<0.0005 e-/p/s暗电流
可替代冷CCD长曝光应用
FL 9BW暗电流已低至0.0005 e-/p/s, 制冷深度可达-25℃，关键性能达到了深度制冷CCD相当的水平。在~10分钟长曝光的条件下，FL 9BW仍能获取高信噪比(SNR)的图像，且在正常曝光时间内 (60分钟)，信噪比都优于695 CCD。
背景均一
定量分析更精准
FL 9BW同时集成了索尼芯片优异的辉光抑制能力和鑫图先进图像降噪处理技术，基本杜绝了边角亮光、坏点像素等不良制程因素对正常信号的干扰，成像背景均一，更适合定量分析应用。
SONY 背照式科学级芯片
综合成像性能优越
FL 9BW采用索尼新一代背照式科学级CMOS芯片，不仅长曝光性能和CCD相当，峰值量子效率高达92%，读出噪声仅0.9 e-，弱光成像能力碾压CCD，动态范围更是传统CCD的4倍以上，综合成像性能十分优越。
保修期: 2年
是否可延长保修期: 否
现场技术咨询: 有
免费培训: 可预约
免费仪器保养: 参考仪器保养说明
保内维修承诺: 非人为损坏提供2年免费质保服务
报修承诺: 联系专业人员，获得相机技术支持服务
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