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TeraSense
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IMPATT Diodes
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美洲
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IMPATT雪崩二极管
产品描述：
雪崩二极管是一类非常高效的微波和亚太赫兹波产生器件。其工作频率范围约为3-400GHz， 最主要的优点是它们具有很高的输出功率和紧凑小巧的外形封装。 雪崩二极管具有非常窄的工作频率带宽，所以二极管内部尺寸必须根据相应的频率来设计。
产品特点：
◆ 80-120GHz 频率范围
◆ 典型输出功率 10mW
◆ 结构紧凑性价比高
◆ 1 年保修期
雪崩二极管技术参数： 可选项：
◆ 频率范围：80-140GHz ◆ TTL 调制选项
◆ 可用的最低输出功率：10mW ◆ 精确附加锥形角
◆ 典型线宽：1MHz ◆ 高输出功率选项 （＞50mW 射频功率输出）
◆ 工作电压：15-16V ◆ 工作电流：110-120mA
◆ 输入功率：2W
性能更新后的典型IMPATT二极管参数规格：
IMPATT diode@100GHz | IMPATT diode @ 140 GHz | |
操作频率 | ≈100GHz | ≈140GHz |
TTL调制 | 1us 上升或下降时间 | 1us上升或下降时间 |
高功率输出 | ≈80mW | ≈30mW |
圆锥喇叭天线/法兰 | 严格固定/WR-8 or WR-10 | 严格固定/WR-6 |
