口，Handler接口、RS232接口、USB HOST、USB DEVICE。实现远程控制。U盘可记录测试数据

18. 软件功能（选配）：软件可记录、保存、各点的测试数据；可供用户对数据进行各种数据分

析。

标配：测试平台一套、主机一套、电源线数据线一套。

四探针电阻率方块电阻测试仪

GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要

探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯0.8N两种。

以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的

条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包

括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根

据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版

本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。

GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法

样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的

规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士

5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，

范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层

和离子注入层薄层电阻的方法。

本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、

离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电

阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不

小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该

方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量

准确度尚未评估。

使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外

探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有

关的修正因子，计算出薄层电阻。

四探针电阻率方块电阻测试仪

电位差计和电流计或数字电压表，量程为1mV¯100mV,

分辨率为0.1%，直流输入阻抗不小

250μm的半球形或半径为50 μm~125 μm的平的

圆截面。

探针(带有弹簧及外引线)之间或探针系统其他部分之

间的绝缘电照至少为10°Ω.探针排列和间距，四探针应以

等距离直线排列，探针阀距及针突状况应符合GB/T 552 中

的规定。

R=1(R +R, )…………………………(3)R2=与(R; +R，)

计算试样平均直径D与平均操针间距S之比，由表3中

查出修正因子F，也可以见GB/T11073中规定的几何修正因

子。 9.4计算几何修正因子F，见式(4)。

对于薄层厚度小于3μm的试样，选用针尖半径为100

μm250μm的半球形探针或针尖率径为50μm~125 pm平

头探针，针尖与试样间压力为0.3 N¯0.8Ni对于薄层厚度不

小于3μ的试样，选用针尖半径为35μm100 pm 半球形

操针，针尖与试样间压力不大于 0.3 N.

Rr=V; R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-

双刀双撑电位选择开关。

四探针电阻率方块电阻测试仪

四探针电阻率方块电阻测试仪

定。欧娇表，能指示阻值高达10°日的漏电阻，温度针

0℃-40℃，小刻度为0.1℃。

光照、高频、需动、强电磁场及温醒度等测试环境会影

响测试结果，

甲醇、99.5%，干燥氮气。测量仪器探针系统操针为具

有45"~150°角的圆罐形破化鸭振针，针实半径分别为35

μm~100μm.100 μm

…… … ………(5)

电压表输入阻抗会引入测试误差，硅片几何形状，表

面粘污等会影响测试结果，

R(TD-R_xF式中:

计算每一测量位置的平均电阻R.，见式(3).

试剂优级纯，纯水，25℃时电阻率大于2MN.cm,

s=号(二[R，(TD-瓦(7D羽yt ..

计算每一测量位置在所测温度时的薄层电阻(可根据薄

层电阻计算出对应的电阻率并修正到23℃，具体见表4)

见式(5).

用干净涂题颗子或吸笔将试样置于样品台上，试样放置

的时间应足够长，到达热平衡时，试样温度为23 ℃±1℃.

接通电流，令其任一方向为正向，调节电流大小见表1

所给出的某一合适值，测量并记录所得数据，所有测试数据

至少应取三位有效数字。改变电流方向，测量、记录数据。

关断电流，抢起探针装置，对仲裁测量，探针间距为1.59