核心参数
仪器种类: 全谱直读
产地类别: 国产
检出限: μg/L级别
重复性: RSD≤0.5%
稳定性: 4小时稳定性RSD<2.0%
波长范围: 165-870nm
光学分辨率: ≤0.007nm(在200 nm处)
吉天仪器ICP-AESICP-5000的工作原理介绍
ICP-AESICP-5000的使用方法?
吉天仪器ICP-5000多少钱一台?
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ICP-5000测定硅材料中金属元素 Al
硅材料具有优异的电学性能和机械性能,是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质,因此,电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳,溶解此类样品通常需要加入HF,温度过高易造成B的损失,另外硅材料中杂质含量通常很低,要求分析仪器具有较高的灵敏度,尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此,选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要;本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品,随后使用ICP-5000对该样品中Al等8种有害杂质元素进行测定, 并考察了仪器检出限和方法的精密度。
半导体
2017/12/20
ICP-5000测定硅材料中B元素
硅材料具有优异的电学性能和机械性能,是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质,因此,电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳,溶解此类样品通常需要加入HF,温度过高易造成B的损失,另外硅材料中杂质含量通常很低,要求分析仪器具有较高的灵敏度,尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此,选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要;本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品,随后使用ICP-5000对该样品中B等8种有害杂质元素进行测定, 并考察了仪器检出限和方法的精密度。
半导体
2017/12/20
ICP-5000测定硅材料中金属元素Ca
硅材料具有优异的电学性能和机械性能,是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质,因此,电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳,溶解此类样品通常需要加入HF,温度过高易造成B的损失,另外硅材料中杂质含量通常很低,要求分析仪器具有较高的灵敏度,尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此,选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要;本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品,随后使用ICP-5000对该样品中Ca等8种有害杂质元素进行测定, 并考察了仪器检出限和方法的精密度。
半导体
2017/12/20
ICP-5000测定硅材料中金属元素Fe
硅材料具有优异的电学性能和机械性能,是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质,因此,电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳,溶解此类样品通常需要加入HF,温度过高易造成B的损失,另外硅材料中杂质含量通常很低,要求分析仪器具有较高的灵敏度,尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此,选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要;本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品,随后使用ICP-5000对该样品中Fe等8种有害杂质元素进行测定, 并考察了仪器检出限和方法的精密度。
半导体
2017/12/20
ICP-5000测定硅材料中金属元素Ni
硅材料具有优异的电学性能和机械性能,是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质,因此,电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳,溶解此类样品通常需要加入HF,温度过高易造成B的损失,另外硅材料中杂质含量通常很低,要求分析仪器具有较高的灵敏度,尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此,选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要;本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品,随后使用ICP-5000对该样品中Ni等8种有害杂质元素进行测定, 并考察了仪器检出限和方法的精密度。
半导体
2017/12/20
ICP-5000测定硅材料中金属元素Mn
硅材料具有优异的电学性能和机械性能,是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质,因此,电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳,溶解此类样品通常需要加入HF,温度过高易造成B的损失,另外硅材料中杂质含量通常很低,要求分析仪器具有较高的灵敏度,尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此,选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要;本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品,随后使用ICP-5000对该样品中Mn等8种有害杂质元素进行测定, 并考察了仪器检出限和方法的精密度。
半导体
2017/12/20
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