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PHI-700Xi俄歇电子能谱仪(AES)

产品详情
PHI-700Xi俄歇电子能谱仪(AES)
PHI-700Xi俄歇电子能谱仪(AES)
参考报价:
 面议
型号:
 PHI-700Xi
品牌:
 --
产地:
 日本
样本:  【暂无】 信息完整度:  
典型用户:  0
价格区间:
 
 
 
分享:
400-860-5168转1516
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名 称: 理化(香港)有限公司
认 证: 工商信息已核实
信用积分:2943
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产品简介
PHI 700Xi 扫描俄歇电子能谱仪(AES) 
产品介绍:
•产品名称:扫描俄歇电子能谱仪(AES) 
•产品型号:PHI 700Xi
•品    牌:日本ULVAC-PHI
•产    地:日本
简介:
PHI的700Xi扫描俄歇电子能谱仪(AES) 提供高性能的扫描俄歇电子(AES) 频谱分析,俄歇成像和溅射深度分析的复合材料包括:纳米材料,催化剂,金属和电子设备。维持基于PHI CMA的核心俄歇仪器性能,和响应了用户所要求以提高二次电子(SE)成像性能和高能量分辨率光谱。PHI的同轴镜分析仪(CMA)提供了同轴分析仪和电子枪的几何实现高灵敏度多角度广泛收集,以便完成三维结构图,在纳米级技术的发展这是最基础的。为了提高SE成像性能,闪烁探测器(Scintillator)已被添加以提高图像质量,另再加上数码按钮的用户界面再一次的提高了易用性。在不用修改CMA和仍维持俄歇在纳米分析的优势下,再添加了高能量分辨率光谱模式,使化学态分析的可能再大大的提高。总括来说,700Xi以优越的俄歇纳米探针从世界领先的俄歇表面分析仪器,提供了实用和成熟的技术,以满足纳米尺度所需要的广泛实验与研发的用途。
特点:
• 扫描俄歇电子能谱仪(AES) 同轴电子枪和分析几何和高级的俄歇灵敏度:700Xi的场发射电子源提供了一个高亮度而直径小于6 nm的电子束以产生二次电子成像。700Xi的同轴几何使用了“同轴式分析器(CMA)”,促使高灵敏度俄歇通过广泛角度收集进行分析,即使样品是表面平滑或复杂的形状或高表面粗糙度,都可以确保迅速完成所有分析程序。
• 扫描俄歇电子能谱仪(AES) 高稳定性成像平台:隔声外壳与振动隔离器提供更稳定的成像和分析。隔声外壳从真空控制面板降低频率范围从30赫兹到5K赫兹左右的20 dB的声压等级(SPL),稳定的温度大约降低系统造成SEM图像漂移。新的振动隔离器也减少了地面振动对扫描电镜图像和小面积分析的影响。
 • 扫描俄歇电子能谱仪(AES) 增强的SE图像用户界面:PHI700Xi增强SE成像性能,闪烁器检测器(Scintillator)已被添加在仪器上从而提高图像质量,加上数码按钮的用户界面更再次提高了使用的方便性。
• 扫描俄歇电子能谱仪(AES) 新的高分辨率光谱模式:随着PHI的新技术,能量分辨率可调从0.5%到0.05%。多种化学物质的状态可以更容易有效的被观察出来。
 • 扫描俄歇电子能谱仪(AES) PHI SmartSoft-AES用户界面:PHI SmartSoft是一个操作仪器上为用户的需要而着想的软件界面。该软件是任务导向型和卷标在顶部的显示指引用户通过引入样品,分析点的定义,并设置了分析。多个位置分析可以定义和最佳范例的定位提供了一个强大的“自动Z轴调整”的功能。在广泛使用的软件设置,可让新手能够快速,方便地设置了测量,并在未来可以轻易的重复以往或常用的类似测量。
应用领域:
•    半导体组件: 缺陷分析、蚀刻/清洁残余物分析、短路问题分析、接触污染物分析、接口扩散现象分析、封装问题分析等、FIB组件分析
•    显示器组件: 缺陷分析、蚀刻/清洁残余物分析、短路问题分析、接触污染物分析、接口扩散现象分析等
•    磁性储存组件: 定义层、表面元素、接口扩散分析、孔洞缺陷分析、表面污染物分析、磁头缺陷分析、残余物分析等
•    玻璃及陶瓷材料: 表面沉积物分析、清洁污染物分析、晶界分析等
    (产品资料下载)
扫描俄歇电子能谱仪(AES)  
理化(香港)官方展位由仪器信息网设计制作,工商信息已核实。
展位地址:https://www.instrument.com.cn/netshow/SH101516/