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ENI1220 IPM 测试系统
变流器专用IPM测试仪
系统概述 | 基础配置 | ||||||||||||||||||
IPM,即智能功率模块,是先进的混合集成功率器件。一般使用IGBT作为功率开关元件,内部集成电流传感器及驱动电路的集成结构。 IPM模块需要测试的特性参数很多,其中最关键的测试参数为开关特性(时间特性)的测量。该系统在解决IPM的控制信号以及高速数据采集处理两个关键技术的条件下,是一套基于DSP及FPGA的高速实时测试系统。 | 电压 | 电流 | |||||||||||||||||
标配 | 选配 | 标配 | 选配 | ||||||||||||||||
1200V | 1000V | 200A | 200A | ||||||||||||||||
2200V | 400A | ||||||||||||||||||
3300V | 600A | ||||||||||||||||||
4500V | 1000A | ||||||||||||||||||
6000V | 2000A | ||||||||||||||||||
配置/短路测试 | |||||||||||||||||||
电压 | 电流 | 短路测试 | |||||||||||||||||
标配 | 选配 | 标配 | 选配 | 项目 | 范围 | 误差 | 分辨率 | ||||||||||||
1200V | 2200V | 200A | 400A | VPN | 100V~1200V | ±3% | 10V | ||||||||||||
3300V | 600A | 测试电流 | 10A~75A | ±3% | 1A | ||||||||||||||
4500V | 1000A | 短路电流 | 100A~500A | ±3% | 1A | ||||||||||||||
6000V | 2000A | 短路时间 | 1 uS~10uS | 可调 | 可调 | ||||||||||||||
测试功能 | |||||||||||||||||||
测试范围 | 测试参数 | ||||||||||||||||||
IPM | BVCES, BVRRM, BVSCES, ICES, IRRM, VCE(SAT), VEC, VFBR, VDSET, VDSET-HP, ID, UVt, UVr, OUVt, OUVr, VCIN(ON), VCIN(OFF), ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L), VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN, OTc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, OVt, T_MEAS, V_MEAS | ||||||||||||||||||
IGBT | ICES, BVCES, IGES, VF, VGEON, VTH, VTHS, ICE(SAT), VCE(SAT) | ||||||||||||||||||
DIODE | VF-Temp, Temp, VF revision | ||||||||||||||||||
参数 / 精度 | |||||||||||||||||||
静态参数 | 动态参数 | ||||||||||||||||||
上桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-H) | 上 桥 开 关 参 数 | 集电极电压Vce: 100~1200V, | 误差±3%,分辨率10V | ||||||||||||||||
上桥IGBT/FRD耐压测试(Bvce-H) | |||||||||||||||||||
上桥驱动IC低端静态电流测试(IDH) | 集电极电流Ice: 10~75A, | 误差±3%,分辨率1A | |||||||||||||||||
上桥驱动IC高端静态工作电流测试 (Iqbs-U,V,W) | |||||||||||||||||||
VD=VBS=15V, | 误差±3%,分辨率0.1V | ||||||||||||||||||
上桥欠压保护监测电平 (UVbsd-U V W) | VIN=0~5V | 误差±3%,分辨率0.1V | |||||||||||||||||
上桥欠压保护复位电平(UVbsr-U V W) | ton-L : 10~500nS, | 误差±3%,分辨率1nS | |||||||||||||||||
上桥驱动IC导通阈值电压测试 (Vth(on)-UH VH WH) | tc(on)-L :5~200nS, | 误差±3%,分辨率1nS | |||||||||||||||||
toff-L: 50~500nS, | 误差±3%,分辨率1nS | ||||||||||||||||||
上桥驱动IC关断阈值电压测试 (Vth(off)-UH VH WH) | tc(off)-L: 5~200nS, | 误差±3%,分辨率1nS | |||||||||||||||||
Trr-L :10~500nS, | 误差±3%,分辨率1nS | ||||||||||||||||||
上桥IGBT饱和电压测试(Vce(sat)-UH VH WH) | Eon-L :0.1~10mJ, | 误差±3%,分辨率0.1mJ | |||||||||||||||||
上桥FRD正向压降测试(VF-(UH VH WH) | Eoff-L: 0.1~10mJ | 误差±3%,分辨率0.1mJ | |||||||||||||||||
下桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-L) | 下 桥 开 关 参 数 | 集电极电压Vce: 100~1200V, | 误差±3%,分辨率10V | ||||||||||||||||
下桥驱动IC静态工作电流测试(IDL) | |||||||||||||||||||
故障输出电压测试(Vfoh Vfol) | 集电极电流Ice: 10~75A, | 误差±3%,分辨率1A | |||||||||||||||||
过流保护阈值电压测试(Vcin(ref)) | |||||||||||||||||||
下桥欠压保护监测电平(UVdd) | VD=VBS=15V, | 误差±3%,分辨率0.1V | |||||||||||||||||
下桥欠压保护复位电平(UVdr) | VIN=0~5V | 误差±3%,分辨率0.1V | |||||||||||||||||
下桥驱动IC导通阈值电压 (Vth(on)-UL VL WL) | ton-L : 10~500nS, | 误差±3%,分辨率1nS | |||||||||||||||||
tc(on)-L :5~200nS, | 误差±3%,分辨率1nS | ||||||||||||||||||
下桥驱动IC关断阈值电压 (Vth(off)-UL VL WL) | toff-L: 50~500nS, | 误差±3%,分辨率1nS | |||||||||||||||||
tc(off)-L: 5~200nS, | 误差±3%,分辨率1nS | ||||||||||||||||||
下桥IGBT饱和电压测试(Vce(sat)-UL VL WL) | Trr-L :10~500nS, | 误差±3%,分辨率1nS | |||||||||||||||||
下桥FRD正向压降测试(VF-(UL VL WL) | Eon-L :0.1~10mJ, | 误差±3%,分辨率0.1mJ | |||||||||||||||||
Eoff-L: 0.1~10mJ | 误差±3%,分辨率0.1mJ |
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